光电装置制造方法及图纸

技术编号:8745961 阅读:162 留言:0更新日期:2013-05-30 01:23
本发明专利技术提供用于电子装置,优选用于光电装置的电流阻断结构。所述电流阻断结构包括:半导体材料布置,其包括n型掺钌磷化铟(Ru-InP)层;以及第一p型半导体材料层,其中所述n型Ru-InP层的厚度小于0.6微米。所述半导体材料布置以及所述p型半导体材料层形成电流阻断p-n结。所述电流阻断结构可更包括其他n型层和/或多个n型Ru-InP层和/或本征/未经掺杂层,其中所述n型Ru-InP层的厚度大于0.6微米。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:萨克吉班·杜三治伊恩·里阿尔曼格登·本治迈克尔·罗伯逊
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:
国别省市:

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