【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种晶振温度补偿芯片，特别是关于。
技术介绍
晶振通常用来提供标准时钟频率，通常晶振输出的频率在不同的温度下其输出频率会随温度的变化产生漂移，为保证晶振输出的频率为标准频率，通常会通过温度补偿芯片对晶振的输出频率进行温度补偿。由于晶振输出频率随温度变化为的函数为曲线，温度补偿芯片对输出频率进行校正时的函数也需要是相应的曲线才能对温度漂移进行补偿，所以温度补偿芯片的校正函数通常为多次曲线函数，例如二次曲线函数或三次曲线函数等， 当采用例如3次函数进行校正补偿时,校正函数为f (x)=a*x3+b*x2+c*x+d, x为温度传感器值。若要得到准确的a，b，c，d系数，需要四个数据点，对于温补芯片来说，需要测试四个不同温度下的误差值，在进行批量生产的时候，这四个温度点成了掣肘产量和成本的关键因素。如果能通过测量更少的温度点，而达到与测试四个点相近的效果，这样能减少生产成本和加快生产速度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种不需要测量很多温度点就能够快速确定温度补偿芯片校验函数的方法。为达成前述目的，本专利技术一种温度补偿芯片的快速校验方法，其包括建立芯片的温度频率数据库；设置待测试芯片的关于温度的η次频率校正函数为 f(x)=d1xn+d2xn-1+d3xn-2……+dn+1，该函数反映了芯片在不同温度时的频率偏差情况，其中X 为温度或温度传感器值，f (X)为X温度下对标准频率的频率偏差的校正函数，d1, d2，d3…… dn+1为校正函数的系数，测量该待测试芯片的k个温度信息点的频率值，其中0〈k〈n，根据测得的k个温度信息点的频率值...
【技术保护点】
一种温度补偿芯片的快速校验方法，其包括建立芯片的温度频率数据库；设置待测试芯片的关于温度的n次频率校正函数为f(x)=d1xn+d2xn?1+d3xn?2……+dn+1，该函数反映了芯片在不同温度时的频率偏差情况，其中x为温度或温度传感器值，f(x)为x温度下对标准频率的频率偏差的校正函数，d1，d2，d3……dn+1为校正函数的系数，测量该待测试芯片的k个温度信息点的频率值，其中0
【技术特征摘要】
1.一种温度补偿芯片的快速校验方法，其包括建立芯片的温度频率数据库；设置待测试芯片的关于温度的η次频率校正函数为fOOzdy+c^H+dZ2……+dn+1，该函数反映了芯片在不同温度时的频率偏差情况，其中X为温度或温度传感器值，f(x)为X温度下对标准频率的频率偏差的校正函数，Cl1, d2，d3……dn+1为校正函数的系数，测量该待测试芯片的 k个温度信息点的频率值，其中0〈k〈n，根据测得的k个温度信息点的频率值，对数据库进行检索，检索出与该待测试芯片的物理特性相似的芯片的信息，因物理特性相似故校正函数相似，通过检索到的物理特性相似的芯片的信息计算待测试芯片的其他温度频率信息点的信息，进而计算待测试芯片的校正函数的系数；其中所述温度频率数据库储存的信息为2.如权利要求1所述的温度补偿芯片的快速校验方法，其特征在于所述测量的点的数值k=l，所述待测试芯片的关于温度的校正函数为F(X)=C^d2(X-a)2+d3(X_a)3+…… +dn(x-a)n，其中Cl1, d2，d3……dn，a为常数，其中测量的点为接近常温的温度点P 1，其包含的信息为( 1^ 17)，其中对于数据库中的第(；个芯片，其校正函数的常数项(111与测量点的频率差值为ti=dl1-Fyl，若数据库中有N个芯片，则t= (tl+t2+t3…+tN)/N，则预测待测试芯片的校正函数的常数项dlpl=Ply+t，在数据库中搜索与待测试芯片相似的芯片的条件为3.如权利要求1所述的温度补偿芯片的快速校验方法，其特征在于对于搜索到的芯片的剩余n-k个信息点的温度传感器值Txi进行修正，得到与待测试芯片相似芯片的其余 n-k个信息点的温度传感器值Txi，取测得的k个信息点以及修正后的n-k个信息点的温度传感器值Txi及频率相关值Fyi计算待测试芯片的校正函数。4.如权利要求3所述的温度补偿芯片的快速校验方法，其特征在于所述修正的方法为待测试芯片的剩余的n-k个信息点的温度传感器值为Pix=Tx1-t，其中 t=[ (Txl-Plx)+ (Tx2-P2x)+……(Txk-Pkx) ]/k，其中k为已测量的信息点的数量。5.如权利要求3所述的温度补偿芯片的快速校验方法，其特征在于所述修正的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯向光，从勇，楼建宇，
申请(专利权)人：无锡辐导微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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