用于制造光电子半导体器件的方法技术

本发明专利技术提出一种用于制造光电子半导体器件的方法，其中避免后续的光电子半导体器件的电接触部与填充材料的杂质颗粒接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术提出一种以及一种光电子半导体器件。
技术实现思路
待实现的目的在于，提出，所述方法对于后续的半导体器件的电接触部而言是节约材料的。根据所述方法的至少一个实施形式，在第一步骤a)中提供载体，所述载体具有上侦牝和与载体的上侧相对置的下侧。载体能够是电路板或金属载体框架(引线框架)。同样能够考虑的是，载体构成为是柔性的并且例如构成为薄膜。所述载体能够借助例如金属的可导电的材料形成，和/或借助电绝缘材料，例如硬质塑料材料、热塑性材料和/或陶瓷材料形成。如果载体用电绝缘材料形成，那么载体在上侧和/或下侧具有带状电导线和接触面。在上侧和下侧分别构成通过载体的外面的一部分形成的面。下侧上的面是载体的外面的一部分，所述外面在载体已安装的状态下朝向接触载体一例如电路板。例如，在载体的下侧上的面是安装面，所述安装面能够用于将后续的半导体器件安装在接触载体上。此外，载体具有至少一个设置在载体的上侧的连接面。根据所述方法的至少一个实施形式，在下一个步骤b)中将至少一个光电子器件施加在载体的上侧，其中所述光电子器件具有至少一个背离载体的接触面。至少一个接触面用于电接触光电子器件，并且用例如金属的可导电的材料形成。例如，连接面和光电子器件在横向方向上并排地设置。“横向”在本文中是指平行于载体的主延伸方向的方向。例如，光电子器件借助背离接触面的外面接合、焊接或导电地粘贴在载体的接触部位上。光电子器件尤其能够是接收辐射或者发射辐射的半导体芯片。例如半导体芯片是荧光二极管芯片(Lumineszenzdiodenchip),也可以是发光二极管芯片(Leuchtdiodenchip)或激光二极管-H-* I I心/T O根据所述方法的至少一个实施形式，在下一个步骤c)中将电绝缘材料施加到接触面和连接面上。优选地，在电绝缘材料一方和接触面和连接面另一方之间既不构成缝隙也不构成中断。例如，电绝缘材料在连接面和/或接触面的背离载体的外面上完全地覆盖所述连接面和/或接触面。此外，可导电的材料也覆盖接触面的和连接面的侧面。电绝缘材料没有填充材料的杂质颗粒。“没有填充材料的杂质颗粒”在本文中是指，填充材料的杂质颗粒没有从外部明确地引入到电绝缘材料中。最可能的是，例如由制造所决定，在电绝缘材料中仍存在有填充材料的杂质颗粒的残留物。然而优选地，杂质颗粒的浓度以低的浓度存在于电绝缘材料中，使得杂质颗粒对电绝缘材料的性质不起负面的物理和/或化学作用。根据所述方法的至少一个实施形式，在下一个步骤d)中，将电绝缘层施加到电绝缘材料的、光电子器件的和载体的暴露的部位上。优选地，电绝缘层在所述部位上形状配合地覆盖电绝缘材料和光电子器件。例如，载体的暴露的部位在其上侧也部分地或完全地由电绝缘层覆盖。电绝缘层具有可预设浓度的填充材料的杂质颗粒。也就是说，填充材料的杂质颗粒从外部目的明确地引入电绝缘层的材料中。如果例如由制造所决定的或由于杂质颗粒从电绝缘层扩散到电绝缘材料中而使电绝缘材料同样具有填充材料的杂质颗粒，那么优选填充材料的杂质颗粒在电绝缘材料中的浓度相对于填充材料的杂质颗粒在电绝缘层中的浓度是可忽略的。根据所述方法的至少一个实施形式，在下一个步骤e)中，至少在接触面和连接面上方的区域中移除电绝缘材料，由此在电绝缘材料中产生至少两个开口。开口分别在竖直方向上完全地延伸穿过电绝缘材料，其中接触面和连接面至少局部地没有电绝缘材料。“竖直方向”在本文中是指垂直于横向方向的方向。例如开口具有至少一个侧面。开口的至少一个侧面能够至少局部地通过电绝缘材料形成。 根据所述方法的至少一个实施形式，在下一个步骤f )中，可导电的材料设置在电绝缘层上并且至少局部地设置在开口中，其中可导电的材料将接触面与连接面导电地连接。也就是说，可导电的材料导电地将光电子器件与载体的连接面连接，并且在此在光电子器件和连接面之间至少局部地在电绝缘层的背离载体的外侧伸展。在此，可导电的材料能够局部地直接施加在电绝缘层的外面上。例如，可导电的材料用金属或者可导电的粘结材料形成。优选地，完全地通过可导电的材料形成光电子器件和载体的连接面之间的导电连接部。例如借助导电材料完全地填充开口。根据至少一个实施形式，在第一步骤a)中提供载体，所述载体具有上侧，与载体的上侧相对置的下侧以及至少一个设置在载体的上侧的连接面。在下一个步骤b)中将至少一个光电子器件施加在载体的上侧，其中光电子器件具有至少一个背离载体的接触面。在下一个步骤c)中，将电绝缘材料施加到接触面和连接面上，其中电绝缘材料没有填充材料的杂质颗粒。在另一个步骤d)中，将电绝缘层施加到电绝缘材料的、光电子器件的和载体的暴露的部位上，其中电绝缘层具有可预设浓度的填充材料的杂质颗粒。在下一个步骤e)中，至少在接触面和连接面上方的区域中移除电绝缘材料，由此在电绝缘材料中产生至少两开口。在下一个步骤f )中，将可导电的材料设置电绝缘层上并且至少局部地设置在开口中，其中所述可导电的材料将接触面与连接面导电地连接。