一种像素驱动电路、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供一种像素驱动电路、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，能够避免驱动晶体管阈值电压漂移对有源发光器件驱动电流的影响。该像素驱动电路，包括：数据线、第一扫描线、第二扫描线、信号控制线、发光器件、存储电容、驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管和第五开关晶体管。本实用新型专利技术实施例用于显示器制造。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种像素驱动电路、阵列基板和显示装置。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrix/Organic Light EmittingDiode,AM0LED)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器相比，有机发光二极管OLED具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，在手机、PDA (PersonalDigital Assistant,掌上电脑)、数码相机等显示领域OLED已经开始取代传统的IXD显示屏。像素驱动电路设计是AMOLED显示器核心
技术实现思路
，具有重要的研究意义。与TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)利用稳定的电压控制亮度不同，OLED属于电流驱动，需要稳定的电流来控制发光。由于工艺制程和器件老化等原因，在现有的两个晶体管T1、T2和一个存储电容Cl的驱动电路中(参照图1所示)，其中驱动电流1_是由于数据线提供的电压Vdata作用在驱动晶体管(DTFT)饱和区域而产生的电流。它驱动OLED来发光，其中驱动电流计算公式为1。_ = K(Ves-Vth)2,其中Ves为驱动晶体管栅极和源极之间的电压，Vth为驱动晶体管的阈值电压，由于工艺制程和器件老化等原因，各像素点的驱动TFT的阈值电压(Vth)存在不均匀性，各像素点的驱动TFT(即图中T2)的阈值电压存在不均匀性，这样就导致了流过每个像素点OLED的电流发生变化，从而影响整个图像的显示效果。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种像素驱动电路、阵列基板和显示装置，能够避免驱动晶体管的阈值电压漂移对有源发光器件驱动电流的影响，进而提高了显示图像的均匀性。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案—方面，提供一种像素驱动电路，包括数据线、第一扫描线、第二扫描线、信号控制线、发光器件、存储电容、驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管和第五开关晶体管；第一开关晶体管的栅极连接所述信号控制线，所述第一开关晶体管的源极连接第一电平端，所述第一开关晶体管的漏极连接所述存储电容的第一极；第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二开关晶体管的源极连接低电平，所述第二开关晶体管的漏极连接所述存储电容的第二极；第三开关晶体管的栅极连接所述第二扫描线，所述第三开关晶体管的源极连接所述存储电容的第二极；第四开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第四开关晶体管的源极连接所述数据线，所述第四晶体管的漏极连接所述第三晶体管的漏极；所述驱动晶体管的栅极连接所述第四开关晶体管的漏极，所述驱动晶体管的源极连接所述存储电容的第一极；第五开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第五开关晶体管的源极连接所述驱动晶体管的漏极，所述第五开关晶体管的漏极连接所述低电平；所述发光器件的一极连接所述驱动晶体管的漏极，所述发光器件的另一极连接第二电平端。可选的，所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管、所述第四开关晶体管及所述第五开关晶体管均为“N”型开关晶体管，所述驱动晶体管为“P”型开关晶体管，所述第三开关晶体管为“N”型或“P”型开关晶体管。可选的，所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管、所述第四开关晶体管、所述第五开关晶体管及所述驱动晶体管均为“P”型开关晶体管，所述第三开关晶体管为“N”型或“p”型开关晶体管。可选的，所述第三开关晶体管与所述第二开关晶体管及第四开关晶体管采用不同类型的开关晶体管时，所述第一扫描线和所述第二扫描线输入相同的时序扫描信号。—方面，提供一种阵列基板，包括上述的像素驱动电路。一方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。