发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件，包括：发光结构，其包括多个发光区，该发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层、以及设置在所述多个发光区之间的多个边界区；第一电极单元，被设置在一个发光区中的第一半导体层上；第二电极单元，被设置在另一个发光区中的第二半导体层上；至少一个连接电极，将相邻发光区的一个发光区中的第一半导体层电连接至相邻发光区的另一个发光区的第二半导体层；以及中间焊盘，被设置在至少一个发光区中的第一半导体层或第二半导体层上，其中通过所述连接电极串联连接所述多个发光区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种发光器件、发光器件封装、照明装置及显示装置。
技术介绍
基于氮化镓(GaN)的金属有机化学气相沉积和分子束生长技术的发展，已经研制出能够实现高亮度和白光的红色、绿色和蓝色发光二极管(LED)。这种LED不包含在诸如白炽灯或荧光灯等现有的照明装置中使用的特定的对环境有害的物质(例如汞(Hg))，并因此而具有优异的对环境友好、寿命长和功耗低特性，所以被用作现有的光源的替代物。关乎这种LED的竞争力的关键因素是基于具有高效率和高功率的芯片和封装技术实现高亮度。为了实现闻売度，至关重要的是对光提取效率的提闻。为提闻光提取效率，正在进行多种使用倒装芯片结构、表面毛化、蓝宝石衬底(PSSs)图案化、光子晶体技术和抗反射层结构等的方法研究。通常，发光器件可包括用以产生光的发光结构、用以接收电力的第一电极和第二电极、用以扩散光的电流阻挡层、欧姆接触该发光结构的欧姆层、以及用以提高光提取效率的反射层。在韩国专利特开公开号10-2011-0041270中公开了通常的发光器件的结构。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种发光器件，用以按照各种亮度等级控制光的发射，并增加发光区的面积。在一个实施例中，一种发光器件包括:发光结构，被划分成多个发光区，该发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层、以及至少一个设置在所述多个发光区之间的边界区；第一电极单元，被设置在所述多个发光区的一个发光区中的第一半导体层上；第二电极单元，被设置在所述多个发光区的另一个发光区中的第二半导体层上；至少一个连接电极，将相邻发光区的一个发光区中的第一半导体层电连接至相邻发光区的另一个发光区的第二半导体层；以及中间焊盘，被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第二半导体层上，其中通过所述连接电极串联连接所述多个发光区。在另一个实施例中，一种发光器件包括:发光结构，被划分成多个发光区，该发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层、以及至少一个设置在所述多个发光区之间的边界区；第一电极单元，被设置在所述多个发光区的一个发光区中的第一半导体层上；第二电极单元，被设置在所述多个发光区的另一个发光区中的第二半导体层上；至少一个连接电极，将相邻发光区的一个发光区中的第一半导体层电连接至相邻发光区的另一个发光区的第二半导体层；以及中间焊盘，被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第一半导体层上，其中通过所述连接电极串联连接所述多个发光区。该中间焊盘可被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第二半导体层上，其中所述至少一个发光区不是设置有该第一电极单元和第二电极单元的发光区。可选地，该中间焊盘可被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第一半导体层上，其中所述至少一个发光区不是设置有该第一电极单元和第二电极单元的发光区。所述第一电极单元和第二电极单元的每一个可包括用以接收电力的焊盘。该中间焊盘可被电连接至设置在同一发光区中的连接电极。所述发光器件还可包括:绝缘层，被设置在所述发光区和所述边界区中，其中所述连接电极被设置在所述绝缘层上。所述中间焊盘可与同一发光区中的该绝缘层上的所述连接电极隔开。可选地，所述中间焊盘可与同一发光区中的该绝缘层上的所述连接电极结合形成。所述连接电极可包括穿过所述绝缘层并接触相邻发光区的一个发光区中的第二半导体层的第一部分。所述连接电极还可包括穿过该绝缘层、第二半导体层以及有源层并接触相邻发光区的另一个发光区中的第一半导体层的第二部分，其中该绝缘层被设置在该第二部分与第二半导体层之间、并被设置在该第二部分与有源层之间。所述连接电极的第二部分的下表面可被设置得低于该有源层的下表面。所述发光器件还可包括:衬底，被设置在该发光结构之下；以及导电层，被设置在发光区与该绝缘层之间。所述第二部分可穿过该导电层。该绝缘层可被设置在该第二部分与该导电层之间。该第一电极单元可接收第一电力，而所述第二电极单元和该中间焊盘的至少一个可接收第二电力。可选地，该第一电极单元和该中间焊盘可接收第一电力，而该第二电极单元可接收第二电力。在另一个实施例中，一种发光器件包括:发光结构，被划分成多个发光区，该发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层、以及至少一个设置在所述多个发光区之间的边界区；第一电极单元，被设置在所述多个发光区的一个发光区中的第一半导体层上；多个金属层，被设置在各发光区的第二半导体层之下；第二电极单元，电性连接至被设置在所述多个发光区的另一个发光区中的第二半导体层下方的金属层；绝缘层，让所述金属层彼此电性绝缘；至少一个连接电极，将相邻发光区的一个发光区中的第一半导体层电性连接至所述相邻发光区的另一个发光区的第二半导体层；以及中间焊盘，被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第一半导体层上，其中通过所述连接电极串联连接所述多个发光区。每个金属层可包括欧姆层和反射层的至少一个。该中间焊盘可被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第一半导体层上，其中所述至少一个发光区不是设置有该第一电极单元的发光区，也不是与该第二电极单元电性连接的发光区。所述发光器件还可包括:钝化层，被设置在所述发光区和边界区中，其中所述连接电极被设置在该钝化层上。所述连接电极可包括:至少一个第一部分，穿过该钝化层、该第一半导体层以及该有源层并接触相邻发光区的一个发光区中的第二半导体层；以及至少一个第二部分，穿过该钝化层并接触相邻发光区的另一个发光区中的第一半导体层，其中该钝化层被设置在该第一部分与该第一半导体层之间、以及被设置在该第一部分与该有源层之间。