于本发明专利技术第一实施态样中，是提供一基材载件，其包含一外壳，其可密封且可屏蔽至少一基材。该基材载件包括一通至该外壳的第一端口，且其适于在基材载件关闭时使气体流入该外壳。本发明专利技术亦提供其它多种实施态样。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大致关于半导体组件制造系统，且更明确而言，是关于制造设 备内的基材传送。
技术介绍
半导体组件的制造通常包括一连串与基材(例如硅基材、玻璃板等)有 关的程序。前述基材可称为晶片，无论经过图案化与否。这些步骤可包括 研磨、沉积、蚀刻、微影、热处理等等。通常数种不同制程步骤可于单一制程系统、或r工具(tool)」中(包括数个制程处理室)进行。然而，其它制 程一般也需在制造设备内其它制程位置处进行。且因此需使基材能在制造 设备内由一制程位置传送至另一位置。取决于欲制造的半导体组件类型， 可能需要在制造设备内许多不同制程位置处进行相当大数量的制程步骤。一般基材是在基材载件内(如密封匣、卡盒、容器等)由一制程位置传 送至另一制程位置。为避免伤及基材载件内运送的基材，需特别保护基材 以避免其在基材载件传送期间受到污染。同时业界也需要可使基材栽件内 的基材遭受污染的方法及设备。
技术实现思路
本专利技术于某些实施态样中是提供一种基材栽件，其包括一外壳，适于 密封并屏蔽至少一基材；以及一通至该外壳的第一端口 ，以在基材载件关 闭时让气体流入该外壳。本专利技术其它实施态样是提供一种装载端口，其包括一板，适于耦接至 基材载件的门以开启基材栽件。该板包括一第一开口，适于从该板第一侧 上耦接至该基材栽件的门中的第一端口 ，以及耦接至该板的第二侧上的气 体源。该装载端口适于让气体经由该板中的该第一开口流入基材载件。本专利技术其它实施态样是提供一种方法，其包括将气体流入基材载件，以于基材载件内形成较基材载件外侧为大的压力；以及开启基材载件的门， 以让气体经由门开口流出基材载件。本专利技术其它实施态样是提供一种方法，其包括将惰性气体流入含有基 材的封闭基材载件；将气体由基材载件排出；以及一旦气体已大体上由惰 性气体取代后，密封该基材载件。本专利技术又一 实施态样是提供一种方法，其包括将气体由含有基材的封 闭基材载件排出；以及一旦气体已大体上由基材载件移除后，密封该基材 载件。本专利技术亦提供其它实施态样。在下文例示实施例、附加申请专利范围及图标的详细说明后，本专利技术 其它特征及实施态样将更得以清楚领会。附图说明图1是公知基材载件的俯视截面图。图2是依据本专利技术实施例的基材载件的等距视图。图3A是依据本专利技术实施例的洁净端口的等距视图。图3B是依据本专利技术实施例的排气端口的等距视图。图4A是本专利技术实施例的基材载件与装载端口的平面侧视图。图4B是本专利技术实施例用以开启基材载件门的一板的等距前视图。图5是本专利技术实施例于图4B的板的等距后视图。图6是本专利技术实施例于图2的基材的俯视截面困。图7是依据本专利技术实施例第二例示性基材载件的洁净气体流动。主要组件符号说明101公知基材载件103外壳105储存区109门111流动201基材载件203外壳205基材207门209洁净端口211排气端口301中心开o303第一密封件305第二密封件307共中心区域401板403洁净开口405真空开口407排气开口501气体配件503真空配件505排气配件601储存区603低压区域605流动701基材载件703通道/文件板705外壳707门709基材711流动具体实施例方式于半导体组件制造期间， 一或多种基材可于传统基材载件内作传送。 然而，开启传统基材载件的门时可能会不利的影响半导体组件制造。例如，图1为公知基材载件101的俯视截面图。参照图1，公知基材载件101包 括一界定出一储存区105的外壳103,其中可储存一或多片基材(以虚线表 示)。该载件并设置一门109,以藉由密封靠抵外壳103的方式封闭基材载 件101。于此方式下，门109可将基材栽件101内的第一环境与基材栽件 101外的第二环境分隔开。