一种共阳极小功率可控硅模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种共阳极小功率可控硅模块，包括引线框架（1）和可控硅芯片（2），可控硅芯片（2）构成芯片组（3）焊接在引线框架（1）上，可控硅芯片（2）下侧面的阳极朝向引线框架（1），可控硅芯片（2）上侧面的阴极和控制极分别通过连线（4）与对应的引脚（5）焊接相连；引线框架（1）、芯片组（3）和连线（4）的外侧设有覆盖保护的环氧料（6）。其制作工艺如下：芯片组（3）焊接在引线框架（1）上后用连线（4）将每个可控硅芯片（2）的阴极、控制极与对应的引脚（5）焊接相连；最后用环氧料（6）对引线框架（1）、芯片组（3）和连线（4）进行覆盖保护，制成共阳极小功率可控硅模块。本实用新型专利技术效率高且成本低。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及可控硅
，具体地说是一种生产效率高、成本低的共阳极小功率可控硅模块。
技术介绍
目前，对小电流可控硅广泛应用于小家电行业，如电风扇等，由于一块线路板中需应用多个相同的小电流插件式可控硅，线路板的装配只能用人工进行操作，效率低下；并且现有的插件式可控硅在线路板中占用的面积较大，生产成本高。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有小功率可控硅生产效率低下、原材料耗费大和生产成本闻的缺陷，提供一种生广效率闻、成本低的共阳极小功率可控娃|旲块。本技术的目的是通过以下技术方案解决的:一种共阳极小功率可控硅模块，包括引线框架和可控硅芯片，其特征在于所述的可控硅芯片构成芯片组焊接在引线框架上，可控硅芯片下侧面的阳极朝向引线框架，可控硅芯片上侧面的阴极和控制极分别通过连线与对应的引脚焊接相连；上述引线框架、芯片组和连线的外侧设有覆盖保护引线框架、芯片组和连线的环氧料。所述连线的两端与可控硅芯片上侧面的阴极、控制极和与可控硅芯片上侧面的阴极、控制极对应的引脚之间采用超声波焊接相连。所述的芯片组由两块或两块以上相互之间独立设置的可控硅芯片构成。所述的弓丨线框架采用铜制成。所述的连线采用铜线或者铝线制成。一种共阳极小功率可控硅模块制作工艺，其特征在于所述的制作工艺步骤如下:(a)、首先将两块或两块以上相互之间独立设置的可控硅芯片构成芯片组，并将芯片组中的可控硅芯片的阳极所在面朝向引线框架并焊接在引线框架上；(b)、接着用连线将每个可控硅芯片的阴极、控制极与对应的引脚用超声波进行焊接相连；(C)、然后采用环氧料将引线框架、芯片组和连线进行覆盖对引线框架、芯片组和连线进行保护，制成共阳极小功率可控硅模块。所述引脚的一端位于环氧料的外侧。本技术相比现有技术有如下优点:本技术采用机械化进行装配操作，解决了线路安装的效率并降低了线路装配成本；同时制成的可控硅模块体积小，节省了线路板面积并降低了线路板的制作成本。附图说明附图1为本技术的结构示意图；附图2为本技术的剖面示意图。其中:1 一引线框架；2—可控娃芯片；3—芯片组；4一连线；5—引脚；6—环氧料。具体实施方式以下结合附图与实施例对本技术作进一步的说明。如图1-2所示:一种共阳极小功率可控硅模块，包括采用铜制成的引线框架1、可控硅芯片2，由两块或两块以上相互之间独立设置的可控硅芯片2构成芯片组3焊接在引线框架I上，可控硅芯片2下侧面的阳极朝向引线框架1，可控硅芯片2上侧面的阴极和控制极分别通过连线4与对应的引脚5焊接相连，即连线4的两端与可控硅芯片2上侧面的阴极、控制极和与可控硅芯片2上侧面的阴极、控制极对应的引脚5之间采用超声波焊接相连，上述连线4可采用铜线或者铝线制成；引线框架1、芯片组3和连线4的外侧设有覆盖保护引线框架1、芯片组3和连线4的环氧料6。