本发明专利技术公开了一种改善晶片良率的工艺控制方法,包括:判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序;根据所述流片顺序计算所述第一步骤和第二步骤之间的最长等待时间。本发明专利技术充分考虑每片晶片的最长等待时间,并对最不利的晶片的等待时间加以控制,从而保证一个批次内每片晶片的等待时间都小于Queue?Time。本发明专利技术还提供了一种改善晶片良率的工艺控制系统。
【技术实现步骤摘要】
一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统
本专利技术涉及半导体制程
,尤其涉及一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统。
技术介绍
在半导体制程中,排队时间(QueueTime)指的是从一个工艺步骤到下一个工艺步骤所能允许的最长等待时间,超过这一时间,就可能造成晶片的功能失效和报废。在半导体制程中有很多步骤之间都有QueueTime的控制要求。现有的QueueTime控制方法是:在系统中设置两个步骤之间的最长等待时间(QueueTime),当一批次的晶片,例如25片,到达第一步和到达第二步的时候,系统会提示作业员,一批次晶片在这两步之间的等待时间不能超过这个QueueTime,作业员会优先安排等待时间最长、最接近QueueTime的那个批次,从而保证每批次都不会因为超QueueTime而造成晶片低良。上述现有方法是一种比较粗略和不科学的控制方法。因为比如一批次有25片,对于每一个工艺步骤,晶片都是一片一片的生产,第一片执行完第一步之后,还要等其他24片相继执行完第一步,才算整个批次完成了第一步工艺,即只有该批次25片都执行完第一步的时候,系统才开始计算和控制该批次在两步之间的等待时间,而实际此时第一片已经等了很久。现有方法仅考虑了该批次整体在两步之间的等待时间,而没有考虑每片晶片的实际等待时间,往往造成一部分晶片因等待过久而出现良率问题,而另一部分晶片等待时间较短而没有良率问题。如图1所示,靠前的几片晶片因为等待过久而产生了低良(中心位置),而其他晶片因为等待时间较短没有出现低良。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统,充分考虑每片晶片的最长等待时间,并对最不利的晶片的等待时间加以控制,从而保证一个批次内每片晶片的等待时间都小于QueueTime。为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:一种改善晶片良率的工艺控制方法,包括以下步骤:判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序;根据所述流片顺序类型计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间。如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为:计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间;计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间;取以上两个结果中的最小值。如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片,则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为:计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片,所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为:计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。一种改善晶片良率的工艺控制系统,包括:判断模块,用于判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序;计算模块,用于根据所述流片顺序类型计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间。所述判断模块如果判断所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,则所述计算模块计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为:预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间;预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间;取以上两个结果中的最小值。所述判断模块如果判断所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片,则所述计算模块计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为:预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。所述判断模块如果判断所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片,所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,则所述计算模块计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为:预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。采用本专利技术的技术方案,充分考虑每片晶片的最长等待时间,保证一个批次内每片晶片的等待时间都小于QueueTime,是一种更科学,更完善的控制方法。附图说明图1是现有的工艺间隔时间控制方法造成产品低良的示意图。图2是本专利技术实施例提供的一种改善晶片良率的工艺控制方法的流程图。图3-图5分别是本专利技术实施例中当前批次晶片的下两步工艺的流片顺序示意图。图6是本专利技术实施例提供的一种改善晶片良率的工艺控制系统的结构示意图。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。图2是本专利技术实施例提供的一种改善晶片良率的工艺控制方法的流程图,该方法包括:S201,判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序。在制程工艺中,当前批次的晶片将进入下一步工艺时,系统会判定所述当前批次晶片将要进行的下两个步骤工艺,即第一步骤和第二步骤,并判断所述第一步骤和第二步骤的流片顺序。所述流片顺序是指某工艺步骤中对当前批次晶片进行加工的顺序,包括:从当前批次中的第一片至最后一片;或者从当前批次中的最后一片至第一片。系统判断所述第一步骤和第二步骤的流片顺序以确定后续所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间。S202,根据所述流片顺序计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间。系统根据所述第一步骤和第二步骤的流片顺序,采用不同的QueueTime计算方法,包括以下三种情形:(1)所述第一步骤和第二步骤的流片顺序都是从当前批次的第一片至最后一片。例如图3所示,当前批次的待处理晶片的数量为25片,将要进行的后两步工艺分别为步骤1和步骤2,步骤1和步骤2的流片顺序均为从第一片至第二十五片,则当前批次中的第一片在步骤1与步骤2之间的等待时间为QT1,第二十五片在步骤1与步骤2之间的等待时间为QT25。第一片和第二十五片分别有各自的允许最长等待时间QT1MAX和QT25MAX,每个晶片允许的最长等待时间根据功能测试以及产品良率的经验得到,并预设在系统中。步骤1和步骤2分别完成当前批次25片的总时间T1和T2预存在系统中,由系统计算时调用。该批次晶片在步骤1与步骤2之间的最长等待时间QT=min(QT1MAX-T1,QT25MAX-T2),即计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间;计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间;取以上两个结果中的最小值。(2)所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,所述第二步骤的流片顺序是从当前批次最后一片至第一片。例如图4所示,在这种流片顺许下,对该批次第本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种改善晶片良率的工艺控制方法,其特征在于,包括以下步骤:判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序;根据所述流片顺序计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间。
【技术特征摘要】
1.一种改善晶片良率的工艺控制方法,其特征在于,包括以下步骤:判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤的流片顺序和第二步骤的流片顺序;根据所述第一步骤的流片顺序和所述第二步骤的流片顺序计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间;其中,流片顺序包括:从当前批次晶片中的第一片加工至最后一片;或者从当前批次晶片中的最后一片加工至第一片。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为:计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间;计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间;取以上两个结果中的最小值。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片,则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为:计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片,所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片,则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为:计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。5.一种改善晶片良率的工艺控制系统,其特征在于,包...
【专利技术属性】
技术研发人员:李健,
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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