一种用于MOCVD设备的进料设备制造技术

技术编号:8750455 阅读:211 留言:0更新日期:2013-05-30 06:09
本实用新型专利技术公开了一种用于MOCVD设备的进料设备,包括进料筒、操作室和中转室,其中,所述的进料筒采用卧式柱体,前端设有进料门,侧面通过一出料门与操作室相通;所述的操作室为一密封的箱体,其正面上半部安装透明的有机玻璃,下半部安装一双与箱体密封,用于操作的长手套,其内安装有可转动的载物盘;所述的中转室为立式柱体,其与操作室和反应室之间设置有用于隔离的闸板阀。本实用新型专利技术进料设备具有独立、密封性优良的净化系统,满足各种基片的工艺需求。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及制备制化合物半导体材料的技术,尤其涉及一种用于MOCVD设备的进料设备
技术介绍
MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)设备是当代用于制备化合物半导体材料的最佳工艺装备。由于它在制备各种薄膜晶体材料中具有独到的优势,使新型微波,毫米波器件及先进的微电子、光电子器件的设计和制造由传统的“掺杂工程”发展到了 “能带工程”和“电子特性与光学特性裁剪”的新时代,极大地推动了微波、亳米波器件及微电子、光电子器件的飞速发展。正因为如此,全世界电子
都争相应用、开发。MOCVD的技术价值确实诱人,但其要求也的确非常高精。以最不引人注意的部位为:工艺中使用的金属有机源及相关气源,其纯度均在6N (即99.9999%)以上。综合说这是反应室内,其实反应室外的非工艺状况下,基片盒的开启、基片的取出、放置、传输及工艺片的提取、装盒、取出、传输,其要求也近乎苛刻。主要表现在以下几个方面:①抗尘埃粒子的净化级别要达0.1级以上;因为MOCVD工艺所制备的都是薄层、超薄层低维半导体材料,所以哪怕是在基片或工艺片上落一颗0.1UM这样小的尘埃,都如一座小山压顶,无法容忍;然而我们又不可能将设备所在的净化间做成0.1级这样高的要求,除了造价十分昂贵外,目前我们的技术水准也难于达到。②抛开尘埃粒子外,空气本身就是污染源。空气中成分复杂,氧和水是比较典型的污染源。例如=GaAs基片在空气中会迅氧化,而这是MOCVD淀积工艺所不允许的。而且一旦发生,该氧化层去除极为困难;Inp基片易快速吸收空气中的水分,要去除也非常麻烦。GaN基片就更娇气,连在装载中其表面偶尔吸附了一点点空气,都要尽力去除。③反应室内的残气也决不允许泄到设备外。因为参与反应的金属烷遇水或燃烧时,将发生爆炸,一旦泄漏造成局部积累,将造成严重后果。对人的危害更大的则是某些氢化物,例如ph3,人体吸入量必须< 0.3ppm, AsH3的人体允许吸入量< 0.05ppm,若ph3的含量到IOOppm或AsH3达6 !11,几小时就使人至死。因此,严格控制这些化合物的外泄,哪怕是极微量的反应残气,都十分重要,细小的疏忽都可能造成灾难性的后果。目前,国产MOCVD设备涉及的进料结构存在以下不足和缺陷:1、有的国产设备没有独立的进料结构,直接对反应室进行放片取片的操作,即使后续对反应室处进行了改造,也很难保证洁净度造成交叉污染;2、有的国产设备即使有进料结构,但密封性能差,净化处理效果不好,将造成交叉污染;3、进料机构的功能不完备,工业化生产能力欠缺;4、进料机构的自动化程度不高,尤其是向反应室自动进出片功能
技术实现思路
本技术的目的是针对上述现有技术存在的缺陷,提供一种用于MOCVD设备的进料设备。本技术采用以下技术方案是,设计一种用于MOCVD设备的进料设备,包括进料筒、操作室和中转室,其中:所述的进料筒采用卧式柱体,其后端密封,前端设有进料门,侧面通过一出料门与操作室相通,进料筒内设有托物盘;所述的操作室为一密封的箱体,其正面上半部安装透明的有机玻璃,下半部安装一双与箱体密封,用于操作的长手套,其内安装有可转动的载物盘;所述的中转室为立式柱体,其与操作室之间设置有用于隔离的闸板阀,在靠操作室一侧的后部,设有载片盘暂存区,所述的中转室内装有机械手,用于从操作室将载片盘送到反应室,或从操作室将载片盘送到所述的载片盘存放区。在一较佳实施例中,所述的进料筒与一螺旋真空泵和高纯度N2气入口相连接。所述的操作室设有氮气保护装置、真空吸笔、N2气露点仪和N2吹扫器。所述的操作室安装有氮气再生循环系统。所述的操作室内安装有保持操作室正压的压力保护装置。所述的中转室设有高纯度的N2进出口。