本发明专利技术提供了一种有机薄膜晶体管、制造有机薄膜晶体管的方法和显示器。该有机薄膜晶体管包括：由有机材料制成的半导体层；栅电极；各自至少部分设置在所述半导体层上方的源电极和漏电极；和包含导电性因还原而变化的氧化物的导电层，所述导电层设置在分别面对设置在所述半导体层上方的所述源电极和所述漏电极的第一区域和第二区域的每一个中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用例如有机半导体的有机薄膜晶体管(TFT)。
技术介绍
通常，存在各种TFT，包括各自将无机材料用于充当有源层的半导体层的TFT (即无机TFT)，和各自将有机材料用于半导体层的有机TFT。已经追求了有机TFT作为用于柔性显示器的驱动装置的开发。有机TFT包括各自具有所谓的底部接触结构的有机TFT (参见，例如，“Direct lithographic top contacts for pentacene organic thin-filmtransistors”，C. -C. Kuo, T.N Jackson, [online], APPLIED PHYSICS LETTERS 94,053304(2009))和各自具有所谓的顶部接触结构的有机TFT(参见，例如，Integration of reducedgraphene oxide into organic field—effect transistors as conducting electrodesand as a metal modification layer， Chen-Guan Lee 和 three others， [online]，APPLIED PHYSICS LETTERS 95,023304 (2009))。
技术实现思路
然而，关于上述有机TFT，特别是在采用顶部接触结构的情况下，当形成源电极和漏电极时，必须对半导体层上的导电膜进行蚀刻。因此，半导体层容易被损坏。因此，存在不利地影响晶体管性能的缺点。另外，还存在另一个缺点，即，难以确保由有机材料制成的半导体层与源电极和漏电极之间的良好接触(电连接)(即，限制了实现良好接触的电极材料，且其选择性差)。期望提供一种有机薄膜晶体管、制造所述有机薄膜晶体管的方法和显示器，其能够确保半导体层与源极和漏极之间的良好接触。还期望提供一种有机薄膜晶体管、制造所述有机薄膜晶体管的方法和显示器，其能够减少特别是在采用顶部接触结构的情况下，在制造工艺中对半导体层的 损坏。根据本专利技术的一个实施方式，提供了第一有机薄膜晶体管，包括由有机材料制成的半导体层；栅电极；各自至少部分设置在所述半导体层上方的源电极和漏电极；和包含导电性因还原反应(还原，reduction)而变化的氧化物的导电层，所述导电层设置在分别面对设置在所述半导体层上方的所述源电极和所述漏电极的第一区域和第二区域的每一个中。在根据本专利技术上述实施方式的第一有机薄膜晶体管中，所述导电层设置在面对所述半导体层上方的所述源电极和所述漏电极的第一区域和第二区域的每一个中。该导电层包括导电性因还原反应而变化的氧化物。这使得所述导电层可以充当所述半导体层与所述源电极和所述漏电极之间的接触层。另外，特别是在采用顶部接触结构的情况下，使得在制造工艺中可以在半导体层上形成蚀刻阻挡层(蚀刻停止层，etching stopper layer)。根据本专利技术的一个实施方式，提供了第二有机薄膜晶体管，包括由有机材料制成的半导体层；栅电极、源电极和漏电极；和设置在所述源电极和所述漏电极与所述半导体层之间的氧化物层，所述氧化物层在分别面对所述源电极和所述漏电极的所述第一区域和所述第二区域中显示导电性，并且所述氧化物层在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域中显示绝缘性。在根据本专利技术上述实施方式的第二有机薄膜晶体管中，提供氧化物层，所述氧化物层在分别面对所述源电极和所述漏电极的所述第一区域和所述第二区域中显示导电性，并且在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域中显示绝缘性。这使得所述氧化物层的对应于所述第一区域和所述第二区域的每一个的部分可充当所述半导体层与所述源电极和所述漏电极之间的接触层。另外，特别是在采用顶部接触结构的情况下，使得在制造工艺中所述氧化物层可以充当半导体层上的蚀刻阻挡层。根据本专利技术的一个实施方式，提供了一种制造有机薄膜晶体管的方法，所述方法包括形成由有机材料制成的半导体层；形成栅电极；形成源电极和漏电极；和形成氧化物层，所述氧化物层在其中分别待形成所述源电极和所述漏电极的第一区域和第二区域中显示导电性，所述氧化物层在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域中显示绝缘性。根据本专利技术上述实施方式的制造有机薄膜晶体管的方法包括形成氧化物层。所述氧化物层在其中分别待形成所述源电极和所述漏电极的第一区域和第二区域中显示导电性，并且在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域中显示绝缘性。使所述氧化物层的对应于所述第一区域和所述第二区域的每一个的部分可充当所述半导体层与所述源电极和所述漏电极之间的接触层。另外，特别是在形成顶部接触结构的情况下，使得所述氧化物层可以充当半导体层上的蚀刻阻挡层。根据本专利技术的一个实施方式，提供了一种第一显示器，包括显示部和有机薄膜晶体管，所述显示部包括多个像素，所述有机薄膜晶体管充当用于所述像素中的每一个的驱动装置，所述有机薄膜晶体管包括由有机材料制成的半导体层；栅电极；设置在所述半导体层上方的源电极和漏电极；和包含导电性因还原反应而变化的氧化物的导电层，所述导电层设置在分别面对所述源电极和所述漏电极的第一区域和第二区域的每一个中，并且所述源电极和所述漏电极各自至少部分设置在所述半导体层上方。 