MOS器件闩锁效应的监测结构制造技术

本发明专利技术公开了一种MOS器件闩锁效应的监测结构，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域；所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱，每个N阱中分别形成有一对有源区，每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有一对有源区，每对有源区由一N+有源区和一P+有源区组成，各个N阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧，P阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧。本发明专利技术的MOS器件闩锁效应的监测结构，能定量的给出实际的MOS器件输入输出区域到内部电路安全距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体测试技术，特别涉及MOS器件闩锁效应的监测结构。
技术介绍
随着半导体工艺的发展，芯片面积越做越小，这使得MOS器件闩锁效应越容易发生。设计一个尽可能小的距离来减小MOS器件芯片面积，同时又要确保此距离MOS器件不易发生闩锁效应足够安全已成为业界一个难题。传统的MOS器件闩锁效应监测结构如图1、图2所示。图1所示的MOS器件闩锁效应监测结构，包括相邻的一个N阱、一个P讲，所述N阱位于所述P阱的左边，所述N阱中左部形成有N+有源区，右部形成有P+有源区，所述P阱中左部形成有N+有源区，右部形成有P+有源区，所述N阱中的P+有源区到所述P阱中的N+有源区的距离为A，所述P阱中的N+有源区同P+有源区间的距离为B。测试时，所述N阱中的N+有源区接电源，P+有源区接灌电流，所述P阱中的N+有源区、P+有源区均接地，改变灌电流大小，使电源与地之间的闩锁结构被触发(通过电源与地之间电压电流等数值变化判断)，从而确定各种工艺平台制造的各种A、B的闩锁效应监测结构的触发灌电流大小。图2所示的MOS器件闩锁效应监测结构，包括相邻的一个P阱、一个N阱，所述P阱位于所述N阱的左边，所述P阱中左部形成有P+有源区，右部形成有N+有源区，所述N阱中左部形成有P+有源区，右部形成有N+有源区，所述P阱中的N+有源区到所述N阱中的P+有源区的距离为A，所述N阱中的P+有源区同N+有源区间的距离为B。测试时，所述P阱中的P+有源区接地电位，N+有源区接抽电流，所述N阱中的P+有源区、N+有源区均接电源，改变抽电流大小，使电源与地之间的闩锁结构被触发(通过电源与地之间电压电流等数值变化判断)，从而确定各种工艺平台制造的各种A、B的闩锁效应监测结构的触发抽电流大小，通过比较不同工艺平台制造的相同A、B的闩锁效应监测结构的触发灌(或抽)电流大小，可以判断哪种工艺平台更容易发生闩锁效应。传统的MOS器件闩锁效应监测结构，虽然结构简单，但首先只能做定性的分析，而不能定量的给出实际的MOS器件输入输出区域到内部电路安全距离。并且传统的MOS器件闩锁效应监测结构与实际MOS器件电路还有着很大区别。以灌电流的图示为例，实际MOS器件电路中，在接地的P阱边上还可能存在其它接电源的N阱，此N阱也可能受空穴注入影响而拉低电位，并与P阱中的NP发生闩锁，而此传统的MOS器件闩锁效应监测结构并没有考虑这种情况。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种MOS器件闩锁效应的监测结构，能定量的给出实际的MOS器件输入输出区域到内部电路安全距离。为解决上述技术问题，本专利技术提供的一种MOS器件闩锁效应的监测结构，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域；所述模拟输入输出区域，为一个N阱，所述输入输出区域N阱左部中形成有一 N+有源区，右部中形成有一 P+有源区；所述模拟防护环区域，包括从左到右依次相邻接的一个P阱、一个N阱，所述防护环区域P阱中形成有一 P+有源区，所述防护环区域N阱中形成有一 N+有源区；所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱；模拟内部电路区域的所述多个N阱嵌在模拟内部电路区域的所述P阱间；模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱中分别形成有一对有源区，模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有一对有源区，每对有源区由一N+有源区和一 P+有源区组成，模拟内部电路区域的各个N阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧，模拟内部电路区域的P阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧。较佳的，模拟内部电路区域的所述多个N阱中的各对有源区的N+有源区同P+有源区间的左右位置关系，同模拟内部电路区域P阱中的各对有源区的N+有源区同P+有源区间的左右位置关系相反。较佳的，模拟内部电路区域的各个N阱中的各对有源区的N+有源区同在右侧，P+有源区同在左侧，模拟内部电路区域的P阱中的各对有源区的N+有源区同在左侧，P+有源区同在右侧。较佳的，模拟内部电路区域的所述每一个N阱的一对有源区同位于其上方或下方的P阱中的一对有源区组成一个内部电路单元，同一个内部电路单元中的两对有源区的N+有源区同P+有源区间的距离相等。较佳的，至少有两个内部电路单元到所述模拟输入输出区域N阱的距离相等。较佳的，到所述模拟输入输出区域N阱的距离相等的内部电路单元，不同的内部电路单元中的一对有源区的N+有源区同P+有源区间的距离不相同。较佳的，其中至少有两个内部电路单元到所述模拟输入输出区域N阱的距离不相坐寸ο为解决上述技术问题，本专利技术提供的另一种MOS器件闩锁效应的监测结构，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域；所述模拟输入输出区域，为一个P阱，所述输入输出区域P阱左部中形成有一 P+有源区，右部中形成有一 N+有源区；所述模拟防护环区域，包括从左到右依次相邻接的一个P阱、一个N阱，所述防护环区域P阱中形成有一 P+有源区，所述防护环区域N阱中形成有一 N+有源区；所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱；模拟内部电路区域的所述多个N阱嵌在模拟内部电路区域的所述P阱间；模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱中分别形成有一对有源区，模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有一对有源区，每对有源区由一N+有源区和一 P+有源区组成，模拟内部电路区域的各个N阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧，模拟内部电路区域的P阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧。较佳的，模拟内部电路区域的所述多个N阱中的各对有源区的N+有源区同P+有源区间的左右位置关系，同模拟内部电路区域P阱中的各对有源区的N+有源区同P+有源区间的左右位置关系相反。较佳的，模拟内部电路区域的各个N阱中的各对有源区的N+有源区同在右侧，P+有源区同在左侧，模拟内部电路区域的P阱中的各对有源区的N+有源区同在左侧，P+有源区同在右侧。较佳的，模拟内部电路区域的所述每一个N阱的一对有源区同位于其上方或下方的P阱中的一对有源区组成一个内部电路单元，同一个内部电路单元中的两对有源区的N+有源区同P+有源区间的距离相等。较佳的，至少有两个内部电路单元到所述模拟输入输出区域P阱的距离相等。较佳的，到所述模拟输入输出区域P阱的距离相等的内部电路单元，不同的内部电路单元中的一对有源区的N+有源区同P+有源区间的距离不相同。较佳的，其中至少有两个内部电路单元到所述模拟输入输出区域P阱的距离不相坐寸ο本专利技术的MOS器件闩锁效应的监测结构，通过设计不同的所述模拟输入输出区域到模拟内部电路区域各内部电路单元的距离，来定量测试出可有效防止闩锁效应发生所需的输入输出端口到内部电路的距离，并可通过设计不同的模拟内部电路区域中各内部电路单元同一对有源区中P+有源区到N+有源区的距离，来测出内部电路每相隔多少距离就需要插入P阱与N阱的接出端，以控制电位避免闩锁效应的发生，这样即可以避免闩锁效应的发生，也能尽可能缩小芯片面积。本专利技术的MOS器件闩锁效应的监测结构在测试时，模拟内部电路区域的各结构，并考虑到内部电路区域中在接地的P阱边上还可能存在其它接电源的N阱的情况，每次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS器件闩锁效应的监测结构，其特征在于，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域；所述模拟输入输出区域，为一个N阱，所述输入输出区域N阱左部中形成有一N+有源区，右部中形成有一P+有源区；所述模拟防护环区域，包括从左到右依次相邻接的一个P阱、一个N阱，所述防护环区域P阱中形成有一P+有源区，所述防护环区域N阱中形成有一N+有源区；所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱；模拟内部电路区域的所述多个N阱嵌在模拟内部电路区域的所述P阱间；模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱中分别形成有一对有源区，模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有一对有源区，每对有源区由一N+有源区和一P+有源区组成，模拟内部电路区域的各个N阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧，模拟内部电路区域的P阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧。

