焊盘和芯片制造技术

本实用新型专利技术提供一种焊盘和芯片。所述焊盘包括顶层金属层，所述顶层金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域沿宽度方向连接，所述第一区域的形状为矩形，所述第一区域的长度大于或等于所述第二区域的平均长度。所述芯片包括：位于芯片边缘区域的地线、电源线或静电隔离环，所述地线、电源线或静电隔离环包括顶层金属层和其它金属层；多个上述的焊盘，所述焊盘位于所述地线、电源线或静电隔离环的外围区域，所述焊盘的顶层金属层和所述地线、电源线或静电隔离环的顶层金属层位于同一层，所述焊盘的顶层金属层形状与所述地线、电源线或静电隔离环对应的顶层金属层形状相匹配。本实用新型专利技术可以减小芯片的面积，提高集成度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种焊盘和芯片。
技术介绍
随着集成电路的制作向超大规模集成电路发展，晶片上的电路密度越来越大，所含元件数量不断增加，晶体表面已无法提供足够的面积来制作所需的互连线(interconnect)结构，因此焊盘(pad)是极其重要的连接构件。现有芯片中多包括地线、电源线、静电隔离环和焊盘等结构，且地线、电源线、静电隔离环和焊盘等均可以由多个金属层组成，根据设计需要使金属层之间通过通孔进行电连接。地线、电源线、静电隔离环和焊盘中包含的金属层数目可以不同，但是其顶层金属层一般都位于同一层。在芯片的上表面还会形成覆盖地线、电源线、静电隔离环和焊盘的钝化层，且会在焊盘对应的钝化层中形成露出焊盘上表面的开口，并在开口中形成导线以实现芯片与外部器件的电连接。`在一个具体例子中，参考图1所示，所述芯片10包括电源线20，包括两个金属层，金属层之间通过通孔25实现电连接；焊盘30，包括两个金属层，金属层之间通过通孔32实现电连接，各金属层的结构均为矩形且尺寸相同；所述焊盘30位于所述电源线20的外围区域；钝化层(图中未示出)，位于电源线20和焊盘30的上表面，所述钝化层与焊盘30对应的位置形成有一开口 35，所述开口 35的尺寸小于所述焊盘30金属层的尺寸。焊盘30金属层的宽度W2与开口 35的宽度Wl有关，开口 35的宽度Wl又与芯片封装的形式密切相关。但是在现有的封装技术中，对开口 35的宽度Wl有尺寸要求，如COB(Chip On Board，板上芯片)封装中需要开口 35的宽度Wl达到75微米，从而使得焊盘30各金属层的宽度W2会接近80微米，最终导致芯片面积会变大很多，降低了电路的集成度。因此，如何减小芯片的面积以提高集成度就成为本领域技术人员亟待解决的问题之一 O
技术实现思路
本技术解决的问题是提供一种焊盘和芯片，以减小芯片面积，最终提高电路集成度。为解决上述问题，本技术提供了一种焊盘，包括顶层金属层，所述顶层金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域沿宽度方向连接，所述第一区域的形状为矩形，所述第一区域的长度大于或等于所述第二区域的平均长度。可选地，所述焊盘还包括位于所述顶层金属层下方的M个金属层，所述M个金属层的尺寸与所述第一区域的尺寸相等，所述M为大于或等于I的整数。可选地，所述第二区域的形状为矩形。可选地，所述第二区域的宽度与所述第一区域和第二区域的宽度之和的比值大于或等于十分之一。可选地，所述第一区域的宽度范围包括20微米 80微米；所述第二区域的宽度范围包括5微米飞0微米。为了解决上述问题，本技术还提供了一种芯片，包括位于芯片边缘区域的地线、电源线或静电隔离环，所述地线、电源线或静电隔离环包括顶层金属层和其它金属层；多个上述的焊盘，所述焊盘位于所述地线、电源线或静电隔离环的外围区域，所述焊盘的顶层金属层和所述地线、电源线或静电隔离环的顶层金属层位于同一层，所述焊盘的顶层金属层形状与所述地线、电源线或静电隔离环对应的顶层金属层形状相匹配。可选地，所述焊盘的顶层金属层形状为凸字型，对应位置所述地线、电源线或静电隔离环的顶层金属层形状为凹字形。可选地，所述芯片还包括位于顶层金属层上表面的钝化层，所述钝化层中包括多个与所述焊盘对应的开口，所述开口同时暴露出对应焊盘的部分第一区域和部分第二区域。与现有技术相比，本技术技术方案具有以下优点本技术同时改变了焊盘顶层金属层的形状和位置以及相匹配的电源线、地线或静电隔离环的形状，使焊盘顶层金属层在矩形的第一区域的基础上增加第二区域，两个区域沿宽度方向连接，且保证第一区域的长度不小于第二区域的平均长度，从而在增大钝化层中开口的宽度尺寸的同时，不增加芯片的面积，最终可以提闻电路的集成度。