一种过流过温保护控制电路制造技术

本发明专利技术涉及电子设备的一种过流过温保护控制电路，所述的场效应管Q3的漏极D接负载(7)和反馈取样电路(5)，场效应管Q3的源极S接地，场效应管Q3的栅极G接电平转换电路(6)中三极管Q1的集电极和电阻R2，电阻R2的另一端接地，电阻R6的一端接效应管Q3的漏极D，电阻R6的另一端接地，有益效果是：1.利用场效应管的导通内阻随温度的升高而增大的特性，减少了温度传感器和采样电阻等，通用性好，元件少、电路简单；2.由于元件少，制造工艺简单；3.利用单片机时序控制可更方便的实现逻辑及定时控制功能，产品可靠性高。4.本发明专利技术可降低成本15％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子设备的保护控制电路，具体来说涉及电子设备的一种过流过温保护控制电路。
技术介绍
电子设备都有额定电流指标，在额定电流内，电子设备能保证可靠运行，因此，在电子设备的使用中是不允许超过额定电流的，不然会发生故障。可是，意外总是会有的，而一出意外电流一升高电子设备就损坏，这也是人们不愿意看到的。因此，在电子设备中就有了电流保护电路，当电流超过额定电流时，设备会自动断电，以保护设备。如东风卡车暖风电机的调速电路中，就有电流保护电路，它既可作为暖风电机的保护，又可保护汽车蓄电池等供电装置，使装置不受损坏。我们把这种保护功能，归结为限流保护和过流保护。同时，当暖风电机的调速电路的工作环境升高，且超过电子元件的工作温度时，这时虽然电路中的电流未超设定值，但也应断电来保护。在这两种情况下，产品电路是否有保护，保护是否可靠，不仅直接影响产品的质量，而且代表着产品的水平。除汽车电子设备需要过流过温的保护，其他电子设备如计算机、家用电器等都有需要，因此都有过流过温保护电路。现有的这些过流过温保护电路，较先进的，如都是通过在场效应管的源极与地之间串联一大功率的采样电阻完成的，当负载电流达到一定阀值时，反馈点的电压输入到比较器的同相端的电压大于反相端的电压时，比较器输出电平翻转为高电平，单片机检测到该高电平后，立即输出低电平使场效应管截止；而温度保护则是用一温度传感器紧贴到场效应管的外壳进行温度采样，通过温度处理电路后，再通过单片机控制输出。现有技术的过流和过温的采样，是分别由采样电阻和温度传感器来完成的，需要温度传感器和采样电阻，且采样电阻还需定制，因此，现有技术的通用性差，元件多、电路复杂，成本高，可靠性低。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术通用性差，元件多、电路复杂，成本高，可靠性低的不足，利用场效应管的导通内阻随温度的升高而增大的特性，通过检测场效应管导通时的管压降进行过流和过温保护，通过单片机用程序实现对功率管的控制功能，提供一种通用性好，元件少、电路简单，成本低，可靠性高的功率场效应管过流过温保护电路为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是:一种过流过温保护控制电路，包括保护值设定电路、采样信号比较处理电路、单片机电路、反馈取样电路、电平转换电路、负载、场效应管Q3，所述的保护值设定电路连接在采样信号比较处理电路中的比较器U3的2脚，单片机电路连接在采样信号比较处理电路和电平转换电路之间，所述的场效应管Q3的漏极D接负载和反馈取样电路，场效应管Q3的源极S接地，场效应管Q3的栅极G接电平转换电路中三极管Ql的集电极和电阻R2，电阻R2的另一端接地，电阻R6的一端接效应管Q3的漏极D，电阻R6的另一端接地，所述的采样信号比较处理电路中，在电路启动过程中，当比较器U3的I脚输出的电平为低，如果单片机Ul判断其为低电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上输出低电平，此时场效应管Q3处于截止状态，负载不通电，当比较器U3的I脚输出的电平为高，如果单片机Ul判断其为高电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上输出高电平，此时场效应管Q3处于导通状态，负载通电；而在电路工作过程中，当比较器U3的I脚输出的电平为低，如果单片机Ul判断其为低电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上写出高电平，此时场效应管Q3处于接通状态，负载通电，当比较器U3的I脚输出的电平为高，如果单片机Ul判断其为高电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上写出低电平，此时场效应管Q3处于截止状态，负载不通电。所述的保护值设定电路由电阻R17和电阻R18串联组成，串联电阻的一端接电源+12V，串联电阻的另一端接地，串联接点接采样信号比较处理电路中的比较器U3的2脚。所述的电平转换电路由三极管Q1、Q4和三电阻组成，三极管Ql的发射极接+12V，三极管Ql的集电极接电阻R2，三极管Ql的基极接电阻R4，电阻R4的另一端接三极管Q4的集电极，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极接电阻R5，电阻R5的另一端与单片机电路中的单片机Ul的GPl脚连接。所述的反馈取样电路由电阻R3、电容C2和二极管D6组成，电阻R3的一端与场效应管Q3的漏极D连接，另一端分别与电容C2、二极管D6和采样信号比较处理电路中的比较器U3的3脚连接，电容C2的另一端接地，二极管D6的另一端分别接+12V。与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于:1.利用场效应管的导通内阻随温度的升高而增大的特性，减少了温度传感器和采样电阻等，通用性好，元件少、电路简单。2.由于元件少，制造工艺简单。3.利用单片机时序控制可更方便的实现逻辑及定时控制功能，产品可靠性高。4.本专利技术可降低成本15%以上。附图说明图1是本专利技术的电路原理图；图2是本专利技术变形一电路原理图；图3是现有技术的电路原理图；图4是图1的时序图；图5本专利技术的程序流程中:保护值设定电路2，采样信号比较处理电路3，单片机电路4，反馈取样电路5，电平转换电路6，负载7，场效应管Q3，负载RL，热敏电阻Rt，采样电阻Rs，漏极D，源极S，栅极G，负载电源BI，开关SI，单片机U1，比较器U3，电源BI。具体实施例方式下面结合附图说明和具体实施方式对本专利技术做进一步的描述，但并非对其保护范围的限制。参见图1，一种过流过温保护控制电路，包括保护值设定电路2、采样信号比较处理电路3、单片机电路4、反馈取样电路5、电平转换电路6、负载7、场效应管Q3，所述的保护值设定电路2连接在采样信号比较处理电路3中的比较器U3的2脚，单片机电路4连接在采样信号比较处理电路3和电平转换电路6之间，所述的场效应管Q3的漏极D接负载7和反馈取样电路5，场效应管Q3的源极S接地，场效应管Q3的栅极G接电平转换电路6中三极管Ql的集电极和电阻R2，电阻R2的另一端接地，电阻R6的一端接效应管Q3的漏极D，电阻R6的另一端接地，所述的采样信号比较处理电路3中，在电路启动过程中，当比较器U3的I脚输出的电平为低，如果单片机Ul判断其为低电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上输出低电平，此时场效应管Q3处于截止状态，负载7不通电，当比较器U3的I脚输出的电平为高，如果单片机Ul判断其为高电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上输出高电平，此时场效应管Q3处于导通状态，负载7通电；而在电路工作过程中，当比较器U3的I脚输出的电平为低，如果单片机Ul判断其为低电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上写出高电平，此时场效应管Q3处于接通状态，负载7通电，当比较器U3的I脚输出的电平为高，如果单片机Ul判断其为高电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上写出低电平，此时场效应管Q3处于截止状态，负载7不通电。所述的保护值设定电路2由电阻R17和电阻R18串联组成，串联电阻的一端接电源+12V，串联电阻的另一端接地，串联接点接采样信号比较处理电路3中的比较器U3的2脚。所述的电平转换电路6由三极管Ql、Q4和三电阻组成，三极管Ql的发射极接+12V，三极管Ql的集电极接电阻R2，三极管Ql的基极接电阻R4，电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过流过温保护控制电路，包括保护值设定电路(2)、采样信号比较处理电路(3)、单片机电路(4)、反馈取样电路(5)、电平转换电路(6)、负载(7)、场效应管Q3，所述的保护值设定电路(2)连接在采样信号比较处理电路(3)中的比较器U3的2脚，单片机电路(4)连接在采样信号比较处理电路(3)和电平转换电路(6)之间，其特征在于：所述的场效应管Q3的漏极D接负载(7)和反馈取样电路(5)，场效应管Q3的源极S接地，场效应管Q3的栅极G接电平转换电路(6)中三极管Q1的集电极和电阻R2，电阻R2的另一端接地，电阻R6的一端接效应管Q3的漏极D，电阻R6的另一端接地，所述的采样信号比较处理电路(3)中，在电路启动过程中，当比较器U3的1脚输出的电平为低，如果单片机U1判断其为低电平，则单片机U1使用给定的程序，在单片机U1的CP1口上输出低电平，此时场效应管Q3处于截止状态，负载(7)不通电，当比较器U3的1脚输出的电平为高，如果单片机U1判断其为高电平，则单片机U1使用给定的程序，在单片机U1的CP1口上输出高电平，此时场效应管Q3处于导通状态，负载(7)通电；而在电路工作过程中，当比较器U3的1脚输出的电平为低，如果单片机U1判断其为低电平，则单片机U1使用给定的程序，在单片机U1的CP1口上写出高电平，此时场效应管Q3处于接通状态，负载7通电，当比较器U3的1脚输出的电平为高，如果单片机U1判断其为高电平，则单片机U1使用给定的程序，在单片机U1的CP1口上写出低电平，此时场效应管Q3处于截止状态，负载(7)不通电。...

