本发明专利技术公开了一种水平温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法，其主要在四周保温筒的左端部及右端部设有左右保温罩，在四周保温筒的内部中心位置设有坩埚，在坩埚托座的底端部固定有坩埚托杆，在左保温罩上设有左生长梯度提供发热体，在右保温罩上设有右生长梯度提供发热体，在四周保温筒的筒侧壁上设有圆筒形高温环境提供发热体，圆筒形高温环境提供发热体套在坩埚的外部，穿过四周保温筒并在圆筒形高温环境提供发热体的筒侧壁上从左向右均匀间隔设置若干个第一热电偶，穿过左保温罩并在左生长梯度提供发热体上中心位置从上而下均匀间隔设置若干个第二热电偶。本发明专利技术可对整个水平温度梯度法的温场的轴向和径向温度梯度真正做到实时可控调节，得到高质量的单晶。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料和晶体生长领域，本专利技术公开了一种晶体生长装置，本专利技术还公开了一种使用晶体生长装置进行水平温度梯度法生长晶体的方法。
技术介绍
目前，高温氧化物或氟化物晶体生长方法主要有提拉法、热交换法、坩埚下降法和温度梯度法等。一、提拉法由Czochralski于1918年专利技术，故又称“丘克拉斯基法”，简称CZ法，是利用籽晶从熔体中提拉生长出晶体的方法，此法是由熔体生长单晶的一项最主要的方法。被加热的坩埚中盛着熔融的料，籽晶杆带着籽晶由上而下插入熔体，由于固液界面附近的熔体维持一定的过冷度、熔体沿籽晶结晶，并随籽晶的逐渐上升而生长成棒状单晶，坩埚可以由高频感应或电阻加热。该方法的优点是: 1、在生长过程中，可方便地观察晶体的生长状况； 2、晶体在熔体表面处生长，不与坩埚接触，能显著地减小晶体的应力，防止坩埚壁的寄生成核； 3、可以方便地运用定向籽晶和“缩颈”工艺，使“缩颈”后籽晶的位错大大减少，降低放肩后生长晶体的位错密度，从而提高晶体的完整性； 4、精确的控制晶体生长速度。该方法的缺点是: 1、同等坩埚条件下，晶体较小，直径不超过坩埚50%； 2、由于梯度较大，生长界面过分的凸起，热应力大、位错增值引起位错密度过大，单晶性不好； 3、温度梯度大，能耗高。二、热交换法(简称HEM法)是一种为了生长大尺寸晶体而专利技术的晶体生长技术。1970年Schmid和Viechnicki首先运用热交换法生长出大块的蓝宝石晶体。其原理是利用热交换器来带走热量，使得晶体生长区内形成一下冷上热的纵向温度梯度，同时再藉由控制热交换器内气体流量(He冷却源) 的大小以及改变加热功率的高低来控制此温度梯度，借此达成坩埚内熔汤由下慢慢向上凝固成晶体的目的。该方法的优点是: 1、温度梯度分布与重力场相反，坩埚、晶体和热交换器皆不移动，晶体生长界面稳定、无机械扰动、浮力对流小，消除了由于机械运动而造成的晶体缺陷； 2、晶体生长后仍保持在热区，控制氦气流量可使温度由结晶温度缓慢均匀降低，实现原位退火，减少晶体的热应力及由此产生的晶体开裂和位错等缺陷； 3、同等坩埚条件下，能获得到坩埚直径90%左右的大晶体。该方法的缺点是: 1、设备条件要求高，整个工艺复杂，晶体生长周期长、需要大量氦气作冷却剂，成本闻; 2、温度梯度分布与重力场相反,不利于排杂； 3、晶体与樹祸接触，晶体的应力大，并容易寄生成核引起多晶； 4、晶体生长不能实时控制和观察； 5、生长界面过凸，热应力和位错过大。三、 甘祸下降法(Bridgman-stockbarger method)是将一个垂直放置的i甘祸逐渐下降，使其通过一个温度梯度区(温度上高下低)，熔体自下而上凝固。通过坩埚和熔体之间的相对移动，形成一定的温度场，使晶体生长。温度梯度形成的结晶前沿过冷是维持晶体生长的驱动力。使用尖底坩埚可以成功得到单晶，也可以在坩埚底部放置籽晶。对于挥发性材料要使用密闭坩埚。该方法的优点是: 1、坩埚封闭，可生产挥发性物质的晶体； 2、成分易控制；· 3、同等坩埚条件下可生长大尺寸单晶，可以到90%直径； 4、晶体生长界面微凸、接近平界面较为理想； 5、可以精确控制晶体生长速度。