于公知半导体组件制造制程期间，基材载件101内的压力P1与基材 载件101外的压力P2(例如，周围压力)相同。因此，当门109开启以将基 材插入及/或自基材载件101取出时，基材载件101中的压力P1会下降(因 门109往外移动)，且基材载件101外的气体(如，周围空气)会流入基材载 件101中。图1例示性的绘出这样流入111基材栽件101的气体。因为基材载件101外部的环境可能含有污染物，使得流入基材载件 101的气体将污染物引入基材载件101内的任一基材。依据本专利技术，在基 材载件开启时，载件门开启的期间及/或之后流入基材载件的气体(例如，洁 净气体)会减少及/或避免基材载件外的气体进入基材载件。本专利技术细节将参 照下文第2至图7进行说明。图2为本专利技术实施例的基材载件201的等距视图。参照图2,基材载 件201包括一界定出一储存区(未示于图2，图6中的601)的外壳203,其 中可储存一或多片基材205。基材载件201包括一门207,其可相对于该 外壳203密封该基材载件201。该门207可将基材载件201内的第一环境 与基材载件201外的第二环境分隔开。基材载件201包括一或多个洁净端口 209，其适于让气体(如空气(如 清洁的干燥空气)、氮气、氩气、其它惰性气体或类似者)在门207开启(如， 沿X轴移动)之前、期间及/或之后流入基材载件201。下文将参照图3A描 述一或多个洁净端口的细节。基材栽件201包括一或多个排气端口 211，用以将气体排出基材载件 201(如，在门207移动时经由洁净端口 209提供至基材载件201的气体)。 于此方式下， 一或多个排气端口 211可避免基材载件201过度加压。于图 2实施例中，洁净端口 209及排气端口 211位于门207上。然而，洁净端 口 209及/或排气端口 211可设于不同位置。例如，于某些实施例中，外壳 203可包括一或多个洁净端口 209及/或一或多个排气端口 211。此外，基 材载件201可包括较多或较少数目的洁净端口 209及/或排气端口 211。于 某些实施例中，可将过滤器(未示出)耦接至一排气端口 211，以使流经排气 端口 211的气体通过，并在离开基材载件201之前由过滤器过滤(例如，用 以避免基材载件201内的污染物离开)。各洁净端口 209同样可包含一过滤 器(如下文所述)。图3A是依据本专利技术实施例的等距视图。参照图3A，洁净端口 209包 括一中心开口(如，孔洞)301，其适于将气体流入(如，单向流动)基材载件 201。过滤器(未示出)可耦接至中心开口 301,以使流过中心开口 301的气 体在进入基材载件201之前通过该过滤器。虽然基材载件201的中心开口 301图标为孔洞，但也可使用其它形状的中心开口 301。洁净端口 209可包括第一密封件303,例如O型环、吸盘(suction cup) 或类似物，环设在中心开口 301周围。环绕中心开口 301的该第一密封件 303可确保中心开口 301与流过中心开口 301的上游气体源之间有适当密 封。 于洁净端口 209设在基材载件门207中的实施例中，当气体(如加压气 体)流过中心开口 301(如，并流经过滤器)时，气体流动的方向上(如，远离 该气体流来源)会有力施加在门上并推动门207。因此，洁净端口 209会包 括一环绕该第 一密封件303的第二密封件305(如，0型环、吸盘或类似物)， 以界定出一与该第一及第二密封件301、 305间的中心开口本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基材载件，其至少包含： 外壳，其可密封且可屏蔽至少一基材；以及 第一端口，通至该外壳，其适于在基材载件关闭的同时使气体流入该外壳。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：VK沙哈，E恩尔哈特，JC赫金斯，M埃利奥特，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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