通过蚀刻制造天线组件的方法技术

一种用于通过蚀刻来制造天线组件(2)的方法，组件包括衬底(3)及衬底(3)所支承的导电线路配置(4)。通过经由蚀刻剂局部蚀刻掉衬底(3)所支承的导电涂层来形成导电线路配置(4)。通过蚀刻指示符(10)来指示天线组件(2)的蚀刻程度，该蚀刻指示符(10)被设置在待蚀刻天线组件(2)处或者待蚀刻天线组件(2)附近，并且由组件(2)的衬底(3)所支承以及在蚀刻期间暴露于蚀刻剂的相同导电涂层组成。还介绍了包括蚀刻指示符(10)以及用于通过蚀刻来制造天线组件(2)的蚀刻掩模(12)的天线组件(2)或一组(15)天线组件(2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于通过蚀刻来制造天线组件的方法，该组件包括衬底以及由衬底所支承的导电线路配置，并且在其方法中，导电线路配置通过由蚀刻剂局部蚀刻掉衬底所支承的导电涂层来形成。本专利技术还涉及天线组件或一组天线组件，该组件包括衬底以及由衬底所支承的导电线路配置。本专利技术还涉及用于通过蚀刻来制造天线组件的蚀刻掩模，该组件包括衬底以及由衬底所支承的导电线路配置，该导电线路配置通过由蚀刻剂局部蚀刻掉衬底所支承的导电涂层来形成，该蚀刻掩模确定组件的导电线路配置。
技术介绍
通常在对印刷电路板或其它相应电子组件或产品的蚀刻中，蚀刻工艺偏差可弓I起连续蚀刻的相似蚀刻电路之间的电路的电特性的显著偏差。当蚀刻诸如天线结构之类的射频结构时，尤其如此。例如，在对用于射频标识标签或RFID标签的天线进行蚀刻时，蚀刻中的工艺偏差可引起蚀刻天线的频率行为偏差，这进一步影响天线与RFID电路的其它零件的电匹配。图1公开现有技术射频标识标签I或RFID标签I，RFID标签I是可包括天线组件的产品的一个示例，其中，该天线组件包含通过蚀刻所形成的导电线路配置。RFID标签I包括包含衬底3和天线4的天线组件2，天线4是天线组件2的导电线路配置，而衬底3支承在天线4的蚀刻期间被部分去除的导电涂层的一层或多层。天线组件2因此形成可在许多不同种类的应用中使用的RFID标签I的一部分。例如，RFID标签可附连到百货公司所销售的不同种类的商品，用于存储与它们所附连的商品相关的特定信息。天线4提供在RFID标签I与用于读取标签I中存储的信息的装置或者用于发送将要存储在标签I中的信息的装置之间传递信息的部件。RFID标签I还包括设置成与导电线路配置或天线4连接的集成电路5或芯片5，以便存储与RFID标签I所附连的商品相关的特定信息。天线组件2和附连到天线组件2的集成电路5还可附连到压敏粘合剂、即粘贴物6或者另外某种附连元件，因而例如提供已准备好附连到将要在百货公司销售的商品的成品RFID标签I。图1中，通过围绕天线组件2的框示意示出粘贴物6。除了图1所示的基本元件之外，RFID标签I还可包含层压到该结构或者附连到该结构的其它层。天线4可包括两个谐振电路，即辐射元件4’和独立阻抗匹配元件4”，它们电磁耦合在一起，以便连同集成电路5 —起实现天线4的预期频率响应。阻抗匹配元件4”的电感以及连接到阻抗匹配元件4”的集成电路5的输入电阻和输入电容影响阻抗匹配元件4”的频率响应。辐射元件4’的电感、电容和辐射电阻影响辐射元件4’的频率响应。基本上，天线4和集成电路5的阻抗需要适当地匹配，以便使电路具有适当性能和频率响应。尤其是在操作RFID标签的UHF频率范围中，阻抗匹配元件4”和辐射元件4’可通过耦合零件4”’在物理上相互连接，但是实际上，阻抗匹配元件4”和辐射元件4’经由互感相互耦合，即，具有某种谐振频率的阻抗匹配元件4”电感耦合到具有某种谐振频率的辐射元件4’。阻抗匹配元件4”与辐射元件4’之间的耦合距离D、即阻抗匹配环路4”与辐射元件4’之间的最短距离影响天线4的频率响应。应当注意，图1所示的具体天线结构仅作为示例给出。除了福射元件4’之外的独立阻抗匹配环路4”对于被设计用于UHF范围的RFID标签天线也是典型的。例如，在近场操作UHF标签(UHF NF)中，阻抗匹配环路4”的环路结构可执行为没有任何附加辐射元件的天线。对于稍后描述的本专利技术，最重要的是要理解，天线制造中的蚀刻工艺偏差可改变天线4的物理尺寸。天线4的物理尺寸的偏差意味着，天线图案尺寸与初始设计目标具有某种偏离，其设计目标取决于所讨论的RFID标签的频率范围和类型。