该方法的缺点是: 1、不宜用于负膨胀系数的材料，以及液体密度大于固体密度的材料； 2、由于坩埚作用，容易形成应力，寄生成核和污染； 3、不易于观察； 4、下降机构存在机械扰动。四、温度梯度法(简称TGT法)，又称导向温梯法，是以定向籽晶诱导的熔体单结晶方法，是我国上海光机所晶体研究室于九十年代末期专利技术的一种单晶生长方法。其装置采用钥坩埚、石墨发热体，坩埚底部中心有一籽晶槽，避免籽晶在化料时被熔化掉。温场由石墨发热体和冷却装置共同提供。发热体为被上下槽割成矩形波状的板条通电回路的圆筒，整个圆筒安装在与水冷电极相连的石墨电极板上。板条上半部按一定规律打孔，以调节发热电阻使其通电后自上而下造成近乎线性温差。而发热体下半部温差通过石墨发热体与水冷电极板的传导来创造。该方法的优点: 1、晶体生长时温度梯度与重力方向相反，并且坩埚、晶体和发热体都不移动，这就避免了热对流和机械运动产生的熔体涡流； 2、晶体生长以后，由熔体包围，仍处于热区。这样就可以控制它的冷却速度，减少热应力； 3、晶体生长时，固-液界面处于熔体包围之中。这样熔体表面的温度扰动和机械扰动在到达固-液界面以前可被熔体减少以致消除。该方法的缺点:1、温度梯度分布与重力场相反，不利于排杂；2、晶体与樹祸接触，晶体的应力大，并容易寄生成核引起多晶； 3、晶体生长不能实时控制和观察； 4、生长界面过凸，热应力和位错过大。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是克服现有技术中存在的不足，提供一种简单可靠与可控性强的晶体生长装置。本专利技术的另一目的是提供一种使用上述晶体生长装置生长晶体的方法。按照本专利技术提供的技术方案，所述水平温度梯度法生长晶体的装置，它包括一个生长炉，在生长炉上设有抽真空接口，在生长炉内设有四周保温桶，在四周保温筒的左端部设有左保温罩，在四周保温筒的右端部设有右保温罩，在四周保温桶的内部中心位置设有坩埚，坩埚的形状为圆台形，在坩埚的下方设有坩埚托座，坩埚放置在坩埚托座上，在坩埚托座的底端部固定有坩埚托杆，在左保温罩上设有左生长梯度提供发热体，左生长梯度提供发热体设置在左保温罩的右方，在右保温罩上设有右生长梯度提供发热体，右生长梯度提供发热体设置在右保温罩的左方，在四周保温筒的筒侧壁上设有圆筒形高温环境提供发热体，圆筒形高温环境提供发热体套在坩埚的外部，且圆筒形高温环境提供发热体、左生长梯度提供发热体、右生长梯度提供发热体均与坩埚呈同轴设置，穿过四周保温筒并在圆筒形高温环境提供发热体的筒侧壁上从左向右均匀间隔设置若干个第一热电偶，穿过左保温罩并在左生长梯度提供发热体上中心位置从上而下均匀间隔设置若干个第二热电偶。使用上述装置进行生长晶体的方法包括如下步骤: a、将原料装入坩埚内 ，生长炉内抽真空至1.0X 10_3 1.0X 10_4Pa后，圆筒形高温环境提供发热体通电，以2飞千瓦/小时的速率升温加热； b、利用第一热电偶测量整个温场的径向温度梯度，利用第二热电偶测量整个温场的轴向温度梯度； C、当第一热电偶测量温度达到比晶体的熔点低20(T30(TC时，停止圆筒形高温环境提供发热体的升温，启动左生长梯度提供发热体与右生长梯度提供发热体； d、左生长梯度提供发热体和右生长梯度提供发热体分别以0.5^1千瓦/小时和f 2千瓦/小时的速率继续加热，直到位于最左面的第一热电偶的测量温度为原料的熔点； e、根据第一热电偶与第二热电偶的读数判断出温场的温度梯度，在保持位于最左面的第一热电偶测量温度不变的情况下，调整圆筒形高温环境提供发热体、左生长梯度提供发热体与右生长梯度提供发热体的相对功率比例，调节温场的轴向、径向温度梯度，直到适合晶体的生长； f、将整个温场的轴向和径向温度梯度调节到适合晶体生长的最佳值恒温3飞小时，以100^300瓦/小时的速率同时降低左生长梯度提供发热体和右生长梯度提供发热体的功率，使得晶体生长界面缓慢均匀地向右生长梯度提供发热体方向推