与现有技术相比,本技术对空气具有以下有益效果:1、进料设备具有独立、密封性优良的净化系统;2、进料设备的功能,和自动化程度,满足工业化生产的需要;3、进料设备进行标准化、通用化配置,满足各种基片的工艺需求。附图说明图1为本技术的结构主视图;图2为本技术的结构俯视图。具体实施方式以下结合附图和实施例对技术进行详细的说明。如图1和图2所示,本技术提出的用于MOCVD设备的进料设备包括:进料筒1、操作室2和中转室3。进料筒I为一卧式柱体,有两个通道,正面前端设有进料门11,直接与操作人员相对,侧边设有与操作室相通的密封出料门12。进料筒筒体与一螺旋泵相接,可以将筒体抽成高真空,使进入的基片,辅料、工具都能除尽空气。进料筒还配有高纯N2气入口。操作室2为一密封优良的箱体结构。其正面上半部安装有机玻璃21,操作者可清楚地观察其内部各个方位。下半部安装有一双与箱体密封的长手套22,操作者可戴上手套,完成灵活的操作,如装片、取片,开启装片盒,必要的内部维修等等。操作2内还安装有可转动的载物盘23及真空吸笔24,方便装片、取片,而且不损伤基片或工艺片。操作室内还装有N2气露点仪和N2吹扫器,N2气露点仪用于检测室内的N2气氛达到的浓度,吹扫器用于吹扫某些死角残存的空气。操作室采用N2赶气达到N2的气氛浓度,为节省N2还可以配置N2气过滤器,氮气再生循环系统25。在操作室内部的一个角落处,设置了储存间,存放片盒、空盒、辅料、工具等,不碍事,也降低了进料筒开启频率,尽量减少空气卷入的机会。中转室3为一立式柱体,其与操作室和反应室之间设置有闸板阀31进行隔离。在靠操作室一侧的后部,配有载片盘暂存区,成为操作室与反应室之间载片盘的周转站。中转室内装有机械手,完成从操作室将载片盘送到反应室(或载片盘存放区)准确工位上,反之亦然。整个操作过程由计算机控制精确完成。这不光是自动化和提高产能,更重要的是保证了操作人员的安全。因为反应内通常是高温和有毒的。中转室也与一螺旋泵相连,并配了高纯N2的进口和出口,泵排出的气体送到反应室气体的排出通道,要作专门处理才能排放。本技术用于MOCVD的进料机构,满足了所有各种类型基片(GaAs、GaN, Inp、ZnO等)的工艺要求,具有通用性。尤其是对于抗污染、防毒性均具有很好的适用性。实践证明,只要加工合格,安装到位,整个密封性要求都优于设计指标。贴合工序要求的设计布局(如操作室内的存放区、中转室内的周转站),加上机械手操作的自动化,为实现工业化生产提供高效、安全、可靠、便利的条件。权利要求1.一种用于MOCVD设备的进料设备,包括进料筒(I)、操作室(2 )和中转室(3 ),其特征在于: 所述的进料筒(I)采用卧式柱体,其后端密封,前端设有进料门(11 ),侧面通过一密封的出料门(12)与操作室(2)相通,进料筒内设有托物盘(13); 所述的操作室(2)为一密封的箱体,其正面上半部安装透明的有机玻璃(21),下半部安装一双与箱体密封,用于操作的长手套(22 ),其内安装有可转动的载物盘(23 ); 所述的中转室(3)为立式柱体,其与操作室和反应室之间设置有用于隔离的闸板阀(31),在靠操作室一侧的后部,设有载片盘暂存区,所述的中转室内装有机械手。2.如权利要求1所述的进料设备,其特征在于:所述的进料筒(I)与一螺旋真空泵相连接。3.如权利要求1所述的进料设备本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种用于MOCVD设备的进料设备,包括进料筒(1)、操作室(2)和中转室(3),其特征在于:所述的进料筒(1)采用卧式柱体,其后端密封,前端设有进料门(11),侧面通过一密封的出料门(12)与操作室(2)相通,进料筒内设有托物盘(13);所述的操作室(2)为一密封的箱体,其正面上半部安装透明的有机玻璃(21),下半部安装一双与箱体密封,用于操作的长手套(22),其内安装有可转动的载物盘(23);所述的中转室(3)为立式柱体,其与操作室和反应室之间设置有用于隔离的闸板阀(31),在靠操作室一侧的后部,设有载片盘暂存区,所述的中转室内装有机械手。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈文兵刘典邓金生肖四哲王钢范冰丰童存声
申请(专利权)人:深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司佛山市中山大学研究院
类型:实用新型
国别省市:

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