半导体器件、制造半导体器件的方法以及液晶显示器技术

本公开涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及液晶显示器。为了屏蔽从形成LCD驱动器的半导体芯片的芯片侧表面或芯片后表面入射的光，在所述半导体芯片自身的芯片侧表面和芯片后表面之上形成光屏蔽膜，而不使用作为与所述半导体芯片分开的部件的光屏蔽带。相应地，没有使用作为单独的部件的光屏蔽带，从而可以解决如下麻烦，即，光屏蔽带从玻璃衬底的表面突起，其中，该玻璃衬底被制造成具有小的厚度。由此，可以提升液晶显示器的薄化以及随后的其中安装有液晶显示器的移动电话的薄化。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、制造半导体器件的方法以及液晶显示器相关申请的交叉引用通过引用将2011年11月11日提交的日本专利申请No.2011-247014公开的全部内容（包括说明书、附图以及摘要）并入本申请中。
技术介绍
本专利技术涉及半导体器件、用于制造该半导体器件的技术以及液晶显示器。更具体地，涉及有效地适用于连同光源一起布置在壳体中的半导体器件的技术。日本未审查专利申请No.平06(1994)-112371（专利文献1）中描述了一种用于通过形成光屏蔽压敏粘合带覆盖半导体芯片来使该半导体芯片避光的方法，其中该半导体芯片连同光源一起被布置在壳体中。
技术实现思路
近年来，以液晶显示器、等离子体显示器和有机电致发光（EL）显示器为代表的平板显示器迅速地流行起来。在这些平板显示器的每一个显示器中，连同显示器单元一起将其中形成了用于驱动该显示器单元的集成电路的半导体芯片（驱动器IC）布置在壳体中。由此，存在如下担忧，即，在这种平板显示器中，从光源发射的光可能会发射到半导体芯片上。例如，在液晶显示器中，光源（背光灯）被布置在衬底（玻璃衬底）的背面（下侧）上，其中，用于驱动液晶材料（液晶组合物）的半导体芯片安装在该衬底之上，从光源发射的光朝向布置在光源的上侧的液晶材料发射。在这种情况下，存在如下担忧，即，光可能也会发射到半导体芯片上。在等离子体显示器或有机EL显示器中，显示器单元自身（光源）发射光，因此，从显示器单元泄漏的光可能会发射到被布置成与该显示器单元相邻的半导体芯片上。如果光发射到半导体芯片上，如上所述，则来自半导体芯片的输出电压下降，因此，要施加到显示器单元的电压也下降。结果，例如，出现如下麻烦，即，显示的图像变得不清楚（对比度下降）。因此，有效的是，通过利用光屏蔽压敏粘合带覆盖半导体芯片来使该芯片避光，如在上述专利文献1中所描述的那样。但是，近年来，平板电脑的薄化得到了提升，由此，不仅半导体芯片的厚度，而且其上方布置有半导体芯片的衬底（盖玻璃、玻璃衬底、等等）的厚度均处于变小的趋势。因此，存在如下担忧，即，如果使用了上述光屏蔽压敏粘合带，取决于衬底或半导体芯片的厚度，该粘合带可能会从衬底（盖玻璃）的表面突起。如果光屏蔽压敏粘合带突起，那么来自外部的冲击（压力）可能会经由粘合带和壳体被传递至半导体芯片，由此可能会引起芯片破裂。本专利技术的一个目的是提供一种技术，其中，平板显示器的薄化可以得到提升。参照说明书以及附图的描述，本专利技术的上述及其它目的以及新颖特征可以变得更加清楚。可以如下简要地概述本申请公开的专利技术中的典型专利技术。根据典型实施例的制造半导体器件的方法包括：将半导体晶片划分成多个半导体芯片；在上述步骤之后，在每一个半导体芯片的芯片后表面和芯片侧表面的每一个上形成光屏蔽膜。根据典型实施例的半导体器件包括安装在衬底上的半导体芯片，该衬底布置在具有光源的壳体中，其中，光屏蔽膜形成在半导体芯片的芯片后表面和芯片侧表面的每一个上。根据典型实施例的液晶显示器包括安装在衬底上的半导体芯片，该衬底布置在具有光源的壳体中，其中，光屏蔽膜形成在半导体芯片的芯片后表面和芯片侧表面的每一个上。以下是对在本申请中公开的具有代表性的方面的实施例取得的效果的简要描述。平板显示器的薄化可以得到提升。附图说明图1是图示了移动电话的外部结构的视图；图2是沿着图1中的A-A线截取的截面图；图3是图示了LCD驱动器的功能的功能块视图；图4是图示了形成LCD驱动器的半导体芯片的顶表面的平面图；图5是沿着图4中的A-A线截取的截面图；图6是沿着图4中的B-B线截取的截面图；图7是图示了其中整个芯片侧表面倾斜的结构的截面图；图8是图示了其中整个芯片侧表面倾斜的结构的截面图；图9是图示了其中整个芯片侧表面倾斜的结构的变型的截面图；图10是图示了其中整个芯片侧表面倾斜的结构的变型的截面图；图11是图示了其中芯片侧表面没有倾斜的结构的截面图；图12是图示了其中芯片侧表面没有倾斜的结构的截面图；图13是阐述了根据本专利技术的第一实施例的用于制造半导体器件的方法的流程的流程图；图14是所提供的半导体晶片的平面图；图15是沿着图14的A-A线截取的截面图；图16是图示了根据第一实施例的制造半导体器件的步骤的平面图；图17是沿着图16的A-A线截取的截面图；图18是图示了根据第一实施例的制造半导体器件的步骤的平面图；图19是沿着图18的A-A线截取的截面图；图20是图示了根据第一实施例的制造半导体器件的步骤的平面图；图21是沿着图20的A-A线截取的截面图；图22是图示了在图21