半桥谐振电源制造技术

本实用新型专利技术公开一种半桥谐振电源，包括IC控制模块、至少两组驱动模块和第三变压器；每组驱动模块之间呈并联连接，并联的驱动模块输入连接有供电，输出连接第三变压器；IC控制模块分别与每组驱动模块相连；各驱动模块均包括依次串联的半桥谐振单元、变压器和MOS管，IC控制模块连接半桥谐振单元，MOS管连接第三变压器。本实用新型专利技术的半桥谐振电源，至少有两个并联的驱动模块，每个驱动模块中都有一变压器模及与其对应的一MOS管，这种技术方案有效的提高了电源驱动能力，同时因为变压器和MOS管一一对应，所以驱动过程中的发热量一般不会将电源的保险丝的烧断，即不会出现炸机情况，同时因发热量减少，所以本实用新型专利技术还节能环保。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种驱动电源领域，尤其涉及一种半桥谐振电源。
技术介绍
现在随着电脑的不断升级，对电源的功率和效率要求越来越高，为了提高效率和功率，电源都采用半桥谐振电路架构，但由于传统半桥谐振电路使用一个变压器驱动2个或者4个MOS管，驱动能力差，使得电源功率很难做到800W以上，即使达到800W也会容易发热烧断保险，容易炸机，效率也很难做到美国80PLUS金牌或白金牌标准。
技术实现思路
本技术要解决的问题是提供一种驱动能力强，节能环保且不容易因发热而烧断保险丝的半桥谐振电源。为了解决上述问题，本技术提供的一技术方案是一种半桥谐振电源，包括IC控制模块、至少两组驱动模块和第三变压器；所述每组驱动模块之间呈并联连接，并联的驱动模块输入连接有供电，输出连接第三变压器；所述IC控制模块分别与每组驱动模块相连；所述每组驱动模块均包括依次串联的半桥谐振单元、变压器和MOS管，所述半桥谐振单元连接IC控制模块连，所述MOS管连接第三变压器。其中，所述半桥谐振单元包括串联的信号放大器和信号耦合器。其中，所述信号放大器包括NPN三极管和PNP三极管；所述NPN三极管的基极与PNP三极管的基极相连，所述NPN三极管的发射极与PNP三极管的发射极相连，所述PNP三极管的集电极接地；所述NPN三极管的集电极连接有供电，IC控制模块连接所述NPN三极管的基极及PNP三极管的基极。其中，所述信号耦合器包括一电容，所述电容一端连接信号放大器，另一端连接对应的变压器。其中，所述驱动模块还包括一 MOS管保护单元，所述MOS管保护单元一端连接MOS管的栅极，另一端连接该MOS管的源极或漏极。其中，所述驱动模块还包括一 MOS管保护单元，所述MOS管保护单元一端电连接MOS管的栅极，另一端接地。区别于现有技术的电脑电源是由一个变压器驱动2个或4个MOS管，使得驱动能力差，功率过大时，发热现象严重，能量损失严重且容易烧断保险丝，本技术的有益效果是，至少有两个并联的驱动模块，每个驱动模块中都有一变压器模及与其对应的一 MOS管，这种技术方案有效的提高了电源驱动能力，同时因为变压器和MOS管一一对应，所以驱动过程中的发热量一般不会将电源的保险丝的烧断，即不会出现炸机情况，同时因发热量减少，所以本技术还节能环保。附图说明图1是本技术的半桥谐振电源一实施例的结构框图；图2是本技术的半桥谐振电源一实施例的电路图。具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1，本技术实施例涉及一种半桥谐振电源，包括IC控制模块、第一驱动模块、第二驱动模块和第三变压器；所述第一驱动模块和第二驱动模块之间呈并联连接，并联的第一驱动模块和第二驱动模块输入连接有供电，输出连接第三变压器。上述第一驱动模块和第二驱动模块内部结构及功能是相同的，均包括有依次串联的半桥谐振单元、变压器和MOS管，所述的IC控制单元的第一引脚和第二引脚分别连接第一驱动模块和第二驱动模块的半桥谐振单元，所述第一驱动模块和第二驱动模块的MOS管连接在第三变压器上。