一种半导体激光器制造技术

技术编号:8744958 阅读:156 留言:0更新日期:2013-05-29 22:31
本发明专利技术公开了一种半导体激光器,包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层,所述上波导层和所述下波导层均为铝镓铟磷材料,激射波长在630nm~640nm,且所述上波导层的材料组分为Alx1Gay1In0.49P,所述下波导层的材料组分为Alx2Gay2In0.49P,其中x1>x2,y1

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体激光器,其特征在于,包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层、过渡层以及电极接触层,所述上波导层和所述下波导层均为铝镓铟磷材料,且所述上波导层的材料组分为Alx1Gay1In0.49P,所述下波导层的材料组分为Alx2Gay2In0.49P,其中x1>x2,y1

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王军营
申请(专利权)人:西安卓铭光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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