【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺的设备离子注入机,离子注入机的一种双灯丝离子源调节弧流平衡方法。
技术介绍
在半导体制造工艺设备离子注入机中,离子源部件是离子注入机的关键部分起到决定性的作用,直接影响到离子注入晶片的剂量大小以及离子束流的纯度。间接加热式离子源由放电室(阳极)、灯丝、阴极、反射极构成、离子源的灯丝座以及外壳、水冷。在高真空条件下,加上一定的电流使灯丝加热,当加热温度达到电子的溢出功,灯丝发射电子,在灯丝与阴极之间加一偏压,电子在偏压加速下,以一定的能量打到阴极上,使阴极发热,同样当温度达到电子的溢出功时,阴极表面发射电子,在阴极与阳极(放电室)之间加上弧压(约-100V),阴极表面溢出的电子在弧压电场电场作用下,由阴极飞向阳极;在放电室中送入了一定的工艺气体,放电室由高真空变为低真空,阴极发射的电子与放电室中的气体发生碰撞而产生电离,形成等离子体。在离子源部件中,为了增加电子在放电室中的飞行路程,以便提高电子与气体的碰撞几率从而提高离子源的电离效率,在放电室中加上磁场B(几十 几百GS)(所说的源磁场),在磁场中电子作螺旋运动有效地提高了电子的运动路程。同时在阴极的对面加了一个反射电极,其电位与阴极相同,当电子运动到反射极时会被排斥回来,提高电子的寿命。离子源放电形成的等离子体密度与阴极发射的电子量、送气量(放电室中的气压)、弧压、磁场的大小密切相关。
技术实现思路
本专利技术是针对双灯丝离子源弧流平衡稳定的一种方法。两个灯丝在在各个电源的调节下,在相同的弧室中最终达到了弧流平衡。如图1双灯丝离子源示意图。本专利技术通过以下技术方案实现:1.,包 ...
【技术保护点】
一种双灯丝离子源平衡调节方法,包括:灯丝电源1(1)、灯丝电源2(2)、偏置电源1(3)、偏置电源2(4)、弧压电源(5)、比较器1(6)、比较器2(7)、两个霍尔传感器(8)。其特征在于:其中所述双灯丝离子源包括:灯丝电源1(1)、灯丝电源2(2)、偏置电源1(3)、偏置电源2(4)、弧压电源(5)、比较器1(6)、比较器2(7)、两个霍尔传感器(8)、两个反向器(9)。灯丝电源1(1)和2(2)用来给离子源的灯丝加热,当灯丝加热温度达到一定程度时,灯丝就会发射电子,偏置电源1(3)和2(4)加在阴极与灯丝之间,使得电子以一定能量打到阴极上,形成偏流。同样阴极在持续的轰击下,阴极表面发射电子,弧压电源(5)连接在弧室与阴极之间,电子在弧压电场作用下,向弧室运动,最终吸附到弧室上形成弧流。
【技术特征摘要】
1.一种双灯丝离子源平衡调节方法,包括:灯丝电源I (I)、灯丝电源2(2)、偏置电源I(3)、偏置电源2 (4)、弧压电源(5)、比较器I (6)、比较器2 (7)、两个霍尔传感器(8)。其特征在于: 其中所述双灯丝离子源包括:灯丝电源I (I)、灯丝电源2 (2)、偏置电源I (3)、偏置电源2(4)、弧压电源(5)、比较器I (6)、比较器2 (7)、两个霍尔传感器(8)、两个反向器(9)。灯丝电源I (I)和2 (2)用来给离子源的灯丝加热,当灯丝加热温度达到一定程度时,灯丝就会发射电子,偏置电源1(3)和2(4)加在阴极与灯丝之间,使得...
【专利技术属性】
技术研发人员:林萍,伍三忠,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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