Ge-Sb-Te 膜的成膜方法和存储介质技术

一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法，在处理容器内配置基板，将气态的Ge原料、气态的Sb原料和气态的Te原料导入到上述处理容器内通过CVD在基板上形成成为Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜，其具有如下工序：将气态的Ge原料和气态的Sb原料、或在它们基础上还将不形成Ge2Sb2Te5程度的少量的气态的Te原料导入上述处理容器内，在基板上形成不含Te或含有与Ge2Sb2Te5相比少量的Te的前体膜的工序（工序2）以及将气态的Te原料导入处理容器内，使Te吸附在前体膜上，调整膜中的Te浓度的工序（工序3）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野有美子，有马进，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
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