【技术实现步骤摘要】
本技术技术涉及一种新型直流转直流恒流驱动电路,可广泛应用于需要恒流控制功能的场合,具体举例可应用于LED发光二极管的恒定电流控制,输出电流幅值及脉宽调制,以及异常状态的失效保护功能。
技术介绍
在直流转直流开关电源及照明领域,恒流输出的应用非常广泛,例如目前通用发光二极管(LED)驱动方案都使用直流转直流恒流驱动模式,在显示背光领域应用无论显示屏为多串LED还是单串LED背光,单串LED可直接通过取样电路实现恒定电流及电流调节,多串LED应用可先通过自适应分立均流线路。但是由于通常仅有单一信号输入,电流的脉宽及幅值,难以精确的控制,而出现负载开路短路等异常,因此,需要一种能够减少异常出现的驱动电路。
技术实现思路
本技术旨在提供一种直流转直流恒流驱动电路,所述直流转直流恒流驱动电路包括直流转直流开关线路、输出过压保护线路、恒流取样控制电路、输出电流幅值调节电路以及输出电流脉宽调节电路。直流转直流开关线路包含电流模式脉宽调节(PWM)控制芯片、升压电感,升压二极管、第一金氧半场效晶体管(MOSFET)、输出电压滤波电容以及第一采样电阻。所述升压电感的一端连接至输入电压源,而另一端与所述第一 MOSFET的漏极及所述升压二极管的正极连接,所述升压二极管的正极与所述输出电压滤波电容的一端连接,而所述输出电压滤波电容的一端与所述第一采样电阻连接,所述第一采样电阻连接至所述第一 MOSFET的源极。所述输出过压保护线路,连接至所述直流转直流开关线路及LED灯串,包含第一分压电阻以及第二分压电阻,所述第一分压电阻以及所述第二分压电阻连接至所述PWM控制芯片。所述恒流取样控制 ...
【技术保护点】
一种直流转直流恒流驱动电路,其特征在于,包括:?一直流转直流开关线路,包含一电流模式脉宽调节(PWM)控制芯片、一升压电感、一升压二极管、一第一金氧半场效晶体管(MOSFET)、一输出电压滤波电容、以及一第一采样电阻,所述升压电感的一端连接至一输入电压源,而另一端与所述第一MOSFET的漏极及所述升压二极管的正极连接,所述升压二极管的负极与所述输出电压滤波电容的一端连接,而所述输出电压滤波电容的另一端与所述第一采样电阻连接,所述第一采样电阻连接至所述第一MOSFET的源极;?一输出过压保护线路,连接至所述直流转直流开关线路及一LED灯串,包含一第一分压电阻以及一第二分压电阻,所述第一分压电阻以及所述第二分压电阻连接至所述PWM控制芯片;?一恒流取样控制电路,与所述直流转直流开关线路及所述LED灯串相连,包含一辉度控制电阻、一辉度控制电容、一第二MOSFET以及一电流输出电阻,所述LED灯串与所述第二MOSFET的漏极连接,所述第二MOSFET的源极与所述电流输出电阻连接,并连接至所述PWM控制芯片,所述第二MOSFET的栅极与所述辉度控制电阻及所述辉度控制电容连接,且所述辉度控制电阻连 ...
【技术特征摘要】
1.一种直流转直流恒流驱动电路,其特征在于,包括 一直流转直流开关线路,包含一电流模式脉宽调节(PWM)控制芯片、一升压电感、一升压二极管、一第一金氧半场效晶体管(MOSFET)、一输出电压滤波电容、以及一第一采样电阻,所述升压电感的一端连接至一输入电压源,而另一端与所述第一 MOSFET的漏极及所述升压二极管的正极连接,所述升压二极管的负极与所述输出电压滤波电容的一端连接,而所述输出电压滤波电容的另一端与所述第一采样电阻连接,所述第一采样电阻连接至所述第一 MOSFET的源极; 一输出过压保护线路,连接至所述直流转直流开关线路及一 LED灯串,包含一第一分压电阻以及一第二分压电阻,所述第一分压电阻以及所述第二分压电阻连接至所述PWM控制芯片; 一恒流取样控制电路,与所述直流转直流开关线路及所述LED灯串相连,包含一辉度控制电阻、一辉度控制电容、一第二 MOSFET以及一电流输出电阻,所述LED灯串与所述第二MOSFET的漏极连接,所述第二 MOSFET的源极与所述电流输出电阻连接,并连接至所述PWM控制芯片,所述第二 MOSFET的栅极与所述辉度控制电阻及所述辉度控制电容连接,且所述辉度控制电阻连接至所述PWM控制芯片; 一输出电流幅值调节电路,包含一电流幅值调节电阻,一外部高频PWM信号经所述电流幅值调节电阻后输入所述PWM控制芯片;以及 一输出电流脉宽调节电路,包含一信号输入电阻,一外部低频PWM信号通过信号输入电阻连接所述PWM控制芯片。2.如权利要求1所述的直流转直流恒流驱动电路,其特征在于 所述PWM控制芯片包含 一 VIN脚,经一输入滤波电容及一滤波电容滤波后连接至所述VIN脚以用于所述PWM控制芯片内部电路供电; 一 GATE脚,连接至所述第一 MOSFET的栅极以及所述恒流取样控制电路,以控制所述第一 MOSFET的开关,并用于调节输出电流脉宽; 一 GND脚,芯片基准地; 一 CS脚,经一第二采样电阻连接至所述第一 MOSFET的源极,作为 所述第一 MOSFET峰值电流取样输入脚; 一 ISET脚,连接至所述输出电流幅值调节电路,输入所述高频PWM信号; 一 REF脚,连接一滤波电容; 一 FB脚,与所述恒流取样控制电路连接; 一 COMP脚,连接一补偿电容以及一补偿电阻; 一 OVP脚,连接所述输出过压保护线路的第一分压电阻以及所述第二分压电阻;以及一 DIM脚,连接至一使能信号源以及所述输出电流脉宽调节电路,所述使能信号源经一第二二极管,并结合所述输出电流脉宽调节电路调节后的外部低频PWM信号输入至所述DIM 脚。3.如权利要求2所述的直流转直流恒流驱动电路,进一步包含一负载异常保护线路,所述负载异常保护线路连接于所述PWM控制芯片的所述FB脚及所述OVP脚,包含一第三二极管、一短路保护电阻、一短路保护电容以及一第三M0SFET,所述第三MOSFET的漏极与所述OVP脚连接,所述第三MOSFET的栅极经所述短路保护电容、所述短路保护电阻以及所述第三二极管与所述FB脚连接,当负载正负端短路时,所述电流输出电阻上电压迅速上升,采样上述电压信号后,通过所述短路保护电阻及所述短路保护电容将所取得的信号滤波并驱动所述第三M0SFET,当所述第三MOSFET动作,从而拉低OVP电平,所述PWM控制芯片立即关闭所述关闭Gate脚。4.如权利要求1所述的直流转直流恒流驱动电路,其特征在于 所述LED灯串分别为一多串LED负载或一单串LED负载。5...
【专利技术属性】
技术研发人员:张昌山,周俊,袁明海,
申请(专利权)人:昂宝电子上海有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。