【技术特征摘要】
1.一种MOS器件闩锁效应的监测结构，其特征在于，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域； 所述模拟输入输出区域，为一个N阱，所述输入输出区域N阱左部中形成有一 N+有源区，右部中形成有一 P+有源区； 所述模拟防护环区域，包括从左到右依次相邻接的一个P阱、一个N阱，所述防护环区域P阱中形成有一 P+有源区，所述防护环区域N阱中形成有一 N+有源区； 所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱； 模拟内部电路区域的所述多个N阱嵌在模拟内部电路区域的所述P阱间；模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱中分别形成有一对有源区，模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有一对有源区，每对有源区由一 N+有源区和一P+有源区组成，模拟内部电路区域的各个N阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧，模拟内部电路区域的P阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧。2.根据权利要求1所述的MOS器件闩锁效应的监测结构，其特征在于， 模拟内部电路区域的所述多个N阱中的各对有源区的N+有源区同P+有源区间的左右位置关系，同模拟内部电路区域P阱中的各对有源区的N+有源区同P+有源区间的左右位置关系相反。3.根据权利要求1所述的MOS器件闩锁效应的监测结构，其特征在于， 模拟内部电路区域的各个N阱中的各对有源区的N+有源区同在右侧，P+有源区同在左侦牝模拟内部电路区域的P阱中的各对有源区的N+有源区同在左侧，P+有源区同在右侧。4.根据权利要求1所述的MOS器件闩锁效应的监测结构，其特征在于， 模拟内部电路区域的所述每一个N阱的一对有源区同位于其上方或下方的P阱中的一对有源区组成一个内部电路单元，同一个内部电路单元中的两对有源区的N+有源区同P+有源区间的距离相等。5.根据权利要求4所述的MOS器件闩锁效应的监测结构，其特征在于， 至少有两个内部电路单元到所述模拟输入输出区域N阱的距离相等。6.根据权利要求5所述的MOS器件闩锁效应的监测结构，其特征在于， 到所述模拟输入输出区域N阱的距离相等的内部电路单元，不同的内部电路单元中的一对有源区的N+有源区同P+有源区间的距离不相同。7.根据权利要求4所述的MOS器件闩锁效应的监测结构，其特征在于， 其中至少有两个内部电路单元到所述模拟输入输出区域N阱的距离不相等。8.—种...

【专利技术属性】
技术研发人员：王邦麟，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31