一种解决薄膜剥落的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，具体的是一种解决薄膜剥落的方法。包括以下步骤：步骤一：在晶圆的上表面淀积一层氧化层；步骤二：在所述氧化层的上表面淀积一层高介质层；步骤三：在所述高介质层的上表面淀积一层抗反射层，所述抗反射层即钽的氧化物，如氧化钽，淀积所述抗反射层使用的射频发生器的功率为1000～2000W。现有工艺使用的射频发生器的功率4000～6000W，由于RF（Radio?Frequency）射频功率与薄膜应力表现出较强的相关性，本发明专利技术优化了该工艺参数，减少了抗反射层与底部之间的界面应力，在现实生产中可以有效避免抗反射层脱落的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，具体的是。
技术介绍
氧化钽在背照式影像传感器作为抗反射层使用，然而其有剥落的问题，该问题被认为是钽的氧化物与底部之间的高应力造成的，这一脱落问题迫切需要解决。现阶段，暂没有相关的解决方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供解决上述问题。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:，包括以下步骤:步骤一:在晶圆的上表面淀积一层氧化层，所述淀积是指通过化学反应或物理堆积的方式增加；步骤二:在所述氧化层的上表面淀积一层高介质层，所述高介质层是指介电常数较高的物质构成的层，例如=PECVD (等离子体增强化学气相淀积)SiO2的介电常数为4.1 4.3 ；步骤三:在所述高介质层的上表面通过射频发生器淀积一层抗反射层。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，淀积所述抗反射层使用的射频发生器的功率为1000 2000W。进一步，所述抗反射层为钽的氧化物。本专利技术的有益效果是:现有工艺使用的射频发生器的功率4000 6000W，由于RF(Radio Frequency:无线电频率)射频功率与薄膜应力表现出较强的相关性,本专利技术优化了该工艺参数，将现有工艺使用的射频发生器的功率4000 6000W改进为1000 2000W，减少了抗反射层与底部之间的界面应力，在现实生产中可以有效避免薄膜(抗反射层)脱落的问题。附图说明图1为本专利技术的操作流程图；图2为本专利技术的结构示意图。附图中，各标号所代表的部件列表如下:1、晶圆，2、氧化层，3、高介质层，4、抗反射层。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。如图1所示，，包括以下步骤:步骤01:在晶圆I的上表面淀积一层氧化层2，图2为本专利技术的结构示意图，其结构如图2所示；步骤02:在所述氧化层2的上表面淀积一层高介质层3，所述高介质层3是指介电常数较高的物质构成的层，例如=PECVD (等离子体增强化学气相淀积)Si02的介电常数为4.1 4.3 ;步骤03:在所述高介质层3的上表面通过射频发生器淀积一层抗反射层4。淀积所述抗反射层4使用的射频发生器的功率为1000 2000W。所述抗反射层为钽的氧化物，例如氧化钽。本专利技术将现有工艺使用的射频发生器的功率4000 6000W改进为1000 2000W，减少了抗反射层与底部之间的界面应力，在现实生产中可以有效避免薄膜(抗反射层)脱落的问题。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种解决薄膜剥落的方法,其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在晶圆的上表面淀积一层氧化层；步骤二：在所述氧化层的上表面淀积一层高介质层；步骤三：在所述高介质层的上表面通过射频发生器淀积一层抗反射层。

【技术特征摘要】
1.一种解决薄膜剥落的方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤一:在晶圆的上表面淀积一层氧化层； 步骤二:在所述氧化层的上表面淀积一层高介质层； 步骤三:在所述高介质层的上表面通过射频发生器淀积一层抗反射层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李平，
申请(专利权)人：陆伟，
类型：发明
国别省市：