一种电流偏置电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电流偏置电路，包括：9个PMOS管编号为PM1至PM9，7个NMOS管编号为NM1至NM7和1个电阻R；PM1其源极连接PM2和PM7的源极，其栅极连接NM3的漏极和PM7的栅极，其漏极连接PM3的源极；PM2其栅极连接PM3的漏极，其漏极连接PM4的源极；PM3其栅极连接PM4、PM8、PM9的栅极和PM8、NM5的漏极，其漏极通过电阻R连接NM3的漏极；PM5其源极、漏极和体短接后连接PM6的源极，其栅极连接NM1的栅极；PM6其源极、漏极和体短接，其栅极连接NM3的栅极；PM7其漏极连接PM9的源极，PM9其漏极连接NM6的漏极；NM1至NM7其各自的源极与其各自的栅极短接；NM1其源极接地，其栅极连接NM2至NM7的栅极和PM4的漏极，其漏极连接NM3的源极。本发明专利技术的电流偏置电路能产生与输入电源无关的电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及ー种偏置电流电路。
技术介绍
晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基板、发射极和集电极处于所要求的电位(可根据计算获得)。这些外部电路就称为偏置电路(可理解为，设置PN结正、反偏的电路)，偏置电路向晶体管提供的电流就称为偏置电流。常用的共射放大电路，主流是从发射极到集电极的1C，偏流就是从发射极到基极的IB0相对与主电路而目，为基极提供电流的电路就是偏置电路。如附图说明图1所示，一种传统电流偏置电路，由PMOS管PMl、PMOS管PM2、PMOS管PM3、NMOS管NMl、NMOS管NM2以及电阻R組成。其中，NMOS管NMl和NMOS管NM2构成电流镜，PMOS管PM3为启动端，通过MOS管的小信号模型，PMOS管PMl、PMOS管PM2的电流表达为

【技术保护点】
一种电流偏置电路，其特征是，包括：9个PMOS管编号为PM1至PM9，7个NMOS管编号为NM1至NM7和1个电阻R；PM1其源极连接PM2和PM7的源极，其栅极连接NM3的漏极和PM7的栅极，其漏极连接PM3的源极；PM2其栅极连接PM3的漏极，其漏极连接PM4的源极；PM3其栅极连接PM4、PM8、PM9的栅极和PM8、NM5的漏极，其漏极通过电阻R连接NM3的漏极；PM5其源极、漏极和体短接后连接PM6的源极，其栅极连接NM1的栅极；PM6其源极、漏极和体短接，其栅极连接NM3的栅极；PM7其漏极连接PM9的源极，PM9其漏极连接NM6的漏极；NM1至NM7其各自的源极与其各自的栅极短接；NM1其源极接地，其栅极连接NM2至NM7的栅极和PM4的漏极，其漏极连接NM3的源极。

【技术特征摘要】
1.一种电流偏置电路，其特征是，包括9个PMOS管编号为PMl至PM9，7个NMOS管编号为匪I至匪7和I个电阻R ；PMl其源极连接PM2和PM7的源极，其栅极连接匪3的漏极和PM7的栅极，其漏极连接PM3的源极；PM2其栅极连接PM3的漏极，其漏极连接PM4的源极；PM3其栅极连接PM4、PM8、PM9的栅极和PM8、NM5的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丹，朱红卫，胡冠斌，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：