在此，用于制造光电子半导体器件的此处所描述的方法还以下述知识为基础，SP在从具有可预设浓度的填充材料的杂质颗粒的电绝缘层中暴露光电子器件的电接触部时，在剥离电绝缘层之后，在接触部的接触面上仍能够余留填充材料的杂质颗粒的剩余物。填充材料的杂质颗粒的余留在接触面上的剩余物能够导致光电子器件的可电接触性降低。此夕卜,通过填充材料的余留的杂质颗粒能够损坏光电子器件的接触面。目前为了说明，其中能够避免后续的光电子器件的电接触部的损坏并且同时改进可电接触性，在此所描述的方法还利用思想，即将电绝缘材料施加到光电子器件的电接触部上，其中电绝缘材料没有填充材料的杂质颗粒。在另一个步骤中，电绝缘层施加到电绝缘材料的暴露的部位上，其中电绝缘层具有可预设浓度的填充材料的杂质颗粒。换句话说，没有填充材料的杂质颗粒的电绝缘材料设置在电接触部和电绝缘层之间。也就是说，光电子器件的电接触部的接触面仅与电绝缘材料直接接触。换而言之，在暴露电接触部期间，电绝缘材料用作为杂质颗粒和电接触部之间的间隔保持件。因此避免电接触部与填充材料的杂质颗粒直接接触。如果现在在电接触部上方的区域中移除电绝缘材料，那么在移除之后能够最小化余留在接触面上的填充材料的杂质颗粒的剩余物。由此，在所述方法中能够避免光电子器件的电接触部的损坏，由此不仅能够提高后续的光电子半导体器件的使用寿命，而且例如也能够提高后续的半导体器件的光学输出功率。根据所述方法的至少一个实施形式，电绝缘材料和电绝缘层具有相同的材料。例如，电绝缘层和电绝缘材料除了填充材料的杂质颗粒以外由相同的材料形成。由此有利地避免例如电绝缘层在横向方向上从电绝缘材料中脱落，因为除了填充材料的杂质颗粒以夕卜，电绝缘层和电绝缘材料的彼此邻接的边界面具有尽可能相似的特性。例如，电绝缘材料和电绝缘层的热膨胀系数相互匹配。根据至少一个实施形式，在接触面和/或连接面上方的区域中移除电绝缘层，由此产生开口。例如电绝缘层完全地覆盖电绝缘材料和光电子器件的所有暴露的部位。例如，在载体的上侧的所有的暴露的部位同样完全地由电绝缘层覆盖。因此，开口在竖直方向上连续地且贯通地延伸穿过电绝缘层和电绝缘材料。因此，开口的侧面不仅通过电绝缘材料形成也通过电绝缘层形成。根据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.07 DE 102010044560.61.关于制造光电子半导体器件(100)的方法，具有下述步骤: a)提供载体(1)，所述载体具有上侧(12)、与所述载体(1)的上侧(12)相对置的下侧(11)以及至少一个设置在所述载体(1)的上侧(12)上的连接面(13); b)将至少一个光电子器件(2)施加到所述载体(1)的上侧(12)上，其中所述光电子器件(2)具有至少一个背离所述载体(1)的接触面(22)； c)将电绝缘材料(3)施加到所述接触面(22)和所述连接面(13)上，其中所述电绝缘材料(3)没有填充材料(41)的杂质颗粒(42)； d)将电绝缘层(4)施加到所述电绝缘材料(3)的、所述光电子器件(2)的和所述载体(1)的暴露的部位上，其中所述电绝缘层(4)具有可预设浓度的所述填充材料(41)的杂质颗粒(42)； e)在所述接触面(22)和所述连接面(13)上方的区域中至少移除所述电绝缘材料(3)，由此在所述电绝缘材料(3)中产生至少两个开口(5)； f)将可导电的材料(8)设置在所述电绝缘层(4)上并且至少局部地设置在所述开口(5 )中，其中所述可导电的材料(8 )将所述接触面(22 )与所述连接面(13 )导电地连接。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电绝缘材料(3)和所述电绝缘层(4)具有相同的材料。3.根据上述权利要求之一所述的方法，其中在所述接触面(22)和/或所述连接面(13)上方的区域中移除所述电绝缘层(4)，由此产生所述开口(5)。4.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述电绝缘层(4)包含至少一种荧光转换材料。5.根据上述权利要求之一所述的方法，其中在所述步骤d)之前，将所述电绝缘材料(3)至少部分地施加到所述光电子器件(2)的辐射穿透面(23)上，其中所述电绝缘材料(3)是辐射可穿透的。6.根据上一项权利要求所述的方法，其中接下来并且在所述步骤d)之前将至少一个转换层(6)施加到所述电绝缘材料(3)的背离所述光电子器件(2)的外面(32)上。7.根据上一项权利要求所述的方法，其中所述电绝缘层(4)是反射辐射的或吸收辐射的，并且将所述电绝缘层(4)施加到所述光电子器件(2)的、所述电绝缘材料(3)的和所述转换层(6)的暴露的部位上，其中所述转换层(6)的背离所述光电子器件(2)的外面(62)保持没有所述电绝缘层(4)。8.根据权利要求6至7之一所述的方法，其中在所述接触面(22)上方的区域中移除所述转换层(6)，由此产生至少一个所述开口(5)。9.根据权利要求6至8之一所述的方法，其中在竖直方向(...

【专利技术属性】
技术研发人员：托比亚斯·格比尔，汉斯克里斯托弗·加尔迈尔，安德烈亚斯·魏玛，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：