本技术的实施例提供一种像素驱动电路、阵列基板和显示装置，能够通过电压补偿的方式避免驱动晶体管的阈值电压漂移对有源发光器件驱动电流的影响，进而提高了显示图像的均匀性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的一种像素驱动电路结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种像素驱动电路结构示意图；图3为技术另一实施例提供的一种像素驱动电路结构示意图；图4为本技术实施例提供的像素驱动电路的信号时序状态示意图；图5a为本技术实施例提供的像素驱动电路在第一时间段的等效电路示意图；图5b为本技术实施例提供的像素驱动电路在第二时间段的等效电路示意图；图5c为本技术实施例提供的像素驱动电路在第三时间段的等效电路示意图；图6为本技术的实施例提供的如图3所示的像素驱动电路的信号时序状态示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术所有实施例中采用的开关晶体管和驱动晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本技术实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外本技术实施例所采用的开关晶体管包括P型开关晶体管和N型开关晶体管两种，其中，P型开关晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型开关晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。参照图2，为本技术实施例提供的一种像素驱动电路，包括数据线、第一扫描线、第二扫描线、信号控制线、发光器件、存储电容Cl、驱动晶体管DTFT和、第一开关晶体管Tl、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4和第五开关晶体管T5 ；第一开关晶体管Tl的栅极连接信号控制线，第一开关晶体管Tl的源极连接第一电平端，第一开关晶体管Tl漏极连接存储电容Cl的第一极；第二开关晶体管T2的栅极连接第一扫描线，第二开关晶体管T2的源极连接低电平，第二开关晶体管T2的漏极连接存储电容Cl的第二极；第三开关晶体管T3的栅极连接第一扫描线，第三开关晶体管T3的源极连接存储电容Cl的第二极；第四开关晶体管T4的栅极连接第一扫描线，第四开关晶体管T4的源极连接数据线，第四晶体管T4的漏极连接第三晶体管T3的漏极；驱动晶体管DTFT的栅极连接第四开关晶体管T4的漏极，驱动晶体管DTFT的源极；连接存储电容Cl的第一极；第五开关晶体管T5的栅极连接第一扫描线，第五开关晶体管T5的源极连接驱动晶体管DTFT的漏极，第五开关晶体管T5的漏极连接低电平；发光器件的一极连接驱动晶体管DTFT的漏极，发光器件的另一极连接第二电平端。其中，第一开关晶体管Tl、第二开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素驱动电路，其特征在于，包括数据线、第一扫描线、第二扫描线、信号控制线、发光器件、存储电容、驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管和第五开关晶体管；第一开关晶体管的栅极连接所述信号控制线，所述第一开关晶体管的源极连接第一电平端，所述第一开关晶体管的漏极连接所述存储电容的第一极；第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二开关晶体管的源极连接低电平，所述第二开关晶体管的漏极连接所述存储电容的第二极；第三开关晶体管的栅极连接所述第二扫描线，所述第三开关晶体管的源极连接所述存储电容的第二极；第四开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第四开关晶体管的源极连接所述数据线，所述第四晶体管的漏极连接所述第三晶体管的漏极；所述驱动晶体管的栅极连接所述第四开关晶体管的漏极，所述驱动晶体管的源极连接所述存储电容的第一极；第五开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第五开关晶体管的源极连接所述驱动晶体管的漏极，所述第五开关晶体管的漏极连接所述低电平；所述发光器件的一极连接所述驱动晶体管的漏极，所述发光器件的另一极连接第二电平端。

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括数据线、第一扫描线、第二扫描线、信号控制线、发光器件、存储电容、驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管和第五开关晶体管； 第一开关晶体管的栅极连接所述信号控制线，所述第一开关晶体管的源极连接第一电平端，所述第一开关晶体管的漏极连接所述存储电容的第一极； 第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二开关晶体管的源极连接低电平，所述第二开关晶体管的漏极连接所述存储电容的第二极； 第三开关晶体管的栅极连接所述第二扫描线，所述第三开关晶体管的源极连接所述存储电容的第二极； 第四开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第四开关晶体管的源极连接所述数据线，所述第四晶体管的漏极连接所述第三晶体管的漏极； 所述驱动晶体管的栅极连接所述第四开关晶体管的漏极，所述驱动晶体管的源极连接所述存储电容的第一极； 第五开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第五开关晶体管的源极连接所述驱动晶体管的漏极，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛际，吴俊纬，刘英明，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：