的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图23是图示了在图22的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图24是图示了在图23的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图25是图示了在图24的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图26是图示了在图25的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图27是图示了在图26的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图28是图示了在图27的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图29是图示了根据第一实施例的安装半导体器件的步骤的截面图；图30是图示了在图29的步骤之后的安装半导体器件的步骤的截面图；图31是阐述了根据第二实施例的制造半导体器件的方法的流程的流程图；图32是图示了根据第二实施例的制造半导体器件的步骤的截面图；图33是图示了在图32的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图34是图示了在图33的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图35是根据变型2的制造半导体器件的步骤的截面图；图36是图示了在图35的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图37是图示了在图36的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；图38是根据变型3的制造半导体器件的步骤的截面图；图39是图示了在图38的步骤之后的制造半导体器件的步骤的截面图；具体实施例如果需要的话，出于方便的目的，可以将以下实施例之一分割成多个部分或多个实施例来进行描述；然而，除非另外指出，否则它们之间的关系如下，即，它们中的一个实施例是其它实施例的全部或部分的变型、细节、或补充说明，这不同于其中它们之间彼此没有关系的情况。此外，当在以下实施例中提及到要素的数等（包括片的数量、数值、量、范围等）时，该数并不局限于特定数，除非另外指出或者原则上将其明确地限定于特定数。此外，毫无疑问，在以下实施例中，除非另外指出或者原则上认为是明显必须的，否则组成要素（包括要素步骤等）不是一定必须的。类似地，当在以下实施例中提及到组成元件的形状或位置关系等时，包括与该形状基本接近或类似的形状，除非另外指出或者大体上以其它的方式考虑。这对于上述的数值和范围也是成立的。此外，类似的部件原则上在用于阐述实施例的每一个视图中用类似的附图标记表示，并且省略重复的阐述。为了便于理解附图，有时甚至在平面图中绘出阴影线。（第一实施例）<本专利技术适用的对象>由于本专利技术的一个目的是使平板显示器的厚度变小，因此本专利技术的技术理念可以应用于配备有液晶显示器、等离子体显示器、有机EL显示器等（这些均是平板显示器的示例）的电子装置。例如，平板显示器被广泛地用作个人计算机和文字处理器等的显示器设备，并且还用作电视机和移动电话的显示器设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件要被安装在衬底之上，所述衬底布置在具有光源的壳体中，其中，所述方法包括以下步骤：（a）提供具有主表面和与所述主表面相反的后表面的半导体晶片，所述主表面上设置有多个芯片形成区域，彼此相邻的所述芯片形成区域之间设置有划线区域；（b）在步骤（a）之后，去除所述划线区域的一部分；（c）在步骤（b）之后，在所述半导体晶片的所述主表面附接至背磨带的状态下，通过对所述半导体晶片的所述后表面进行研磨，将所述半导体晶片划分成多个半导体芯片，所述多个半导体芯片中的每一个均具有芯片主表面、与所述芯片主表面相反的芯片后表面、以及在所述芯片主表面和所述芯片后表面之间的芯片侧表面；以及（d）在步骤（c）之后，在所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面上均形成光屏蔽膜。

【技术特征摘要】