蚀刻工艺偏差例如可产生自蚀刻剂的温度和成分的偏差或者蚀刻剂对于待蚀刻掉的导电涂层具有作用的时间。天线4的物理尺寸的偏差引起天线4的电参数发生变化，从而改变与集成电路5的天线频率调谐和阻抗匹配。这种频率调谐变化可被进一步看作性能的漂移，使得天线的最佳性能开始降级。频率调谐变化的一个相当典型的因素是阻抗匹配元件4”与辐射元件4’之间的耦合距离D的变化。耦合距离D的变化连同集成电路5 —起进一步改变天线4的阻抗匹配和频率响应。对于一些天线设计，蚀刻之后的耦合距离D的变化可高达±10%。耦合距离D的这种变化可对天线的性能具有显著影响，天线的性能开始降级例如使得天线的频率响应变得明显失真。实际上，这例如可通过RFID标签的读取距离的某种损失而注意到。US公布2007/0069037 Al公开一种包括具有作为辐射元件和阻抗匹配布线部分的天线的天线单元的非接触RFID标签。阻抗匹配布线部分包括集成电路模块的若干安装部分，使得当集成电路模块安装在不同安装位置时，天线单元的频率特性是不同的。通过这种解决方案，单个天线单元构造可用作RFID标签制造的基本天线单元，并且天线单元的最终频率响应通过将集成电路模块安装到天线单元中的特定安装位置来选择。这使得有可能在不同国家RFID标签的容许频带不同的情况下，仅基于一种天线单元来制造具有不同频带的若干类型的RFID标签。按照US公布2007/069037的RFID标签还包括特定标记位置，该特定标记位置形成到集成电路模块的对应安装位置，使得例如能够一看就易于确定所制造RFID标签用于的国家。通过US公布2007/0069037中公开的解决方案，具有不同频率响应特性的RFID标签可通过仅使用一种类型的天线单元构造来制造。但是，US公布2007/0069037中公开的RFID标签仍然遭受实际辐射元件与阻抗匹配布线部分之间的耦合距离的变化或偏差，该变化或偏差源自天线制造中的蚀刻工艺偏差。此外，应当注意，其中的安装位置被设计成引起与不同地理区域的频率要求对应的RFID标签工作频率的相当大的变化。这些变化比关于本专利技术所述的任何蚀刻偏差所引起的变化要大许多。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是提供一种解决方案，通过该解决方案，在进一步使用包括提供天线组件的天线的蚀刻导电线路配置的天线组件中，可考虑源自蚀刻工艺偏差的变化或偏差的影响。本专利技术旨在帮助消除蚀刻偏差在最终产品的电性能方面的影响，诸如在RFID标签中的影响。按照本专利技术的一种方法的特征在于通过蚀刻指示符来指示对天线组件的蚀刻程度，该蚀刻指示符被设置在待蚀刻天线组件处或者待蚀刻天线组件附近，并且由天线组件的衬底所支承以及在蚀刻期间暴露于蚀刻剂的相同导电涂层组成。天线组件或一组天线组件的特征在于，在至少一个天线组件的至少某个制造阶段，在天线组件处或者至少一个天线组件附近存在至少一个蚀刻指示符，该蚀刻指示符提供与至少一个天线组件的蚀刻程度有关的信息，并且由衬底所支承的相同导电涂层组成。按照本专利技术的蚀刻掩模的特征在于，蚀刻掩模包括与蚀刻期间将要保持的导电线路配置对应的至少一个主区域上的阻隔材料，并且蚀刻掩模还包括至少一个子区域上用于形成由衬底所支承的相同导电涂层所组成的蚀刻指示符的阻隔材料，蚀刻指示符设置成指示对天线组件的蚀刻程度。在用于通过蚀刻来制造天线组件的方法中，组件包括衬底以及由衬底所支承的导电线路配置，组件的导电线路配置通过由蚀刻剂局部蚀刻掉衬底所支承的导电涂层来形成。通过蚀刻指示符来指示天线组件的蚀刻程度，该蚀刻指示符被设置在待蚀刻天线组件处或者待蚀刻天线组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于通过蚀刻来制造天线组件(2)的方法，所述组件包括衬底(3)以及所述衬底(3)所支承的导电线路配置(4)，并且在所述方法中，通过经由蚀刻剂局部蚀刻掉所述衬底(3)所支承的导电涂层来形成所述导电线路配置(4)，其特征在于，通过蚀刻指示符(10)来指示所述天线组件(2)的蚀刻程度，所述蚀刻指示符(10)被设置在待蚀刻的所述天线组件(2)处或者待蚀刻的所述天线组件(2)附近，并且由所述天线组件(2)的所述衬底(3)所支承并且在蚀刻期间暴露于蚀刻剂的相同导电涂层组成。