非可逆电路元件制造技术

获得能够不使插入损失恶化，而可调整隔离频率的非可逆电路元件。具有以相互绝缘状态交叉配置于通过永磁铁而被施加直流磁场的铁素体（32）上的第1中心电极（35）以及第2中心电极（36），第1中心电极（35）的一端与端口（P1）连接，另一端与端口（P2）连接，第2中心电极（36）的一端与端口（P2）连接，另一端与端口（P3）连接。在端口（P1）、（P2）之间，终端电阻（R）和可变电容电容器（C11）与第1中心电极（35）并联连接。通过变更电容器（C11）的电容值，可调整隔离频率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非可逆电路元件，尤其涉及在微波带使用的隔离器、循环器等非可逆电路元件。
技术介绍
以往，隔离器、循环器等非可逆电路元件具有仅向预定的特定方向传发送号，不向反向传发送号的特性。由于该特性，隔离器不被使用于例如汽车电话、移动电话等移动通信设备的发送电路部。作为这种非可逆电路元件，如专利文献I中记载的那样，记载了为了在任意的频带获得充分的隔离特性，对多个匹配用电容器分别串联连接第I可变匹配机构，使该第I可变匹配机构的电抗变化的非可逆电路元件。然而，使用该非可逆电路元件，在高频电流从顺向输入时，由于该高频电流通过上述第I可变匹配机构，因此无论如何都具有插入损失变大这一问题。专利文献1:日本特开2008-85981号公报。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种能够不使插入损失恶化，而可调整隔离频率的非可逆电路元件。本专利技术的第I方式的非可逆电路元件的特征在于，具备:永磁铁；铁素体，其通过上述永磁铁被施加直流磁场；多个中心电极，它们以相互绝缘状态交叉配置于上述铁素体；终端电阻，其在输入输出端口间与上述中心电极之一并联连接；以及电容可变的电容单元，其在输入输出端口间、与上述终端电阻连接。在第I方式的非可逆电路元件中，若从反向输入高频电流，该高频电流通过与终端电阻并联连接的中心电极和电容可变的电容单元所形成的并联谐振电路而衰减(隔离)。通过变更电容单元的电容值，可调整隔离频率。另外，通过选择终端电阻的阻抗，可调整衰减量。另一方面，若从正向输入高频信号，则大的电流流入未连接终端电阻的中心电极，由于高频电流几乎不流入终端电阻、上述电容单元，所以电容单元即使被追加，也能够忽略由此引起的损失，插入损失不会增大。本专利技术的第2方式的非可逆电路元件具备:永磁铁；铁素体，其通过上述永磁铁被施加直流磁场；以及第I中心电极以及第2中心电极，它们以相互绝缘状态交叉配置于上述铁素体；上述第I中心电极的一端与输入端口电连接，另一端与输出端口电连接，上述第2中心电极的一端与输出端口电连接，另一端与接地端口电连接，在上述输入端口与上述输出端口之间电连接有终端电阻，在上述输入端口与上述输出端口之间与上述终端电阻并联连接有电容可变的电容单元，在上述输出端口与上述接地端口之间电连接有匹配电容。在第2方式的非可逆电路元件中，若从输出端口输入高频电流，则该高频电流通过由第I中心电极和电容可变的电容单元所形成的并联谐振电路而被衰减(隔离)。通过变更电容单元的电容值，可调整隔离频率。另外，通过选择终端电阻的阻抗，可调整衰减量。另一方面，在高频电流进行从输入端口流向输出端口的动作时，由于大的高频电流流入第2中心电极，高频电流几乎不流入终端电阻、上述电容单元，所以即使追加电容单元，也能够忽略由此引起的损失,插入损失不会增大。本专利技术的第3方式的非可逆电路元件的特征在于，具备:永磁铁、铁素体，其通过上述永磁铁而被施加直流磁场；第I中心电极以及第2中心电极，它们以相互绝缘状态交叉配置于上述铁素体，上述第I中心电极一端与输入端口电连接，另一端与输出端口电连接，上述第2中心电极一端与输出端口电连接，另一端与接地端口电连接，在上述输入端口与上述输出端口之间电连接有第I匹配电容，在上述输出端口与上述接地端口之间电连接有第2匹配电容，在上述输入端口与上述输出端口之间电连接有终端电阻，在上述输入端口与上述输出端口之间与上述终端电阻并联连接有电容可变的电容单元。在第3方式的非可逆电路元件中，若高频电流从输出端口被输入，则该高频电流通过由第I中心电极、第I匹配电容以及电容可变的电容单元所形成的并联谐振电路而被衰减(隔离)。通过变更电容单元的电容值，可调整隔离频率。另外，通过选择终端电阻的阻抗，可调整衰减量。另一方面，在进行高频电流从输入端口流向输出端口的动作时，大的高频电流流入第2中心电极，高频电流几乎不流入终端电阻、上述电容单元，因此即使追加电容单元,也能够忽略由此引起的损失,插入损失不会增大。根据本专利技术，不使插入损失特性恶化，而可调整隔离频率。