【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
,特别涉及一种。
技术介绍
随着对超大规模集成电路高集成度和高性能的需求逐渐增加,半导体技术向着32nm甚至更小特征尺寸的技术节点发展,因此对光刻工艺的要求也越来越高。在集成电路芯片的制造过程中,显影机中的冷热板装置起到了消除驻波效应(standing rave),稳定关键尺寸(⑶)的图形的重要作用,在DUV光阻曝光中冷热板还为光酸扩散作用提供化学反应所需的能量,起到定义图形的作用。附图说明图1-图2为传统制造流程中冷热板装置的工艺示意图,表I为该流程的工艺参数。如图1所示,涂布有光阻的晶片在曝光机进行曝光后,被送入冷热板装置,先进入其中的热板20,控温加热规定的时间后(如步骤STEP1),将晶片从热板20中移出,并进入冷板10进行冷却(如步骤STEP2),冷却规定的时间后,从冷热板装置中移出,如图2所示,进入显影前的冷板(图中未示出)进行下一次冷却已确保达到显影所需的温度,然后进行显影。表I
【技术保护点】
一种冷热板装置,其特征在于,包括:依次设置在工艺腔室内的冷板和热板,以及在冷板和热板之间传递晶片的承载板,所述冷板内设有控温装置。
【技术特征摘要】
1.一种冷热板装置,其特征在于,包括:依次设置在工艺腔室内的冷板和热板,以及在冷板和热板之间传递晶片的承载板,所述冷板内设有控温装置。2.根据权利要求1所述冷热板装置,其特征在于,所述控温装置为PN二极体,位于冷板的晶片承载位置之下。3.根据权利要求2所述冷热板装置,其特征在于,所述PN二极体设置规定温度,当晶片到达规定温度后,停止冷却。4.根据权利要求2所述冷热板装置,其特征在于,所述PN二极体设置规定时间,当晶片在冷板内到达规定时间后,停止冷却。5.根据权利要求1所述冷热板装置,其特征在于,所述冷板内还设有温度检测模块,也位于冷板的晶片承载位置之下。6.一种如权利要求1-5任一项所述冷热板装置的控温方法,其特征在于,包括以...
【专利技术属性】
技术研发人员:史云涛,
申请(专利权)人:和舰科技苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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