【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种氮化物半导体晶片，其特征在于，在外周部具有倒角部，在外周部的倒角部残留有作为晶体结构变形的层的加工变性层，所残留的所述加工变性层的厚度为0.5μm～10μm，所述外周部的倒角部的金属量为0.1at%～5at%，并且表面为镜面。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：石桥惠二，三上英则，松本直树，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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