附图说明图1是表示第I实施例的非可逆电路元件的等效电路图。图2是表示第2实施例的非可逆电路元件的等效电路图。图3是表示第3实施例的非可逆电路元件的等效电路图。图4是表示第4实施例的非可逆电路元件的等效电路图。图5是表示第2实施例的非可逆电路元件的构成例I的立体图。图6是表示第2实施例的非可逆电路元件的构成例2的立体图。图7是表示铁素体/磁铁元件的分解立体图。图8是表示带有中心电极的铁素体的立体图。图9是表示第2实施例的非可逆电路元件的输入匹配特性的史密斯图。图10是表示第2实施例的非可逆电路元件的插入损失的图。图11是表示第2实施例的非可逆电路元件的隔离特性的图。图12是表示第2实施例的非可逆电路元件的输出匹配特性的史密斯图。图13是表示第4实施例的非可逆电路元件的输入匹配特性的史密斯图。图14是表示第4实施例的非可逆电路元件的插入损失的图。图15是表示第4实施例的非可逆电路元件的隔离特性的图。图16是表示第4实施例的非可逆电路元件的输出匹配特性的史密斯图。具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的非可逆电路元件的实施例进行说明。其中，在各图中对于相同的构件、部分赋予共同的附图标记，并省略重复的说明。(第I实施例，参照图1)如图1所示，第I实施例的非可逆电路元件(两端口型隔离器)，具备通过未图示的永磁铁施加直流磁场的铁素体32、以相互绝缘状态交叉配置于该铁素体32的第I中心电极35 (LI)以及第2中心电极36 (L2)。第I中心电极35的一端与输入端口 Pl连接，另一端与输出端口 P2连接。第2中心电极36的一端与输出端口 P2连接，另一端与接地端口 P3连接。终端电阻R与第I中心电极35并联连接在输入端口 Pl与输出端口 P2之间，在输入端口 Pl与输出端口 P2之间连接有可变电容电容器C11，在输出端口 P2与接地端口 P3之间连接有匹配电容器C2。在该非可逆电路元件中，若从输出端口 P2输入高频电流，则该高频电流通过由第I中心电极35和可变电容电容器Cll形成的并联谐振电路而衰减(隔离)。通过变更可变电容电容器Cll的电容值，可调整隔离频率。另外，通过选择终端电阻R的阻抗，可调整衰减量。另一方面，在进行高频电流从输入端口 Pl流向输出端口 P2的动作时，大的高频电流流入第2中心电极36，由于几乎没有高频电流流入终端电阻R、可变电容电容器C11，所以即使追加可变电容电容器C11，也能够忽略由此引起的损失，插入损失不会增大。此外，可变电容电容器Cll可以是电容值能够阶段地变更、或者电容值能够无阶段地变更的电容器中的任意之一。(第2实施例，参照图2)如图2所示，第2实施例的非可逆电路元件(两端口型隔离器)将终端电阻R以及第I匹配电容器Cl与第I中心电极35并联连接，阻抗匹配用的电容器CS1、CA与输入端口Pl侧连接，阻抗匹配用的电容器CS2与输出端口 P2侧连接，另外，与第I中心电极35、终端电阻R并联连接有调整用电容器C12和切换该电容器C12的接通、断开的开关元件Sll。其他构成与上述第I实施例相同。此外，参照以下的图9 图12对本第2实施例的特性进行说明。在该非可逆电路元件中，若从输出端口 P2输入高频电流,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.09 JP 2010-1784441.一种非可逆电路元件，其特征在于，具有: 永磁铁； 铁素体，其通过上述永磁铁而被施加直流磁场； 多个中心电极，它们以相互绝缘状态交叉配置于上述铁素体； 终端电阻，其在输入输出端口间与上述中心电极之一并联连接；以及 电容可变的电容单元，其在输入输出端口间、与上述终端电阻连接。2.一种非可逆电路元件，其特征在于， 具有: 永磁铁； 铁素体，其通过上述永磁铁而被施加直流磁场；以及 第I中心电极以及第2中心电极，它们以相互绝缘状态交叉配置于上述铁素体，上述第I中心电极的一端与输入端口电连接，上述第I中心电极的另一端与输出端口电连接， 上述第2中心电极的一端与输出端口电连接，上述第2中心电极的另一端与接地端口电连接， 在上述输入端口与上述输出端口之间电连接有终端电阻， 在上述输入端口与上述输出端口之间与上述终端电阻并联连接有电容可变的电容单 元， 在上述输出端口与上述接地端口之间电连接有匹配电容。3.一种非可逆电路元件，其特征在于， 具备: 永磁铁、 铁素体，其通过上述永磁铁而被施加直流磁场...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田贵也，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：
国别省市：