根据本专利技术的一个实施方式，提供了一种第二显示器，包括显示部和有机薄膜晶体管，所述显示部包括多个像素，所述有机薄膜晶体管充当用于所述像素中的每一个的驱动装置，所述有机薄膜晶体管包括由有机材料制成的半导体层；栅电极、源电极和漏电极；和设置在所述源电极和所述漏电极与所述半导体层之间的氧化物层，所述氧化物层在分别面对所述源电极和所述漏电极的所述第一区域和所述第二区域中显示导电性，并且所述氧化物层在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域中显示绝缘性。根据本专利技术上述实施方式中的第一有机薄膜晶体管，所述导电层设置在面对所述半导体层上方的所述源电极和所述漏电极的第一区域和第二区域的每一个中。该导电层包含导电性因还原反应而变化的氧化物。这使得所述导电层可以充当所述半导体层与所述源电极和所述漏电极之间的接触层。另外，特别是在采用顶部接触结构的情况下，使得在制造工艺中可以在半导体层上形成蚀刻阻挡层。因此，使得可以在源电极和漏电极与半导体层之间确保良好的接触。另外，在采用顶部接触结构的情况下，使得可以减少在制造工艺中对半导体层的损坏。根据本专利技术上述实施方式中的第二有机薄膜晶体管，提供了氧化物层，所述氧化物层在分别面对所述源电极和所述漏电极的所述第一区域和所述第二区域中显示导电性，并且在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域中显示绝缘性。这使得所述氧化物层的所述部分可充当所述半导体层与所述源电极和所述漏电极之间的接触层。另外，在采用顶部接触结构的情况下，使得在制造工艺中所述氧化物层可以充当半导体层上的蚀刻阻挡层。因此，使得可以在源电极和漏电极与半导体层之间确保良好的接触。另外，在采用顶部接触结构的情况下，使得可以减少在制造工艺中对半导体层的损坏。根据本专利技术上述实施方式中的制造有机薄膜晶体管的方法，包括形成氧化物层。所述氧化物层在其中分别待形成所述源电极和所述漏电极的第一区域和第二区域中显示导电性，并且在所述第一区域和所述第二区域之间的第三本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管，包括：由有机材料制成的半导体层；栅电极；各自至少部分设置在所述半导体层上方的源电极和漏电极；以及包含导电性因还原反应而变化的氧化物的导电层，所述导电层设置在分别面对设置在所述半导体层上方的所述源电极和所述漏电极的第一区域和第二区域的每一个中。
【技术特征摘要】
2011.10.12 JP 2011-2249491.一种有机薄膜晶体管，包括由有机材料制成的半导体层；栅电极；各自至少部分设置在所述半导体层上方的源电极和漏电极；以及包含导电性因还原反应而变化的氧化物的导电层，所述导电层设置在分别面对设置在所述半导体层上方的所述源电极和所述漏电极的第一区域和第二区域的每一个中。2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，在所述半导体层上，在所述第一区域、所述第二区域以及所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域中设置包含氧化物的氧化物层，所述导电层通过将所述氧化物层的选择性部分还原而构造，所述选择性部分对应于所述第一区域和所述第二区域中的每一个，并且在所述氧化物层的所述第三区域中显示绝缘性。3.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，所述氧化物是石墨烯氧化物。4.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，所述源电极和所述漏电极各自被图案化成与所述导电层相同的形状。5.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，在基板上的选择性区域中设置所述栅电极，并且在所述栅电极上设置所述半导体层，其中在所述半导体层与所述栅电极之间设置有栅极绝缘膜。6.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其中，所述栅电极使用由金、铝、银、铜、钼、镍中的一种制成的单层膜，或者包含这些材料中的两种以上的层压膜构造。7.—种有机薄膜晶体管,包括由有机材料制成的半导体层；栅电极、源电极和漏电极；以及设置在所述源电极和所述漏电极与所述半导体层之间的氧化物层，所述氧化物层在分别面对所述源电极和所述漏电极的所述第一区域和所述第二区域中显示导电性，并且所述氧化物层在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域中显示绝缘性。8.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管，其中，所述氧化物层包含导电性因还原反应而变化的氧化物。9.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管，其中，所述氧化物层通过将其对应于所述第一区域和所述第二区域中的每一个的选择性部分还原而构造。10.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管，其中，所述氧化物是石墨烯氧化物。11.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管，其中，在所述半导体层上设置所述源电极和所述漏电极，其中在所述源电极和所述漏电极与所述半导体层之间设置有所述氧化物层。12.一种制造有...
【专利技术属性】
技术研发人员：牛仓信一，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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