本实用新型专利技术提供一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置,所述清洗装置至少包括:用于放置刻蚀盘的盘体,其具有光滑盘面且边缘具有缺口;设置在所述光滑盘面边缘的阻挡件以及支撑所述盘体的支撑件。采用本实用新型专利技术提供的清洗装置来清洗刻蚀盘,可以保证刻蚀盘在清洗的过程中不被碰碎、压碎,从而大大提高作业效率,有效降低制造成本。且本实用新型专利技术的清洗装置结构简单,使用方便,适用于工业生产过程。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
,特别是涉及一种用于清洗干法刻蚀工艺中刻蚀盘的清洗装置。
技术介绍
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点,在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明,引起人类照明史的革命,从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。为了获得高亮度的LED,关键要提高器件的内量子效率和外量子效率。目前,芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素,其主要原因是外延材料、衬底材料以及空气之间的折射率差别较大,导致有源区产生的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导出芯片。目前主流的技术路线是用图形化衬底来生长外延,此种技术可以缓解衬底和氮化物外延层异质外延生长中由于晶格失配引起的应力,减小GaN基外延层穿透位错的密度,提高外延晶体质量,降低半导体发光材料的非辐射复合中心,增强辐射复合,以提高芯片亮度。目前这种图形衬底的制作方法是先用光刻胶在蓝宝石衬底上做周期性排列的小图形,再利用ICP (增强耦合等离子体)干法刻蚀技术将此光刻胶图形转移到蓝宝石衬底上,而这种干法刻蚀技术在刻蚀的过程中对衬底的冷却至关重要,否则光刻胶图形会因刻蚀的过程中产生的高温而变形,进而无法保证图形的有效转移。如图1,目前ICP刻蚀对衬底的冷却方法是采用铝盘5加石英盘4,通过He冷通道6直接将He冷通入到蓝宝石衬底底部对蓝宝石进行冷却,这种方法能有效地冷却衬底,能保证图形的有效转移,但是利用这种方法在刻蚀工艺完成后,石英盘4会有很多残留物,为了保证工艺的稳定性,需要将石英盘4清洗干净,而石英盘4很脆,价格又高,在用刷子刷洗的时候很容易将其碰碎、压碎,所以清洗时需要格外小心。因此,制作一种用于清洗干法刻蚀工艺中刻蚀盘的清洗装置实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本技术的目的在于提供一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置,用于解决现有技术中清洗刻蚀盘时容易把刻蚀盘碰碎、压碎的问题。为实现上述目的及其他相关目的,本技术提供一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置,所述用于清洗刻蚀盘的清洗装置至少包括:用于放置刻蚀盘的盘体,其具有光滑盘面且边缘具有第一缺口 ;设置在所述光滑盘体边缘的阻挡件;以及支撑所述盘体的支撑件。优选地,所述第一缺口包括处在所述光滑盘面同一直径上的两个方形缺口。优选地,所述阻挡件包括凸起环,该凸起环具有排水口和与所述缺口贯通的第二缺口。进一步地,所述阻挡件的高度比所述刻蚀盘的高度低0.3mm。优选地,所述盘体的内径比所述刻蚀盘的直径大5mm。[0011 ] 优选地,所述盘体的材料为PVC。优选地,所述支撑件包括底座及连接底座及盘体的支撑梁。较佳的,所述底座呈方形。进一步地,所述支撑梁的形状为圆柱形。如上所述,本技术的用于清洗刻蚀盘的清洗装置,具有以下有益效果:可以保证刻蚀盘在清洗的过程中不被碰碎、压碎,从而大大提高作业效率,有效降低制造成本。且本技术的清洗装置结构简单,使用方便,适用于工业生产过程。附图说明图1显示为现有干法刻蚀工艺中的冷却装置示意图。图2显示为本技术的用于清洗刻蚀盘的清洗装置的侧视图。图3显示为本技术的用于清洗刻蚀盘的清洗装置的俯视图。图4显示为本技术的用于清洗刻蚀盘的清洗装置的整体外观图。元件标号说明 1盘体 11盘面 12第一缺口 2阻挡件 21排水口 22第二缺口 3支撑件 31底座 32支撑梁 4石英盘 5铝盘 6He冷通道具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图2至图4。需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想,遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。