一种延时电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种延时电路，涉及集成芯片设计领域，包括由第一PMOS管和第一NMOS管组成的第一CMOS反相器，以及由第二PMOS管和第二NMOS管组成的第二CMOS反相器，所述第一CMOS反相器的输入端接收输入信号，所述第一CMOS反相器的输出端分别和一端接地的电容器以及第二CMOS反相器的输入端连接，所述第二CMOS反相器的输出端与外电路连接，所述第一PMOS管的源极设有电阻与电源连接，所述第一NMOS管的源极设有电阻接地。本实用新型专利技术在第一PMOS管和第一NMOS管的源极设有电阻，通过MOS管放大，降低了对延时电路对电阻的阻值要求，同时也降低了对电容器的电容要求，进而降低了延时电路的成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种延时电路，包括由第一PMOS管（11）和第一NMOS管（12）组成的第一CMOS反相器（1），以及由第二PMOS管（21）和第二NMOS管（22）组成的第二CMOS反相器（2），所述第一CMOS反相器（1）的输入端（5）接收输入信号，所述第一CMOS反相器（1）的输出端分别和一端接地的电容器（4）以及第二CMOS反相器（2）的输入端连接，所述第二CMOS反相器（2）的输出端（6）与外电路连接，其特征在于：所述第一PMOS管（11）的源极设有电阻（7）与电源连接，所述第一NMOS管（12）的源极设有电阻（8）接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢卫国，
申请(专利权)人：江苏格立特电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32