【技术特征摘要】
1.一种过流过温保护控制电路，包括保护值设定电路(2)、采样信号比较处理电路(3)、单片机电路(4)、反馈取样电路(5)、电平转换电路(6)、负载(7)、场效应管Q3，所述的保护值设定电路⑵连接在采样信号比较处理电路⑶中的比较器U3的2脚，单片机电路(4)连接在采样信号比较处理电路(3)和电平转换电路(6)之间，其特征在于:所述的场效应管Q3的漏极D接负载(7)和反馈取样电路(5)，场效应管Q3的源极S接地，场效应管Q3的栅极G接电平转换电路(6)中三极管Ql的集电极和电阻R2，电阻R2的另一端接地，电阻R6的一端接效应管Q3的漏极D，电阻R6的另一端接地，所述的采样信号比较处理电路(3)中，在电路启动过程中，当比较器U3的I脚输出的电平为低，如果单片机Ul判断其为低电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上输出低电平，此时场效应管Q3处于截止状态，负载(7)不通电，当比较器U3的I脚输出的电平为高，如果单片机Ul判断其为高电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上输出高电平，此时场效应管Q3处于导通状态，负载(7)通电；而在电路工作过程中，当比较器U3的I脚输出的电平为低，如果单片机Ul判断其为低电平，则单片机Ul使用给定的程序，在单片机Ul的CPl 口上写出高...

【专利技术属性】
技术研发人员：王启顺，
申请(专利权)人：湖北三环汽车电器有限公司，
类型：发明
国别省市：