多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构及其制备方法技术

技术编号:8773928 阅读:268 留言:0更新日期:2013-06-08 17:18
本发明专利技术公开一种多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构,包括:置于坩埚基底上的第一涂层,和置于该第一涂层上的第二涂层;所述第一涂层通过涂覆第一涂层组合物形成,所述第一涂层组合物由基于第一涂层组合物总重量的70-80%的溶剂和20-30%的粘结剂组成;所述第二涂层通过涂覆第二涂层组合物形成,所述第二涂层组合物含有基于第二涂层组合物总重量的14-20%的氮化硅、60-70%的溶剂和14-20%的粘结剂,且所述溶剂选自水或醇;所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或硅溶胶。本发明专利技术也公开了该涂层结构的制备方法。该涂层结构在多晶硅的生产过程中,作为坩埚脱模涂层,可直接涂覆使用,免除涂层烧结热处理的步骤,减少生产环节,极大地降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构,包括:置于坩埚基底上的第一涂层,和置于该第一涂层上的第二涂层;所述第一涂层通过涂覆第一涂层组合物形成,所述第一涂层组合物由基于第一涂层组合物总重量的70?80%的溶剂和20?30%的粘结剂组成;所述第二涂层通过涂覆第二涂层组合物形成,所述第二涂层组合物含有基于第二涂层组合物总重量的14?20%的氮化硅、60?70%的溶剂和14?20%的粘结剂,且所述溶剂选自水或醇;所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或硅溶胶。第二涂层组合物中氮化硅和粘结剂的下限高了

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄春来薛抗美游达
申请(专利权)人:江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:

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