如图所示,本技术提供一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置。所述用于清洗刻蚀盘的清洗装置至少包括:盘体1、阻挡件2、及支撑件3。所述盘体I用于放置需要清洗的刻蚀盘,该盘体I具有光滑盘面11并且边缘具有第一缺口 12。优选地,所述第一缺口 12作为刻蚀盘取放缺口,便于刻蚀盘的放置和清洗后取出。更为优选地,所述第一缺口 12包括处在所述光滑盘面11同一直径上的两个缺口,其形状不限,优选地,包括但不限于方形、弧形等等。例如,如图3所示,所述光滑盘面11左右两个缺口即为刻蚀盘取放缺口,其呈方形,宽度为20mm作为一种优选的实施方式,所述盘体I的内径比所述刻蚀盘的直径大,如图2所示,所述盘体I的内径比所述刻蚀盘的直径大5mm。所述盘体I的材料包括但不限于PVC、有机玻璃及特氟龙等等,优选地,本实施例盘体I的材料为PVC,且要求盘面11光滑平整、无毛刺,以免刮伤、划伤刻蚀盘。此外,所述刻蚀盘的材料不限,包括石英盘、铝盘、铝钛合金盘及锡钛合金盘等等。在本实施例中,刻蚀盘优选为石英盘。所述阻挡件2设置在所述盘体I的边缘,用于阻挡刻蚀盘由盘面11滑出。作为一种优选的结构,所述阻挡件2包括凸起环,该凸起环具有排水口 21和与所述刻蚀盘取放缺口贯通的第二缺口 22。本实施例中,排水口 21包括位于凸起环同一直径上的两个开口,该开口的形状包括但不限于方形、弧形等等。需要说明的是,本技术提供的清洗装置的排水方式不仅仅限于凸起环上的排水口 21,例如,还可以包括设置在光滑盘面上的网眼状孔体等。优选地,所述阻挡件2的高度比所述刻蚀盘的高度低,以方便刻蚀盘的刷洗。本实施例中,所述阻挡件2的高度比所述刻蚀盘的高度低0.3_。所述支撑件3用于支撑所述的盘体I。支撑件3包括底座31和支撑梁32。其中,所述支撑梁32用于连接底座31及盘体1,支撑梁32的形状不限,优选地,包括圆柱形、长方体等等。所述底座31的形状不限于方形,还包括圆形、三角形等等。例如,如图所示,支撑梁呈圆柱形,其直径为20mm ;底座呈方形,边长尺寸为290mmo本技术提供的清洗装置在实际工艺中的实施步骤至少包括以下:首先,用PVC材料按照所述的结构及尺寸制作成如图2和3所示的清洗装置。然后,用刻蚀盘夹持器夹持住刻蚀盘的两端,再通过盘体I同一直径上的两个方形缺口将刻蚀盘轻轻地放置在清洗装置的光滑盘面11上,盘面11边缘的凸起环将刻蚀盘阻挡住,使刻蚀盘在清洗的过程中不会从光滑盘面11上掉落摔碎。最后,用专用刷子将刻蚀盘刷洗,直至达到工艺洁净要求。综上所述,本技术提供一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置,该装置通过光滑盘体上设置的阻挡件,可以保证刻蚀盘在清洗的过程中不被碰碎、压碎,也不会从盘体上摔落,从而大大提高作业效率,有效降低制造成本。且本技术的清洗装置结构简单,使用方便,适用于工业生产过程。所以,本技术有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。上述实施例仅例示性说明本技术的原理及其功效,而非用于限制本技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本技术的精神及范畴下,对上述实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置至少包括:用于放置刻蚀盘的盘体,其具有光滑盘面且边缘具有第一缺口;设置在所述盘体边缘的阻挡件以及支撑所述盘体的支撑件。
【技术特征摘要】
1.一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置,其特征在于,所述清洗装置至少包括: 用于放置刻蚀盘的盘体,其具有光滑盘面且边缘具有第一缺口 ; 设置在所述盘体边缘的阻挡件以及支撑所述盘体的支撑件。2.根据权利要求1所述的用于清洗刻蚀盘的清洗装置,其特征在于:所述阻挡件包括凸起环,其具有排水口和与所述缺口贯通的第二缺口。3.根据权利要求1所述的用于清洗刻蚀盘的清洗装置,其特征在于:所述支撑件包括底座及连接底座及盘体的支撑梁。4.根据权利要求1所述的用于清洗刻蚀盘的清洗装置,其特征在于:所述盘体的内径比所述刻蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员:袁根如,常建军,陶淳,郝茂盛,张楠,
申请(专利权)人:上海蓝光科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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