【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法。
技术介绍
在击穿电压大于50V的RFLDMOS中，要求漏端金属连线和硅衬底之间有足够的距离，以满足降低由金属连线上的射频信号引起的电磁波对硅基板产生感应电流的要求。目前有两种方法，一种是用长时间的高温热氧化形成超厚的场氧，如图1a所示，超厚场氧的厚度在5微米以上，这个方法的缺点是工艺时间长，费用高；另一种是采用多层金属，这样总的金属层间介质厚度也随之增加，如图1b所示，这样漏端金属连线用顶层金属，与硅衬底之间可得到很大的距离，其缺点是工艺费用比第一种更高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，流程简单易行，最小化工艺成本，可以在较低的场氧厚度下得到较高厚度的总介质，降低金属连线对硅基衬底的射频干扰。为解决上述技术问题，本专利技术提供的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，包括以下步骤:第I步，在P型硅衬底上生长P型外延；第2步，在P型外延上生长一层氧化硅热氧层，在氧化硅热氧层上淀积一氮化硅层，在氮化硅层上再淀积一氧化硅层，所述氧化硅热氧层、氮化硅层和氧化硅层的厚度依次增加，形成0N0叠层；对0N0叠层进行光刻和干刻，打开场氧形成处的0N0叠层；第3步，进行光刻和干刻，间隔地打开0N0叠层，并在打开区域刻蚀深沟槽，干刻去除0N0叠层中顶部的氧化硅层；所述相邻深沟槽之间为侧壁，所述侧壁的宽度为常规场氧厚度的0.5 0.7，深沟槽的宽度等于侧壁的宽度加0.5 2.0ym ;第4步，对整个硅片进行场氧化形成常规场...
【技术保护点】
一种RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第1步，在P型硅衬底(1)上生长P型外延(2)；第2步，在P型外延(2)上生长一层氧化硅热氧层(3)，在氧化硅热氧层(3)上淀积一氮化硅层(4)，在氮化硅层(4)上再淀积一氧化硅层(5)，所述氧化硅热氧层(3)、氮化硅层(4)和氧化硅层(5)的厚度依次增加，形成ONO叠层；对ONO叠层进行光刻和干刻，打开场氧形成处的ONO叠层；第3步，进行光刻和干刻，间隔地打开ONO叠层，并在打开区域刻蚀深沟槽(7)，干刻去除ONO叠层中顶部的氧化硅层(5)；所述相邻深沟槽(7)之间为侧壁(8)，所述侧壁(8)的宽度为常规场氧厚度的0.5～0.7，深沟槽(7)的宽度等于侧壁(8)的宽度加0.5～2.0μm；第4步，对整个硅片进行场氧化形成常规场氧(9)，并完全消耗侧壁(8)，深沟槽(7)的宽度在0.5μm以上；第5步，淀积非掺杂的多晶硅(10)，回刻去除氮化硅层(5)上方及氮化硅层(5)之间的多晶硅，并使深沟槽(7)中多晶硅的高度低于非场氧区硅基板的高度，多晶硅(10)与非场氧区硅基板之间的高度差为800～2000埃；第6步，进...
【技术特征摘要】
1.一种RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 第I步，在P型硅衬底⑴上生长P型外延⑵； 第2步，在P型外延(2)上生长一层氧化硅热氧层(3)，在氧化硅热氧层(3)上淀积一氮化硅层(4)，在氮化硅层(4)上再淀积一氧化硅层(5)，所述氧化硅热氧层(3)、氮化硅层(4)和氧化硅层(5)的厚度依次增加，形成ONO叠层；对ONO叠层进行光刻和干刻，打开场氧形成处的ONO叠层； 第3步，进行光刻和干刻，间隔地打开ONO叠层，并在打开区域刻蚀深沟槽(7)，干刻去除ONO叠层中顶部的氧化硅层(5);所述相邻深沟槽(7)之间为侧壁(8)，所述侧壁(8)的宽度为常规场氧厚度的0.5 0.7，深沟槽(7)的宽度等于侧壁(8)的宽度加0.5 2.0 μ m ; 第4步，对整个硅片进行场氧化形成常规场氧(9)，并完全消耗侧壁(8)，深沟槽(7)的宽度在0.5μπι以上； 第5步，淀积非掺杂的多晶硅(10)，回刻去除氮化硅层(5)上方及氮化硅层(5)之间的多晶硅，并使深沟槽(7)中多晶硅的高度低于非场氧区硅基板的高度，多晶硅(10)与非场氧区硅基板之间的高度差为800 2000埃； 第6步，进行二次热氧化，在多晶硅(10)上方形成多晶硅再氧化层(11)，所述多晶硅再氧化层(11)与常规场氧(9)齐平； 第7步，去除氮化硅层(4)和氧化硅热氧层(3)。2.根据权利要求1所述的RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，第I步中，所述P型硅衬底(I)为重掺杂，掺杂浓度在102°cm...
【专利技术属性】
技术研发人员：周正良，遇寒，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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