一种156多晶硅缺角片的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种处理多晶156缺角片的一种全新方法，主要步骤为利用激光切割设备将缺角部分切割为单晶156的外部尺寸，经过全新设计的电极与电场方案进行印刷之后，使用与常规相同的方法进行电池与组件的加工处理，最终的组件产品与单晶156产品具备相同的外观，可以编入系统电站的建设中充分利用，从而避免了原本将缺角片一部分直接报废或者做碎片回购给多晶硅生产商重新铸锭切片，一部分低价出售给做草坪灯、庭院灯等微型发电设备的开发商，降低了工厂的浪费与成本，增加了企业的投入产出比。

【技术实现步骤摘要】

本专利属于太阳能发电设备制造领域，具体涉及到156多晶硅电池片制备过程中产生的缺角片后续处理利用的一种新方法使之具备更高的利用率减少不必要的损耗提高公司的投入产出比。
技术介绍
目前常规电池生产流程为:表面结构化处理(Texturing)—磷掺杂扩散(Diffusion) — PN边缘隔离(Edge Etch)—去磷娃玻璃(PSG Removal)—镀减反射膜(PECVD)—丝网印刷背面电极(Screen Printing)—背面电极烘干(Hot Air Dryer)—丝网印刷背面电场一背面电场烘干一正面电极印刷一快速烧结(Fast Firing)—测试分档(Testing&Classifying)—质量检验、出货组件车间。现行多晶硅电池片制造过程中产生的缺角片大部分作为碎片直接报废或被多晶硅铸锭厂商收购回炉重新铸造多晶硅锭重新切片；另一小部分出售给终端应用产品开发商印刷电极和激光切割处理后制备诸如草坪灯、庭院灯、太阳能手机充电器等小尺寸的终端微型发电设备。
技术实现思路
本专利技术的目的是为克服上述现有技术的不足，提供，此技术方案中156多晶硅缺角片的处理方法比较简单且容易实现。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案:—种156多晶娃缺角片的处理方法,主要步骤为利用激光切割设备将156多晶娃缺角片切割为单晶156的外部尺寸，经过全新设计的电极与电场方案进行印刷之后，使用与常规相同的方法进行电池与组件的加工处理，最终的组件产品与单晶156产品具备相同的外观，用以编入系统电站的建设中充分利用。，具体步骤如下:第一步，将车间生产工段中产生的156多晶硅缺角片统一制备至镀膜后丝网印刷前待下步处理；第二步，将编制156单晶圆角图形文件调入激光切割机将所有缺角片加工为156单晶的外观；第三步，将切割好的在制品使用细砂纸进行边角打磨避免较尖锐的边缘出现；第四步，将处理好的在制品利用丝网印刷技术制备156单晶圆角的电极、电场；第五步，将成品电池片进行测试分档为下一步制备组件成品做好准备；第六步，将同档电池片串焊、层压制备组件并进行组件测试分档以备系统电站的使用。所述第二步中，使用12-12.5AU3KHZ的激光以8-lOmm/s的速度即可进行切割改变尺寸。所述第三步中，细砂纸的目数为800目或更细。所述第五步中，经过切割电池片的面积发生改变，测试分档是需要进行面积的修正，将原来的24336平方毫米的面积修正为23860平方毫米方可进行转换效率的正常分档。所述第六步后，将加工后的组件与同输出功率档的156单晶硅组件混合为阵列、系统。因为外形的改变需要重新设计背面电场与正面电极网版图形，背面电极可以不需要改变；经过切割电池片的面积发生改变。本专利的目的是先期通过激光切割机的切割处理将其制备成156单晶的圆角外观尺寸规格，而后进行生产加工为 成品电池片，最终层压为与156单晶具备同样外观尺寸规格的光电组件编入系统电站的组装中。具体流程为:表面结构化处理(Texturing)—磷掺杂扩散(Diffusion) — PN边缘隔离(Edge Etch)—去磷硅玻璃(PSG Removal)—镀减反射膜(PECVD)—激光切割上述工序产生的缺角片(Laser Sawing)—丝网印刷背面电极(Screen Printing)—背面电极烘干(Hot Air Dryer)—丝网印刷背面电场一背面电场烘干一正面电极印刷一快速烧结(FastFiring)—测试分档(Testing&Classifying)—品质检验一组件焊接一敷设一层压一装框—测试分档一清洁包装…一系统安装。使用此方案可以使很大一部分比例156多晶缺角片得以仅增加一段加工工序的前提下制备电池片与组件代替原本的碎片回收或低价出售处理，减少了制造物料成本的损耗；此方案下制备的电池、组件相较同等材料的正常156多晶硅片仅仅损失1.96%的面积即只减少1.96%的功率输出而组件封装损失同样控制在2% 3%，且外观与市场上使用的156单晶圆角尺寸相同。多晶制成成品后再加工因为电极图形与边缘漏电等因素不可行，因此在制成过程中就切割加工外形，修改电极图形。本专利技术的处理方法避免了原本将缺角片一部分直接报废或者做碎片回购给多晶硅生产商重新铸锭切片，一部分低价出售给做草坪灯、庭院灯等微型发电设备的开发商，降低了工厂的浪费与成本，增加了企业的投入产出比。附图说明图1a.为激光切割前156-220的尺寸图示，边长156mm，对角线长220mm ；图1b.为激光切割后156-200的尺寸图示，边长156mm，对角线长200mm ；图2.为背面电场网版图纸:背电场网版与单晶156网版外部尺寸相同，只是由于背电极的不同因此中间分段镂空图形不等同于单晶；图3.为正面电极图形:正电极图形与常规多晶156-220类似，只是四个边角修剪出直径为197mm的四个圆弧图形，外部边沿尺寸与单晶156-200相同；图4a为常规多晶156-220组件博硕测试机功率测试I_V曲线图；图4b为切割多晶156-200组件博硕测试机功率测试I_V曲线图。具体实施例方式实施例:I，按照以上实施方案第一步、第二步将公司内RFXZXX121120010批次多晶156-220待制品使用激光切割为图1所示的156-200外观尺寸，并用800目砂纸进行切割处打磨避免较尖锐的边缘在后续加工中割破网版，待进一步加工；其中激光机参数设置为:表1.激光机参数设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种156多晶硅缺角片的处理方法，其特征在于，主要步骤为利用激光切割设备将156多晶硅缺角片切割为单晶156的外部尺寸，经过全新设计的电极与电场方案进行印刷之后，使用与常规相同的方法进行电池与组件的加工处理，最终的组件产品与单晶156产品具备相同的外观，用以编入系统电站的建设中充分利用。

【技术特征摘要】
1.一种156多晶硅缺角片的处理方法，其特征在于，主要步骤为利用激光切割设备将156多晶硅缺角片切割为单晶156的外部尺寸，经过全新设计的电极与电场方案进行印刷之后，使用与常规相同的方法进行电池与组件的加工处理，最终的组件产品与单晶156产品具备相同的外观，用以编入系统电站的建设中充分利用。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，具体步骤如下: 第一步，将车间生产工段中产生的156多晶硅缺角片统一制备至镀膜后丝网印刷前待下步处理； 第二步，将编制156单晶圆角图形文件调入激光切割机将所有缺角片加工为156单晶的外观； 第三步，将切割好的在制品使用细砂纸进行边角打磨避免较...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨雷，梁兴芳，张长江，
申请(专利权)人：润峰电力有限公司，
类型：发明
国别省市：