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一种磁传感器结构制造技术

技术编号:8699060 阅读:138 留言:0更新日期:2013-05-13 04:01
通过结构的设计能够得到高灵敏度的磁传感器,在微磁探测方面有着广阔的应用前景。本实用新型专利技术提供一种磁传感器结构,包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤、光探测器,其中,光源与入射光纤相连接;下行光纤与上行光纤相并联,且并联的单元与入射光纤相串联,并联的单元与出射光纤相连接,出射光纤与光探测器相连接;磁敏单元为磁致伸缩材料,包覆在下行光纤上。本实用新型专利技术采用磁致伸缩材料来间接的为光纤施加力,通过力改变光纤内传输光的相位,进而影响输出光的强度,实现高灵敏度的探测,适于微磁场的检测。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及磁传感领域,尤其是涉及到一种磁传感器结构
技术介绍
磁传感器在电、磁学量和力学量的测量中有着广泛的应用。磁传感器包扩霍尔效应传感器、各向异性磁电阻传感器、磁敏三极管、巨磁电阻磁传感器、隧穿磁电阻磁传感器。这些磁传感的特点是,当磁场变化时,材料本身的电阻发生变化,通过探测材料电阻的变化即可感知磁场的变化。除了材料本身的物理性质发生外,结合不同的物理效应,通过结构的设计也能够得到高灵敏度的磁传感器,在微磁探测方面有着广阔的应用前景。
技术实现思路
本技术提供一种磁传感器结构,利用光纤中传输的光的相位容易被磁产生的间接应力而影响而制成,通过干涉的方式进行检测,具有高的灵敏度。本技术所采取的技术方案为,一种磁传感器结构,包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤、光探测器,其中,光源与入射光纤相连接;下行光纤与上行光纤相并联,且并联的单元与入射光纤相串联,并联的单元与出射光纤相连接,出射光纤与光探测器相连接;磁敏单兀为磁致伸缩材料,包覆在下行光纤上;光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤和光探测器位于衬底上。本技术采用磁致伸缩材料来间接的为光纤施加力,通过力改变光纤内传输光的相位,进而影响输出光的强度,实现高灵敏度的探测,适于微磁场的检测。附图说明图1为本技术的结构示意图。图中:1衬底、2光源、3入射光纤、4下行光纤、5上行光纤、6磁敏单兀、7出射光纤、8光探测器。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。图1为本技术的结构示意图,其中,衬底1、光源2、入射光纤3、下行光纤4、上行光纤5、磁敏单元6、出射光纤7、光探测器8,其中,光源2与入射光纤3相连接;下行光纤4与上行光纤5相并联,且并联的单元与入射光纤3相串联,并联的单元与出射光纤7相连接,出射光纤7与光探测器8相连接;磁敏单元6为磁致伸缩材料,包覆在下行光纤4上;光源2、入射光纤3、下行光纤4、上行光纤5、磁敏单元6、出射光纤7和光探测器8位于衬底I上。本技术采用磁致伸缩材料来间接的为光纤施加力,通过力改变光纤内传输光的相位,进而影响输出光的强度,实现高灵敏度的探测,适于微磁场的检测。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁传感器结构,包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单元、出射光纤、光探测器,其特征在于:所述的光源与入射光纤相连接,下行光纤与上行光纤相并联,且并联的单元与入射光纤相串联,并联的单元与出射光纤相连接,出射光纤与光探测器相连接;所述的磁敏单元为磁致伸缩材料,包覆在下行光纤上。

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器结构,包括衬底、光源、入射光纤、下行光纤、上行光纤、磁敏单兀、出射光纤、光探测器,其特征在于: 所述的光源与入射光纤相连接,下行光纤与上行光纤相并联,且并联的单元与入射光纤相串联,并联的单元与出射光纤相...

【专利技术属性】
技术研发人员:林志娟
申请(专利权)人:林志娟
类型:实用新型
国别省市:

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