【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光刻用清洗液。本专利技术更具体涉及光刻用清洗液以及使用了该光刻用清洗液的图案形成方法，该光刻用清洗液优选在用于制造半导体器件、液晶显示元件等平板显示器(FPD)、滤色器等的感光性树脂组合物的显影工序中使用。
技术介绍
在以LSI等半导体集成电路或FPD的显不面板的制造、滤色器、热能头等的电路基板的制造等为代表的宽范围的领域，为了进行微细元件的形成或者微细加工，历来利用有光刻技术。在光刻法中，为了形成抗蚀图案而使用正型或者负型的感光性树脂组合物。这些感光性树脂组合物之中，作为正型光致抗蚀剂，广泛利用有例如包含碱可溶性树脂和作为感光性物质的醌二叠氮化合物的感光性树脂组合物。然而，近年对LSI的高集成化的需求在增高，对抗蚀图案的微细化提出了要求。为了对应于这样的需求，使用短波长的KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)、极远紫外线(EUV ;13nm)、X射线、电子射线等的光刻工艺正在得到实用化。为了对应于这样的图案的微细化，对于在微细加工时用作光致抗蚀剂的感光性树脂组合物也要求开发出高分辨率的感光性树脂组合物。进一步,对于感光性树脂组合物,在分辨率的基础上还同时要求实现灵敏度、图案形状、图像尺寸的准确度等的性能提高。对此，作为对短波长的辐射线具有感光性的高分辨率的射线敏感性树脂组合物，提出了 “化学放大型感光性树脂组合物”。该化学放大型感光性树脂组合物包含通过照射辐射线而产生酸的化合物，通过照射辐射线从该产酸化合物产生酸，基于所产生的酸而进行催化性的图像形成，通过这样的催化性的图像形成工序从而可获得高的灵敏度，在这一点等方...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.13 JP 2010-1813051.一种光刻用清洗液，其特征在于，其包含由下述通式(I) (3)中选出的至少一种含氮化合物和水，2.根据权利要求1所述的光刻用清洗液，其中，所述含氮化合物是由通式(2)表示的含氮化合物。3.根据权利要求2所述的光刻用清洗液，其中，所述含氮化合物是由如下物质组成的组中选出的含氮化合物: N，N，N，,N，-四甲基乙二胺、N，N，N，,N，-四乙基乙二胺、N，N，N，,N，-四丙基乙二胺、N，N，N，,N，-四异丙基乙二胺、N，N，N，,N，-四丁基乙二胺、N，N，N，，N，-四异丁基乙二胺、N，N，N’，N’ -四甲基-1，2-丙二胺、N，N，N，，N，-四乙基-1, 2-丙二胺、 N，N，N，，N，-四丙基-1, 2-丙二胺、N，N，N’，N’ -四异丙基-1，2-丙二胺、N，N，N’，N’ -四丁基-1, 2-丙二胺、N，N，N’，N’ -四异丁基-1，2-丙二胺、N，N，N’，N’ -四甲基-1，3-丙二胺、N，N，N，，N，-四乙基-1, 3-丙二胺、N，N，N，，N，-四丙基-1, 3-丙二胺、N，N，N’，N’ -四异丙基-1，3-丙二胺、N，N，N’，N’ -四丁基-1, 3-丙二胺、N，N，N’，N’ -四异丁基-1，3-丙二胺、N，N，N’，N’ -四甲基-1，2- 丁二胺、N，N，N，，N，-四乙基-1, 2- 丁二胺、N，N，N，，N，-四丙基-1, 2- 丁二胺、N，N，N’，N’ -四异丙基-1，2- 丁二胺、N，N，N，，N，-四丁基-1, 2- 丁二胺、N，N，N’，N’ -四异丁基-1，2- 丁二胺、N，N，N’，N’ -四甲基-1，3- 丁二胺、N，N，N，，N，-四乙基-1, 3- 丁二胺、N，N，N，，N，-四丙基-1, 3- 丁二胺、N，N，N’，N’ -四异丙基-1，3- 丁二胺、N，N，N，，N，-四丁基-1, 3- 丁二胺、N，N，N’，N’ -四异丁基-1，3- 丁二胺、N，N，N’，N’ -四甲基-1，4- 丁...
【专利技术属性】
技术研发人员：松浦裕里子，王晓伟，G·鲍洛斯基，
申请(专利权)人：AZ电子材料IP日本株式会社，
类型：
国别省市：
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