用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构制造技术

本发明专利技术公开了一种用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，包括一N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间被相互隔离；各P型阱内分别有两个N型有源区，两个N型有源区通过一P型有源区隔离；各P型阱之间设有栅极；所述每个P型阱内的两个N型有源区相互短接，并与该P型阱内的P型有源区相连；各栅极均相互短接；其中一个P型阱内的N型有源区与栅极相连，并经过一电阻与接地端相连；其它的P型阱内的N型有源区直接与接地端相连。本发明专利技术通过对现有的沟槽型绝缘栅场效应管的结构单元从电路上进行优化组合，增加栅极电容耦合电路，能够达到降低场效应管开启电压，提升器件泄放电流能力的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种沟槽型绝缘栅场效应管，具体涉及一种用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构。
技术介绍
现有的沟槽型绝缘栅场效应管(IGBT)单元如图1所示，包括一 N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间分别通过沟槽隔离；沟槽内形成有栅氧化层，栅氧化层内填充有多晶硅栅，构成场效应管的栅极；沟槽两侧的P型阱内分别有一 N型有源区作为场效应管的源极；在P型阱中与N型有源区相邻的还有一 P型有源区用做P型阱的接出端，在外部与源极相连#型外延层的背面有一层P型注入层，作为场效应管的漏极引出端。对于静电保护器件，要求其触发电压应当小于内部被保护器件的损毁电压(损毁电压一般是栅氧Gate Oxide击穿电压或者器件源漏的击穿电压)。而现有的沟槽型绝缘栅场效应管器件在用于静电保护时，其触发电压不会低于N型外延与P型阱的击穿电压，因此其击穿电压较高，而且受工艺本身的限制很难调整。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，它可以解决IGBT器件在用于静电保护时的触发电压太高以致无法保护住内部电路的问题。为解决上述技术问题，本专利技术用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构的技术解决方案为:包括一 N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间被相互隔离；各P型阱内分别有两个N型有源区作为场效应管的源极，P型阱内的两个N型有源区通过一 P型有源区隔离#型外延层的背面有一层P型注入层作为场效应管的漏极引出端；各P型阱之间设有栅极；所述每个P型阱内的两个N型有源区相互短接，并与该P型阱内的P型有源区相连；各栅极均相互短接；其中一个P型阱内的N型有源区与栅极相连，并经过一电阻与接地端相连；其它的P型阱内的N型有源区直接与接地端相连。所述多个P型阱之间被沟槽相互隔离；各沟槽内形成有栅氧化层，栅氧化层内填充有多晶硅栅，各沟槽内的栅氧化层及多晶硅栅构成所述栅极。所述多个P型阱之间被N型外延层相互隔离；各隔离区的上方有栅氧化层，栅氧化层的上方有多晶硅栅，各隔离区上方的栅氧化层及多晶硅栅构成所述栅极。本专利技术可以达到的技术效果是:本专利技术通过对现有的沟槽型绝缘栅场效应管的结构单元从电路上进行优化组合，增加栅极电容耦合电路，能够达到降低场效应管开启电压，提升器件泄放电流能力的目的。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明:图1是现有的沟槽型绝缘栅场效应管的示意图；图2是本专利技术用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构的示意图；图3是本专利技术的另一实施例的示意图；图4是本专利技术的等效电路图。图5是采用本专利技术的电路图。具体实施例方式如图2所示为本专利技术用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构的第一实施例，包括一 N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间分别通过沟槽隔离；各沟槽内形成有栅氧化层，栅氧化层内填充有多晶硅栅，各沟槽内的栅氧化层及多晶硅栅构成场效应管的栅极；各P型阱内分别有两个与沟槽相邻的N型有源区作为场效应管的源极；P型阱内的两个N型有源区通过一 P型有源区隔离，P型有源区用做P型阱的接出端，在外部与源极相连#型外延层的背面有一层P型注入层，作为场效应管的漏极引出端；该场效应管为纵向沟槽型绝缘栅场效应管；每个P型阱内的两个N型有源区相互短接，并与该P型阱内的P型有源区相连；各栅极均相互短接；其中一个P型阱内的N型有源区与栅极相连，并经过一电阻与接地端相连；其它的P型阱内的N型有源区直接与接地端相连。如图3所示为本专利技术用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构的第二实施例，包括一 N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间分别通过N型外延层隔离；各隔离区的上方有栅氧化层，栅氧化层的上方有多晶硅栅，各隔离区上方的栅氧化层及多晶硅栅构成场效应管的栅极；各P型阱内分别有两个N型有源区作为场效应管的源极；P型阱内的两个N型有源区通过一 P型有源区隔离，P型有源区用做P型阱的接出端，在外部与源极相连#型外延层的背面有一层P型注入层，作为场效应管的漏极引出端；该场效应管为横向沟槽型绝缘栅场效应管；每个P型阱内的两个N型有源区相互短接，并与该P型阱内的P型有源区相连；各栅极均相互短接；其中一个P型阱内的N型有源区与栅极相连，并经过一电阻与接地端相连；其它的P型阱内的N型有源区直接与接地端相连。本专利技术的等效电路图如图4所示。为了降低绝缘栅场效应管的触发电压，本专利技术采用栅极电容耦合电路对其进行优化，选出一组场效应管单元作为等效电容。如图5所示，当有静电从静电端进入时，同时会在多晶硅栅上耦合电流，此电流经过外接电阻到接地端时，会在多晶硅栅上耦合形成电压，导致用于放电的场效应管单元的沟道开启形成电流，进而触发了 IGBT中寄生的NPN和PNP三极管开启泄放电流。由于静电的上升时间是在纳秒(ns)级，而正常工作电压的上升时间是毫秒(ms)级，较静电的上升时间慢了很多，也不容易在多晶硅栅上耦合电压，因此使用此电容耦合触发的方式，不会导致IGBT器件在正常工作电压下被误触发。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，包括一N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间被相互隔离；各P型阱内分别有两个N型有源区作为场效应管的源极，P型阱内的两个N型有源区通过一P型有源区隔离；N型外延层的背面有一层P型注入层作为场效应管的漏极引出端；各P型阱之间设有栅极；其特征在于：所述每个P型阱内的两个N型有源区相互短接，并与该P型阱内的P型有源区相连；各栅极均相互短接；其中一个P型阱内的N型有源区与栅极相连，并经过一电阻与接地端相连；其它的P型阱内的N型有源区直接与接地端相连。

【技术特征摘要】
1.一种用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，包括一 N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间被相互隔离；各P型阱内分别有两个N型有源区作为场效应管的源极，P型阱内的两个N型有源区通过一 P型有源区隔离；N型外延层的背面有一层P型注入层作为场效应管的漏极引出端；各卩型阱之间设有栅极；其特征在于:所述每个P型阱内的两个N型有源区相互短接，并与该P型阱内的P型有源区相连；各栅极均相互短接；其中一个P型阱内的N型有源区与栅极相连，并经过一电阻与接地...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏庆，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：