移，直至位于最右面的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种水平温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置，其特征是：包括一个生长炉，在生长炉上设有抽真空接口，在生长炉内设有四周保温筒（301），在四周保温筒（301）的左端部设有左保温罩（311），在四周保温筒（301）的右端部设有右保温罩（312），在四周保温筒（301）的内部中心位置设有坩埚（401），坩埚（401）的形状为圆台形，在坩埚（401）的下方设有坩埚托座（601），坩埚（401）放置在坩埚托座（601）上，在坩埚托座（601）的底端部固定有坩埚托杆（611），坩埚托杆（611）滑动安装在四周保温筒（301）上，在左保温罩（311）上设有左生长梯度提供发热体（211），左生长梯度提供发热体（211）设置在左保温罩（311）的右方，在右保温罩（312）上设有右生长梯度提供发热体（212），右生长梯度提供发热体（212）设置在右保温罩（312）的左方，在四周保温筒（301）的筒侧壁上设有圆筒形高温环境提供发热体（201），圆筒形高温环境提供发热体（201）套在坩埚（401）的外部，且圆筒形高温环境提供发热体（201）、左生长梯度提供发热体（211）、右生长梯度提供发热体（212）均与坩埚（401）呈同轴设置，穿过四周保温筒（301）并在圆筒形高温环境提供发热体（201）的筒侧壁上从左向右均匀间隔设置若干个第一热电偶（101），穿过左保温罩（311）并在左生长梯度提供发热体（211）上中心位置从上而下均匀间隔设置若干个第二热电偶（111）。...
【技术特征摘要】
1.一种水平温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置，其特征是:包括一个生长炉，在生长炉上设有抽真空接口，在生长炉内设有四周保温筒(301)，在四周保温筒(301)的左端部设有左保温罩(311)，在四周保温筒(301)的右端部设有右保温罩(312)，在四周保温筒(301)的内部中心位置设有坩埚(401)，坩埚(401)的形状为圆台形，在坩埚(401)的下方设有坩埚托座(601)，坩埚(401)放置在坩埚托座(601)上，在坩埚托座(601)的底端部固定有坩埚托杆(611)，坩埚托杆(611)滑动安装在四周保温筒(301)上，在左保温罩(311)上设有左生长梯度提供发热体(211)，左生长梯度提供发热体(211)设置在左保温罩(311)的右方，在右保温罩(312)上设有右生长梯度提供发热体(212)，右生长梯度提供发热体(212)设置在右保温罩(312)的左方，在四周保温筒(301)的筒侧壁上设有圆筒形高温环境提供发热体(201)，圆筒形高温环境提供发热体(201)套在坩埚(401)的外部，且圆筒形高温环境提供发热体(201)、左生长梯度提供发热体(211)、右生长梯度提供发热体(212)均与坩埚(401)呈同轴设置，穿过四周保温筒(301)并在圆筒形高温环境提供发热体(201)的筒侧壁上从左向右均匀间隔设置若干个第一热电偶(101)，穿过左保温罩(311)并在左生长梯度提供发热体(211)上中心位置从上而下均匀间隔设置若干个第二热电偶(111)。2.使用权利要求1所述的装置生长晶体的方法包括如下步骤:a.将原料装入坩埚(401)内，生长炉内抽真空至1.0父10_3 1.(^10_^后，圆筒形高温环境提供发热体(201)通电，以2飞千瓦/小时的速率加热； b、利...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄小卫，柳祝平，
申请(专利权)人：元亮科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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