4H-SiC基中子探测器用BC4转换薄膜制备工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的BC4转换膜制备方法，主要包含以下步骤：将4H-SiC基体分别浸没于丙酮、酒精中进行超声波清洗；采用偏压反溅射清洗去除4H-SiC基体中杂质，预溅射清洗去除BC4靶材表面杂质；以BC4靶作为磁控靶在4H-SiC基体上沉积BC4涂层；溅射清洗和溅射沉积均以氩气为起辉气体；反应磁控溅射镀膜真空炉内真空度调整至不低于10-3Pa自然冷却后出炉，即得到在4H-SiC基体上沉积的BC4转换膜。采用本发明专利技术获得的BC4转换膜厚度精确可控、耐辐照损伤、耐高温、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明专利技术制备的BC4转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种4H?SiC基半导体中子探测器用的?BC4转换膜制备方法，其特征在于主要包含以下步骤：a、将作为衬底材料的单晶4H?SiC基体分别浸没于丙酮、无水乙醇中进行超声波清洗，充分清洗后取出干燥待用；?b、将步骤a清洗后的单晶4H?SiC基体和作为磁控靶的BC4靶材置入反应磁控溅射镀膜真空炉内，采用偏压反溅射清洗去除单晶4H?SiC基体表面杂质，采用预溅射清洗去除BC4靶材表面的杂质，偏压反溅射清洗和预溅射清洗起辉气体均为氩气，所述氩气的流量为150~200?Sccm，偏压反溅射清洗和预溅射清洗操作真空度为绝对压强1.0~3.0?Pa；c、在反应磁控溅射镀膜真空炉内，以步骤b预溅射清洗处理后的BC4靶材作为磁控靶，在步骤b偏压反溅射清洗处理后的单晶4H?SiC基体上采用磁控溅射沉积BC4涂层，磁控溅射沉积BC4涂层起辉气体为氩气，氩气流量为150~250?Sccm，磁控溅射沉积操作真空度为绝对压强0.40~0.50?Pa；?d、单晶4H?SiC基体磁控溅射沉积BC4涂层至设计厚度，关闭磁控BC4靶，关闭起辉气体氩气，使反应磁控溅射镀膜真空炉内的真空度调整至不低于10?3Pa自然冷却后出炉，即得到4H?SiC基中子探测器用BC4转换薄膜。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，蒋勇，张彦坡，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：