本技术有两个并联的驱动模块，每个驱动模块中都有一变压器模及与其对应的一MOS管，这种技术方案有效的提高了电源驱动能力，同时因为变压器和MOS管一一对应，所以驱动过程中的发热量一般不会将电源的保险丝的烧断，即不会出现炸机情况，同时因发热量减少，所以本技术还节能环保。在本实施例中，第一驱动模块和第二驱动模块均还可进一步为MOS管——对应设置一 MOS管保护单元。当然，本实施中只提到两个并联的第一驱动模块和第二驱动模块，在实际应用中基本已能够满足我们的使用，但是还可以根据实际情况和IC控制模块的引脚的空余量适当的增加并联的多组驱动模块，也就是说本实施例中两组并联的驱动模块仅为一种基本的实施例。在本实施例中，图2为上述实施例的具体半桥谐振电源电路图，其中第一驱动模块和第二驱动模块中的所述半桥谐振单元包括依次串联的信号放大器和信号耦合器。IC控制模块包括一芯片IC4，芯片IC4的14脚的输出方波信号经电阻R62给到第一驱动模块的信号放大器的NPN三极管Q17基极及PNP三极管Q16基极，NPN三极管Q17的集电极接供电，PNP三极管Q16的集电极接地，NPN三极管Q17和PNP三极管Q16的发射极相连后将信号放大的方波电流经信号耦合单元的电容器C44耦合到一起给变压器T4初级信号，变压器T4次级经电阻R55给MOS管Q2栅级一个方波信号使MOS管Q2导通380VDC给第三变压器Tl提供能量，该第一驱动模块中的MOS管保护单元是电阻R56，电阻R56 —端连接MOS管Q2的栅极，另一端连接MOS管的源极，这样可以有效的防止MOS管Q2因栅极电荷过高而损坏。此外，IC控制模块芯片IC4的13脚则输出方波信号经电阻R61给到第二驱动模块的信号放大器的NPN三极管Q15基极及PNP三极管Q14基极，NPN三极管Q15的集电极接供电，PNP三极管Q14的集电极接地，NPN三极管Q15和PNP三极管Q14的发射极相连后将信号放大的方波电流经信号耦合单元的电容器C49耦合到一起给变压器T3初级信号，变压器T3次级经电阻R57给MOS管Q3栅级一个方波信号使MOS管Q3导通给第三变压器Tl提供能量，该第二驱动模块中的MOS管保护单元是电阻R58，电阻R58 —端连接MOS管Q2的栅极，另一端接地，这样可以有效的防止MOS管Q2因栅极电荷过高而损坏。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半桥谐振电源，其特征在于，包括IC控制模块、至少两组驱动模块和第三变压器；所述每组驱动模块之间呈并联连接，并联的驱动模块输入连接有供电，输出连接第三变压器；所述IC控制模块分别与每组驱动模块相连；所述每组驱动模块均包括依次串联的半桥谐振单元、变压器和MOS管，所述半桥谐振单元连接IC控制模块，所述MOS管连接第三变压器。

【技术特征摘要】
1.一种半桥谐振电源，其特征在于，包括IC控制模块、至少两组驱动模块和第三变压器；所述每组驱动模块之间呈并联连接，并联的驱动模块输入连接有供电，输出连接第三变压器； 所述IC控制模块分别与每组驱动模块相连； 所述每组驱动模块均包括依次串联的半桥谐振单元、变压器和MOS管，所述半桥谐振单元连接IC控制模块，所述MOS管连接第三变压器。2.根据权利要求1所述的半桥谐振电源，其特征在于，所述半桥谐振单元包括串联的信号放大器和信号稱合器。3.根据权利要求2所述的半桥谐振电源，其特征在于，所述信号放大器包括NPN的三极管和PNP三极管； 所述NPN三极管的基极与PNP三极管的基极相连，所述NPN三极管的发射极与PNP...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨以钧，
申请(专利权)人：一纮兴业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：