像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种像素电极上钝化层的制作方法、液晶显示器及其制作方法。所述像素电极上钝化层的制作方法包括：在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，第一功率小于第二功率；第一流量小于第二流量；第一厚度小于第二厚度，从而使得第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层均较为致密，进而使得在钝化层内形成过孔的过程中，不会出现底切，保证了顶层电极与像素电极之间的良好电接触，解决了由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高TFT产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
如图1-图3所示，TFT产品的制作过程中，在像素ITO薄膜01完成之后，需要先利用化学气相沉积设备，在所述像素ITO薄膜01表面形成钝化层02 ;再利用干法刻蚀在所述钝化层02内形成过孔03 ;最后在所述钝化层02表面形成顶层IT004 ;其中，所述顶层IT004与所述像素ITO薄膜01电连接。但是，传统TFT产品的制作工艺里，在形成过孔03的过程中，会在所述钝化层02的内的过孔03处形成底切，又称逆角或倒角，造成顶层IT004与像素ITO薄膜01之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示，降低TFT产品的良率。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种液晶显示器及其像素电极上钝化层的制作方法，以解决由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高TFT产品的良率。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案:一种像素电极上钝化层的制作方法，包括:在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。优选的，第一功率为第二功率的50%。优选的，第一流量为第二流量的20%_40%，包括端点值。优选的，所述第一厚度为第二厚度的10%_15%，包括端点值。优选的，所述第一厚度的范围为丨00人-200人，包括端点值。 优选的，所述钝化层为氮化硅层。优选的，所述钝化层制作过程中的工艺气体包括SiH4和NH3。一种液晶显示器的制作方法，包括:采用上述任一项制作方法，在像素电极表面依次形成第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；在所述钝化层内形成过孔，所述过孔完全贯穿所述第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；在具有过孔的钝化层表面形成顶层电极。一种上述制作方法制作的液晶显示器。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点:本专利技术实施例所提供的技术方案，采用先在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；再在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层的方法，来完成像素电极表面钝化层的制作，其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。由于第一厚度的钝化层制作过程中的功率和气体流量较小，其H+自由基的浓度较低，对像素电极中氧的俘获能力较弱，从而使得所述第一厚度的钝化层的制作过程中H+的损失减少，制作的钝化层较为致密，且第一厚度的钝化层阻断了后续第二厚度的钝化层制作过程中H+自由基与像素电极的接触，+使得第二厚度的钝化层制作过程中H+不会损失，形成的第二厚度的钝化层也较为致密，进而使得在所述钝化层内形成过孔的过程中，不会出现底切，保证了位于所述钝化层表面的顶层电极与像素电极之间的良好电接触，解决了由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高TFT产品的良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1-3为现有技术中TFT产品制作工艺里，像素电极上钝化层的制作方法的剖面结构示意图；图4-6为本专利技术实施例所提供的液晶显示器的制作方法的剖面结构示意图。具体实施例方式正如
技术介绍
部分所述，如图3所示，传统TFT产品的制作工艺里，在形成过孔03的过程中，会在所述钝化层02内的过孔03处形成底切，造成顶层IT004与像素ITO薄膜01之间接触跨断，导致TFT产品显示异常或无法显示，降低TFT产品的良率。专利技术人研究发现，这主要是由于在形成钝化层02的过程中，需要工艺气体SiH4、NH3在高频RF电源的作用下电离，从而产生浓度非常高的H+自由基，而高浓度的H+自由基又可俘获像素ITO薄膜01中的氧，从而使得H+减少，导致刚开始形成的氮化硅钝化层02非常疏松，进而导致在利用干法刻蚀在所述钝化层02内形成过孔03的过程中，钝化层02底部的刻蚀速率加快，大于所述钝化层02中部的刻蚀速率，形成底切，使得在所述钝化层02表面形成顶层IT004后，顶层IT004与像素ITO薄膜01之间接触跨断，导致TFT产品显示异常或无法显示，降低TFT产品的良率。基于上述研究的基础上，本专利技术实施例提供了一种像素电极上钝化层的制作方法，该方法包括以下步骤:在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。本专利技术还提供了一种液晶显示器及其制作方法，其中，所述液晶显示器的制作方法包括:采用上述制作方法，在像素电极表面依次形成第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；在所述钝化层内形成过孔，所述过孔完全贯穿所述第一厚度的钝化层和第二厚度的钝化层；在具有过孔的钝化层表面形成顶层电极。本专利技术实施例所提供的技术方案，采用两步法，即先在较低的第一功率下，利用较低的第一流量的工艺气体，在所述像素电极表面形成较薄的第一厚度的钝化层，然后再使用较高的第二功率和较高的第二流量的工艺气体，即现有技术中的常用工艺，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层的方法，来完成所述像素电极表面钝化层的制作。由于第一厚度的钝化层制作过程中的功率和气体流量较小，其H+自由基的浓度较低，对像素电极中氧的俘获能力较弱，从而使得所述第一厚度的钝化层的制作过程H+的损失减少，制作的钝化层较为致密，且第一厚度的钝化层阻断了后续第二厚度的钝化层制作过程中H+自由基与像素电极的接触，使得第二厚度的钝化层制作过程中H+不会损失，形成的第二厚度的钝化层也较为致密，进而使得在所述钝化层内形成过孔的过程中，不会出现底切，保证了位于所述钝化层表面的顶层电极与像素电极之间的良好电接触，解决了由于顶层ITO与像素ITO薄膜之间接触跨断，导致该TFT产品显示异常或无法显示的问题，提高了 TFT产品的良率。以上是本申请的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电极上钝化层的制作方法，其特征在于，包括：在第一功率下，利用第一流量的工艺气体，在像素电极表面形成第一厚度的钝化层；在第二功率下，利用第二流量的工艺气体，在所述第一厚度的钝化层表面形成第二厚度的钝化层；其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮文中，陈建荣，任思雨，于春崎，胡君文，何基强，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：