多芯片集成E波段发射模块制造技术

本发明专利技术公开了一种多芯片集成E波段发射模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置中频低通滤波电路、本振电路及上变频电路；中频输入端采用标准SMA接头，本振输入端为标准波导法兰结构，射频输出端为标准波导法兰结构。该模块中波导与微带电路之间的信号耦合通过过渡结构实现，低损耗基片电路及各功能砷化镓芯片通过金丝键合实现电气连接。本发明专利技术基于多芯片集成技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多芯片集成E波段发射模块，包括外部封装盒体，外部封装盒体包括金属上基座（61）和金属下基座（62）；其特征在于，金属上基座（61）和金属下基座（62）形成的腔体内设置有电路，所述电路包括SMA到微带过渡（1）和中频低通滤波电路（2）、本振电路以及上变频电路；其中将SMA到微带过渡（1）和中频低通滤波电路（2）简称为第一电路；所述本振电路包括本振放大芯片（4）、微带耦合传输线（41）、微带波导过渡结构（42）、键合金丝及第一直流偏置电路（71）和第二直流偏置电路（72）；所述上变频电路包括微带波导过渡结构（42）、驱动放大芯片（5）、上混频芯片（3）、键合金丝及第三直流偏置电路（73）和第四直流偏置电路（74）；所述第一电路的输出端分别连接本振电路的输入端和上变频电路的输入端；所述金属下基座（62）底部腔体（8）内设有直流电源电路板（81），所述直流电源电路（81）与第一直流偏置电路（71）和第二直流偏置电路（72）分别通过直流绝缘子相连；直流电源电路（81）和第三直流偏置电路（73）通过直流绝缘子相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨非，王宗新，孟洪福，崔铁军，孙忠良，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：