该第二电极单元可包括:阻挡层，被电性连接至设置于所述多个发光区的另一个发光区中的第二半导体层之下的该金属层；以及支撑层，被设置在该阻挡层之下。所述发光器件还可包括:电流阻挡层，被设置在每个发光区中的第二半导体层与金属层之间，对应于该连接电极或该中间焊盘，该电流阻挡层沿竖直方向至少部分重叠于该连接电极或该中间焊盘。该绝缘层可以使除电性连接至该第二电极单元的金属层之外的多个金属层与该第二电极单元电性绝缘。附图说明在下文中，将参照附图具体描述多个配置和实施例，在这些附图中相同的附图标记指代相同的元件，并且其中:图1是示出根据第一实施例的发光器件的平面图；图2是沿着图1所示的发光器件的AA’方向截取的剖面图；图3是沿着图1所示的发光器件的BB’方向截取的剖面图；图4是沿着图1所示的发光器件的CC’方向截取的剖面图；图5是图1所示的发光器件的电路图；图6是示出根据第二实施例的发光器件的平面图；图7是沿着图6所示的发光器件的DD’方向截取的剖面图；图8是沿着图6所示的发光器件的EE’方向截取的剖面图；图9是图6所示的发光器件的电路图；图10是示出根据第三实施例的发光器件的平面图；图11是沿着图10所示的发光器件的FF’方向截取的剖面图；图12是示出包括根据一个实施例的发光器件的发光器件封装的剖面图；图13是包括根据一个实施例的发光器件封装的照明装置的分解透视图；以及图14是包括根据一个实施例的发光器件封装的显示装置的分解透视图。具体实施例方式在下文中，根据参照附图进行的描述，将得以清楚理解多个实施例。应理解到，当提到元件位于另一个元件“之上”或“之下”时，它能够直接位于该元件之上/之下，并且也可以存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，被划分成多个发光区，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层、以及至少一个设置在所述多个发光区之间的边界区；第一电极单元，被设置在所述多个发光区的一个发光区中的第一半导体层上；第二电极单元，被设置在所述多个发光区的另一个发光区中的第二半导体层上；至少一个连接电极，将相邻发光区的一个发光区的第一半导体层电连接至所述相邻发光区的另一个发光区的第二半导体层；以及中间焊盘，被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第二半导体层上，其中通过所述连接电极串联连接所述多个发光区。

【技术特征摘要】
2011.10.28 KR 10-2011-01113091.一种发光器件，包括: 发光结构，被划分成多个发光区，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层、以及至少一个设置在所述多个发光区之间的边界区； 第一电极单元，被设置在所述多个发光区的一个发光区中的第一半导体层上； 第二电极单元，被设置在所述多个发光区的另一个发光区中的第二半导体层上； 至少一个连接电极，将相邻发光区的一个发光区的第一半导体层电连接至所述相邻发光区的另一个发光区的第二半导体层；以及 中间焊盘，被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第二半导体层上， 其中通过所述连接电极串联连接所述多个发光区。2.一种发光器件，包括: 发光结构，被划分成多个发光区，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层、以及至少一个设置在所述多个发光区之间的边界区； 第一电极单元，被设置在所述多个发光区的一个发光区中的第一半导体层上； 第二电极单元，被设置在所述多个发光区的另一个发光区中的第二半导体层上； 至少一个连接电极，将相邻发光区的一个发光区的第一半导体层电连接至所述相邻发光区的另一个发光区的第二半导体层；以及 中间焊盘，被设置在所述 多个发光区的至少一个发光区中的第一半导体层上， 其中通过所述连接电极串联连接所述多个发光区。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述中间焊盘被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第二半导体层上，其中所述至少一个发光区不是设置有该第一电极单元和第二电极单元的发光区。4.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述中间焊盘被设置在所述多个发光区的至少一个发光区中的第一半导体层上，其中所述至少一个发光区不是设置有该第一电极单元和第二电极单元的发光区。5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述第一电极单元和所述第二电极单元的每一个包括用以接收电力的焊盘。6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的发光器件，其中所述中间焊盘被电连接至设置在同一发光区中的连接电极。7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的发光器件，还包括: 绝缘层，被设置在所述多个发光区和所述边界区中， 其中所述连接电极被设置在所述绝缘层上。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述中间焊盘与同一发光区中的所述绝缘层上的所述连接电极隔开。9.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述中间焊盘与同一发光区中的所述绝缘层上的所述连接电极结合形成。10.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述连接电极包括穿过所述绝缘层并接触所述相邻发光区的一个发光区中的第二半导体层的第一部分。11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述连接电极还包括穿过所述绝缘层、所述第二半导体层以及所述有源层并接触所述相邻发光区的另一个发光区中的第一半导体层的第二部分， 其中所述绝缘层被设置在所述第二部分与所述第二半导体层之间、以及被设置在所述第二部分与所述有源层之间。12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述连接电极的第二部分的下表面被设置得低于所述有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：金省均，吴玧京，秋圣镐，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：