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述蚀刻指示符(10)来指示所述蚀刻剂对所述衬底(3)所支承的所述导电涂层的作用程度，所述蚀刻剂对所述导电涂层的作用程度提供与所述天线组件(2)的所述导电线路配置(4)的蚀刻程度有关的信息。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述蚀刻指示符(10)包括图案的多个部分，所述部分相对于彼此具有不同尺寸的相同特性。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，通过蚀刻期间消失的图案的部分的所述数量来指示所述天线组件(2)的所述导电线路配置(4)的蚀刻程度。5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，图案的所述部分是相对于彼此具有不同宽度的多个平行或连续线(11a，lib, 11c，lid, lie)。6.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述蚀刻指示符(10)包括所述蚀刻指示符(10)的参考部分(11c)，并且只有所述参考部分(IlC)以及具有蚀刻期间比所述参考部分(Ilc)的 对应特性小的特性的所述蚀刻指示符(10)的图案的所述部分(lld，He)的消失指示所述天线组件(2)的所述导电线路配置(4)已经蚀刻到与预期蚀刻程度对应的程度。7.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，基于所述蚀刻指示符(10)的蚀刻程度来调整所述蚀刻过程。8.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述天线组件(2)意在形成包括集成电路(5)的射频标识标签(I)或RFID标签(I)的一部分，由此所述导电线路配置(4)意在形成所述RFID标签(I)的天线(4)的至少一部分。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述天线(4)至少包括辐射元件(4’)和阻抗匹配元件(4”)。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述天线(4)的所述阻抗匹配元件(4”)包括用于关于所述阻抗匹配元件(4”)附连所述集成电路(5)的多个可能附连点(7a，7b，7c，7d，7e)，并且基于所述蚀刻指示符(10)的蚀刻程度来确定用于所述集成电路(5)的所述特定附连点(7a，7b，7c，7d，7e)。11.如以上权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，基于所述天线(4)的蚀刻之后的所述蚀刻指示符(10)的蚀刻程度，通过去除或添加导电材料或者通过在所述天线组件(2)添加独立调谐结构以影响所述天线(4)的射频行为，来局部改变所述天线导体结构。12.—种天线组件(2)或一组(15)天线组件(2)，所述组件(2)包括衬底(3)以及所述衬底(3)所支承的导电线路配置(4)，其特征在于，至少在所述至少一个天线组件(2)的某个制造阶段，在所述天线组件(2)处或至少一个天线组件(2)附近存在至少一个蚀刻指示符(10)，所述蚀刻指示符(10)提供与所述至少一个天线组件(2)的蚀刻程度有关的信息，并且由所述衬底(3)所支承的相同导电涂层组成。13.如权利要求12所述的天线组件(2)或一组(15)天线组件(2)，其特征在于，所述蚀刻指示符(10)设置成指示所述蚀刻剂对所述衬底(3)所支承的所述导电涂层的作用程度，所述蚀刻剂对所述导电涂层的作用程度提供与所述天线组件(2)的所述导电线路配置(4)的蚀刻程度有关的信息。14.如权利要求12或13所述的天线组件(2)或一组(15)天线组件(2)，其特征在于，所述蚀刻指示符(10)包括图案的多个部分，所述部分相对于彼此具有不同尺寸的相同特性。...

【专利技术属性】
技术研发人员：A曼尼南，
申请(专利权)人：斯马特拉克IP有限公司，
类型：
国别省市：