2011.11.11 JP 2011-2470141.一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件要被安装在衬底之上，所述衬底布置在具有光源的壳体中，其中，所述方法包括以下步骤：(a)提供具有主表面和与所述主表面相反的后表面的半导体晶片，所述主表面上设置有多个芯片形成区域，彼此相邻的所述芯片形成区域之间设置有划线区域；(b)在步骤(a)之后，去除所述划线区域的一部分；(c)在步骤(b)之后，在所述半导体晶片的所述主表面附接至背磨带的状态下，通过对所述半导体晶片的所述后表面进行研磨，将所述半导体晶片划分成多个半导体芯片，所述多个半导体芯片中的每一个均具有芯片主表面、与所述芯片主表面相反的芯片后表面、以及在所述芯片主表面和所述芯片后表面之间的芯片侧表面；(d)在步骤(c)之后，在所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面上均形成光屏蔽膜；以及(e)在步骤(c)之后并且在步骤(d)之前，对所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面均进行蚀刻。2.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中，在步骤(e)中，在所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片主表面附接至所述背磨带的状态下，使所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面经受等离子体蚀刻。3.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中，在步骤(e)中，在所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片主表面附接至所述背磨带的状态下，对所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面进行湿法蚀刻。4.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中，在步骤(d)中，所述背磨带被拉伸，并且在所述背磨带被拉伸的状态下，在所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面之上均形成所述光屏蔽膜。5.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中，在步骤(d)中，通过使用溅射工艺和沉积工艺中的任何一个，在所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面之上均形成所述光屏蔽膜。6.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中，所述光屏蔽膜是由金属膜或绝缘膜形成的。7.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，其中，在步骤(b)中，所述半导体晶片的所述后表面粘附至切片带，并且在所述半导体晶片的所述后表面粘附至所述切片带的状态下，在所述半导体晶片的所述主表面一侧上驱动刀片。8.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，包括：(f)在步骤(d)之后，将拾取带粘附至所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面；(g)在步骤(f)之后，拉伸所述拾取带；以及(h)在步骤(g)之后，拾取所述多个半导体芯片中的每一个。9.一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件要被安装在衬底之上，所述衬底布置在具有光源的壳体中，其中，所述方法包括以下步骤：(a)提供具有主表面和与所述主表面相反的后表面的半导体晶片，所述主表面上设置有多个芯片形成区域，彼此相邻的所述芯片形成区域之间设置有划线区域；(b)在步骤(a)之后，通过沿着所述半导体晶片中的所述划线区域切割所述划线区域，获得多个半导体芯片；(c)在步骤(b)之后，在所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面中的每一个之上形成光屏蔽膜；以及(d)在步骤(b)之后并且在步骤(c)之前，对所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面均进行蚀刻。10.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其中，在步骤(d)中，在所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片主表面粘附至带的状态下，使所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面经受等离子体蚀刻。11.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其中，在步骤(d)中，在所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片主表面粘附至带的状态下，对所述多个半导体芯片中的每一个的所述芯片后表面和所述芯片侧表面进行湿法蚀刻。12.根据权利要求9的制造半导体器件的方法，其中，在步骤(c)中，粘附至所述多个半导体芯片中的每一个的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：市原诚一，中村寿雄，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP