一种八寸晶圆框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种八寸晶圆框架，包括一框架主体，所述框架主体为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；在此其截取位置四条边定义为截取边，相邻所述截取边之间的框架主体弧形外边缘部分定义为弧形边；其中，间隔的两个所述截取边相互平行，相邻的两个所述截取边相互垂直；且四条所述截取边中的其中一条截取边两端设有两个齿形缺口。通过将框架主体设计为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；且四条所述截取边中的其中一条边两端设有两个齿形缺口，使得晶圆加工时支撑效果好，易于加工，从而达到了设计合理、结构简单、且固定牢固应用效果好的目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶圆加工
,具体涉及一种八寸晶圆框架。
技术介绍
晶圆是指娃半导体集成电路制作所用的娃晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99. 999999999%。晶圆制造厂再把许多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为积体电路工厂的基本原料-硅晶圆片，这就是“晶圆”。然而，由于晶圆较薄易碎，在晶圆片的加工过程中，必须对其整个面积进行支撑，以防止不必要的损坏。一种保护薄晶圆的常见方法涉及使用粘性层将薄晶圆暂时接合到平板上，从而利用晶圆框架来防止薄晶圆横向移动。因此，如何设计一种对晶圆支撑效果好，易于加工，且能牢固安装到设备上的晶圆框架，是本行业技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种安装牢固应用效果好的晶圆框架，通过将所述框架主体设计为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；且截取的边缘两两平行，并分别与两个相垂直的直径平行；且四条所述截取边中的其中一条边两端设有两个齿形缺口，使得晶圆加工时支撑效果好，易于加工。为达到上述目的，本技术的技术方案如下一种八寸晶圆框架，包括一框架主体，所述框架主体为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；在此其截取位置四条边定义为截取边，相邻所述截取边之间的框架主体弧形外边缘部分定义为弧形边；其中，间隔的两个所述截取边相互平行，相邻的两个所述截取边相互垂直；且四条所述截取边中的其中一条截取边两端设有两个齿形缺口，所述两个齿形缺口中的一个齿形缺口夹角为60°，另一个齿形缺口夹角为120°。优选的，所述框架主体内径为250mm，所述弧形边到圆心的距离为148mm,两条所述平行的截取边之间的距离为276mm，所述齿形缺口夹角为60°的缺口底部到与两齿形缺口之间的截取边相平行的直径之间的距离为122mm，所述齿形缺口夹角为120°的缺口底部到与两齿形缺口之间的截取边相平行的直径之间的距离为123. 4mm。从上述的技术方案能够看出，本技术所公开的一种八寸晶圆框架，通过将框架主体设计为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；且截取的边缘两两平行，并分别与两个相垂直的直径平行；且靠近四条所述截取边中的其中一条边两端设有两个齿形缺口，使得晶圆加工时支撑效果好，易于加工，从而达到了设计合理、结构简单、且固定牢固应用效果好的目的。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例所公开的一种八寸晶圆框架的结构示意图。图中的数字或字母所表示的相应部件的名称1、框架主体 11、截取边 12、弧形边 13、60°夹角齿形缺口 14、120°夹角齿形缺口具体实施方式下面将结合附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护的范围。本技术公开了一种八寸晶圆框架，通过将所述框架主体设计为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；且截取的边缘两两平行，并分别与两个相垂直的直径平行；且四条所述截取边中的其中一条边两端设有两个齿形缺口，使得晶圆加工时支撑效果好，易于加工，安装牢固应用效果好的 。实施例.如图1所示，一种八寸晶圆框架，包括一框架主体I，所述框架主体I为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；在此其截取位置四条边定义为截取边11，相邻所述截取边11之间的框架主体I的弧形外边缘部分定义为弧形边12 ;其中，间隔的两个所述截取边11相互平行，相邻的两个所述截取边11相互垂直；且四条所述截取边11中的其中一条截取边11两端设有两个齿形缺口，所述两个齿形缺口中的一个为60°夹角齿形缺口 13，另一个为120°夹角齿形缺口 14。其中，所述框架主体I内径为250mm，所述弧形边12到圆心的距离为148mm,两条所述平行的截取边11之间的距离为276mm，所述60°夹角齿形缺口 13的缺口底部到与两齿形缺口之间的截取边11相平行的直径之间的距离为122mm，所述120°夹角齿形缺口14的缺口底部到与两齿形缺口之间的截取边11相平行的直径之间的距离为123. 4_，所述60°夹角齿形缺口 13的缺口底部到所述120°夹角齿形缺口 14的缺口底部的距离为124mm。从上述的技术方案能够看出，本技术所公开的一种八寸晶圆框架，通过将框架主体I设计为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；且截取的边缘两两平行，并分别与两个相垂直的直径平行；且靠近四条所述截取边11中的其中一条边两端设有两个齿形缺口，使得晶圆加工时支撑效果好，易于加工，从而达到了设计合理、结构简单、且固定牢固应用效果好的目的。以上为对本技术一种八寸晶圆框架实施例的描述，通过对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员 能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种八寸晶圆框架，其特征在于，包括一框架主体，所述框架主体为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；在此其截取位置四条边定义为截取边，相邻所述截取边之间的框架主体弧形外边缘部分定义为弧形边；其中，间隔的两个所述截取边相互平行，相邻的两个所述截取边相互垂直；且四条所述截取边中的其中一条截取边两端设有两个齿形缺口；所述两个齿形缺口中的一个齿形缺口夹角为60°，另一个齿形缺口夹角为120°。

【技术特征摘要】
1.一种八寸晶圆框架，其特征在于，包括一框架主体，所述框架主体为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；在此其截取位置四条边定义为截取边，相邻所述截取边之间的框架主体弧形外边缘部分定义为弧形边；其中，间隔的两个所述截取边相互平行，相邻的两个所述截取边相互垂直；且四条所述截取边中的其中一条截取边两端设有两个齿形缺口 ； 所述两个齿形缺口中的一个齿形缺口夹角为60°，另一个齿形缺口夹...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德峰，
申请(专利权)人：昆山英博尔电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：