进一步地，由于钝 化层中开口的尺寸比较大，在满足COB封装工艺的同时，还可以兼容 CSP (Chip Scale Package,芯片级封装)和 CLCC (Ceramic Leaded Chip Carrier,有引线陶瓷芯片载体)等其它类型的封装要求。附图说明图1是现有技术中芯片的结构示意图；图2是本技术实施例一中芯片的结构示意图；图3是本技术实施例一中焊盘的结构示意图；图4是本技术实施例二中芯片的结构示意图；图5是本技术实施例二中焊盘的结构示意图；图6是本技术实施例三中芯片的结构示意图；图7是本技术实施例三种焊盘的结构示意图。具体实施方式为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
部分所述，现有技术中焊盘顶层金属层与其下面的金属层的尺寸完全相同且形状均为矩形，当要求其上表面的钝化层中的开口宽度比较大时，将使得焊盘中各金属层的宽度均比较大，从而增大了芯片的面积，不利于电路的高度集成化。针对上述缺陷，本技术提供了一种新的焊盘结构和芯片结构，在保证焊盘的顶层金属层和芯片中地线、电源线或静电隔离环对应的顶层金属层形状相匹配的同时，仅通过改变焊盘顶层金属层形状或位置中的一种或两种的方式增加了焊盘顶层金属层的面积，而保持焊盘顶层金属层下面的各金属层的形状和尺寸均不变，从而就可以在焊盘顶层金属层上表面的钝化层中形成宽度较大的开口，实现各种芯片封装工艺的兼容，最终不增加芯片的面积，提闻了电路的集成度。以下结合附图进行详细说明。本实施方式提供了一种芯片，包括位于芯片边缘区域的地线、电源线或静电隔离环，所述地线、电源线或静电隔离环包括顶层金属层和其它金属层；多个焊盘，所述焊盘位于所述地线、电源线或静电隔离环的外围区域，所述焊盘包括顶层金属层和其它金属层，所述焊盘的顶层金属层和所述地线、电源线或静电隔离环的顶层金属层位于同一层，所述焊盘的顶层金属层形状与所述地线、电源线或静电隔离环对应的顶层金属层形状相匹配；所述焊盘的顶层金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域沿宽度方向连接，所述第一区域的形状为矩形，所述第一区域的长度大于或等于所述第二区域的平均长度。为了简单起见，以下以焊盘位于电源线的外围区域为例进行说明，但其不限制本技术的保护范围。实施例一结合参考图2和图3所示，本实施例中芯片100包括电源线，位于芯片100的边缘区域，所述电源线包括顶层金属层200和位于顶层金属层200下面的N个其它金属层，所述N为大于或等于I的整数，金属层通过通孔250实现电连接；多个焊盘，位于所述电源线的外围区域，所述焊盘包括顶层金属层300和位于顶层金属层300下面的M个其它金属层，金属层通过通孔(图中未示出)实现电连接，所述焊盘的顶层金属层300和所述电源线的顶层金属层200位于同一层，所述焊盘的顶层金属层300形状与所述电源线对应的顶层金属层200形状相匹配；所述焊盘的顶层金属层300包括第一区域310和第二区域320，所述第一区域310和第二区域320沿宽度方向连接，所述第一区域310的形状为矩形，所述第一区域310的长度大于或等于所述第二区域320的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种焊盘，包括顶层金属层，其特征在于，所述顶层金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域沿宽度方向连接，所述第一区域的形状为矩形，所述第一区域的长度大于或等于所述第二区域的平均长度。

【技术特征摘要】
1.一种焊盘，包括顶层金属层，其特征在于，所述顶层金属层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域沿宽度方向连接，所述第一区域的形状为矩形，所述第一区域的长度大于或等于所述第二区域的平均长度。2.如权利要求1所述的焊盘，其特征在于，还包括位于所述顶层金属层下方的M个金属层，所述M个金属层的尺寸与所述第一区域的尺寸相等，所述M为大于或等于I的整数。3.如权利要求1所述的焊盘，其特征在于，所述第二区域的形状为矩形。4.如权利要求3所述的焊盘，其特征在于，所述第二区域的宽度与所述第一区域和第二区域的宽度之和的比值大于或等于十分之一。5.如权利要求4所述的焊盘，其特征在于，所述第一区域的宽度范围包括20微米10微米；所述第二区域的宽度范围包括5微米飞O微米。6.—种芯片,其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，乔劲轩，占世武，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：