功率半导体器件驱动电路制造技术

技术编号:8745081 阅读:161 留言:0更新日期:2013-05-29 22:40
一种功率半导体器件驱动电路包括栅极控制端子(5),所述栅极控制端子(5)被设置在与功率半导体器件(1)的漏极端子(1b)间隔开一预定距离的位置处,以使得生成浪涌时在所述漏极端子(1b)和所述栅极控制端子(5)之间生成放电。由于该放电的原因,浪涌电压被施加至所述栅极控制端子(5),所述功率半导体器件(1)的栅极被充电以导通并且吸收浪涌能量。因此,变得能够抑制施加至所述漏极端子(1b)的所述浪涌电压并且放置所述功率半导体器件(1)的击穿。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种功率半导体器件驱动电路,包括:由半导体开关器件形成的功率半导体器件(1),其基于施加至栅极端子(1a)的栅极电压来控制供应至第一端子(1b)和第二端子(1c)的电流,所述第一端子(1b)和所述第二端子(1c)是高侧端子和低侧端子;以及栅极驱动电路(4),用于控制施加至所述功率半导体器件(1)的所述栅极端子(1a)的所述栅极电压,其特征在于还包括:放电端子(5,40),其被设置在与所述第一端子(1b)间隔开一预定距离的位置处,以在所述第一端子处的电压通过生成浪涌而升高并且到达电介质击穿电压时引发所述第一端子(1b)和所述放电端子(5,40)之间的放电;以及栅极充电电路(6,10,14),其基于所述第一端子(1b)和所述放电端子(5,40)之间的所述放电对所述功率半导体器件(1)的栅极进行充电来导通所述功率半导体器件(1),并且通过在所述第一端子(1b)和所述第二端子(1c)之间流动的电流来降低所述第一端子(1b)的所述电压。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:小林敦高须久志
申请(专利权)人:株式会社电装
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1