化学传感器制造技术

传感器包括具有第一电极和耦合到第一电极的第一化学传感层的记忆设备。在存在分析物时，设置化学传感层以改变忆阻设备的特性。传感器可以通过以下方式来检测分析物：提供接近化学传感层的待检测样本，观测记忆元件的状态以及通过比较观测到记忆元件的状态与之前状态来确定样本的特性。传感器通过以下方式制造：在表面上设置第二电极，将一个或多个活性层设置在所述第二电极上，将第一电极设置在所述一个或多个活性层上，以及将化学敏感层与第一电极耦合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及传感设备和方法。本专利技术可以用于检测神经活动或化学事件。
技术介绍
在过去40年，化学传感器和电极阵列已用于加入化学和电领域，使得用于多种应用的生物激励系统得以发展。理论上，转换器的物理尺寸和选择性确定能被感测或触发的最小生物活动。但是，当常规的化学传感器的缩放妨碍传感器的可靠性时，通常会经历相对低的生物感测分辨率。化学传感器的进步已经关联到化学和电领域，使得用于多种应用的生物激励系统得以发展。但是，即使简单的生物功能也可以需要大量的跨导元件以用于有效模仿生物功能的相似物的功能。因此在化学传感器的发展中建立了摩尔缩放定律的类似趋势。生物功能主要是通过离子扩散来表达，化学突触是这些电化学相互作用的最佳示例。化学突触本质上是自然存在的最小通信通道，经由动作电位的传导将神经元与ー个或多个其他神经元连接起来。突触的强度gsyn(t)取决于其历史记录,更明确地是已经通过该突触传导的神经递质的总量，这在数学上表达如下:

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.种传感器,包括: 记忆设备，该记忆设备具有第一电极和第二电极；以及 耦合到所述第一电极的第一化学传感层，该第一化学传感层被设置由此在使用中接近所述化学传感层的离子提供静电势以改变所述记忆设备的特性。2.据权利要求1所述的传感器，其中，所述第一化学传感层电连接到所述第一电极，由此接近所述化学传感层的电荷在所述记忆设备的所述第一电极与所述第二电极之间提供静电势。3.据权利要求1所述的传感器，其中，所述第一化学传感层静电耦合到所述第一电极，由此接近所述化学传感层的电荷在所述记忆设备的所述第一电极与所述第二电极之间提供静电势。4.据权利要求1所述的传感器，其中，所述记忆设备是忆阻器、忆容器或忆感器中的一者。5.据上述任一项权利要求所述的传感器，该传感器还包括用于确定所述记忆设备的特性的第一电路。6.据权利要求5所述的传感器，其中，所述第一电路包括用于向所述记忆设备提供信号的装置，该信号基本上不改变所述记忆设备的特性；以及用于根据所述信号的特性确定所述记忆设备的特性的装置。7.据上述任一项权利要求所述的传感器，该传感器还包括用于设定所述记忆设备的特性的第二电路。8.据上述任一项权利要求所述的传感器，其中，所述记忆设备的高度被測量为所述第一电极与所述第二电极或第二电极之间的距离，该高度小于大约IOO纳米，优选小于大约 50nm。9.据上述任一项权利要求所述的传感器，其中，所述化学传感层被设置用于检测以下离子中的ー种或多种:H+、K+、Na+或神经递质。10.种根据上述任一项权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·普罗德罗卡基斯，C·图马佐，
申请(专利权)人：瓦高希有限公司，
类型：
国别省市：