一种共阳极小功率可控硅模块制作工艺，其制作工艺步骤如下:(a)、首先将两块或两块以上相互之间独立设置的可控硅芯片2构成芯片组3，并将芯片组3中的可控硅芯片3的阳极所在面朝向引线框架I并焊接在引线框架I上；(b)、接着用连线4将每个可控硅芯片2的阴极、控制极与对应的引脚5用超声波进行焊接相连；(C)、然后采用环氧料6将引线框架1、芯片组3和连线4进行覆盖对引线框架1、芯片组3和连线4进行保护，制成共阳极小功率可控硅模块。经上述步骤制成的共阳极小功率可控硅模块中引脚5的一端位于环氧料6的外侧。本技术采用机械化进行装配操作，解决了线路安装的效率并降低了线路装配成本；同时制成的可控硅模块体积小，节省了线路板面积并降低了线路板的制作成本。以上实施例仅为说明本技术的技术思想，不能以此限定本技术的保护范围，凡是按照本技术提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本技术保护范围之内；本技术未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。权利要求1.一种共阳极小功率可控硅模块，包括引线框架(I)和可控硅芯片(2)，其特征在于所述的可控硅芯片(2)构成芯片组(3)焊接在引线框架(I)上，可控硅芯片(2)下侧面的阳极朝向引线框架(1)，可控硅芯片(2)上侧面的阴极和控制极分别通过连线(4)与对应的引脚(5)焊接相连；上述引线框架(I)、芯片组(3)和连线(4)的外侧设有覆盖保护引线框架(I)、芯片组(3)和连线(4)的环氧料(6)。2.根据权利要求1所述的共阳极小功率可控硅模块，其特征在于所述连线(4)的两端与可控硅芯片(2)上侧面的阴极、控制极和与可控硅芯片(2)上侧面的阴极、控制极对应的引脚(5)之间采用超声波焊接相连。3.根据权利要求1所述的共阳极小功率可控硅模块，其特征在于所述的芯片组(3)由两块或两块以上相互之间独立设置的可控硅芯片(2)构成。4.根据权利要求1所述的共阳极小功率可控硅模块，其特征在于所述的引线框架(I)采用铜制成。5.根据权利要求1所述的共阳极小功率可控硅模块，其特征在于所述的连线(4)采用铜线或者铝线制成。专利摘要本技术公开了一种共阳极小功率可控硅模块，包括引线框架(1)和可控硅芯片(2)，可控硅芯片(2)构成芯片组(3)焊接在引线框架(1)上，可控硅芯片(2)下侧面的阳极朝向引线框架(1)，可控硅芯片(2)上侧面的阴极和控制极分别通过连线(4)与对应的引脚(5)焊接相连；引线框架(1)、芯片组(3)和连线(4)的外侧设有覆盖保护的环氧料(6)。其制作工艺如下芯片组(3)焊接在引线框架(1)上后用连线(4)将每个可控硅芯片(2)的阴极、控制极与对应的引脚(5)焊接相连；最后用环氧料(6)对引线框架(1)、芯片组(3)和连线(4)进行覆盖保护，制成共阳极小功率可控硅模块。本技术效率高且成本低。文档编号H01L23/495GK202930374SQ20122061351公开日2013年5月8日 申请日期2012年11月20日 优先权日2012年11月20日专利技术者潘建英, 伍林, 左亚兵 申请人:宜兴市环洲微电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共阳极小功率可控硅模块，包括引线框架（1）和可控硅芯片（2），其特征在于所述的可控硅芯片（2）构成芯片组（3）焊接在引线框架（1）上，可控硅芯片（2）下侧面的阳极朝向引线框架（1），可控硅芯片（2）上侧面的阴极和控制极分别通过连线（4）与对应的引脚（5）焊接相连；上述引线框架（1）、芯片组（3）和连线（4）的外侧设有覆盖保护引线框架（1）、芯片组（3）和连线（4）的环氧料（6）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘建英，伍林，左亚兵，
申请(专利权)人：宜兴市环洲微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：