本发明专利技术属于软包装材料技术领域。一种抗静电聚乙烯薄膜,由抗静电层、中间层、电晕层以共挤工艺吹膜生产而成,其特征在于:所述抗静电层由25~30%低密度聚乙烯、60~65%线型低密度聚乙烯、0.5~5%纳米级SiO2、0.5~3%的相容剂、0.5~2%的偶联剂、0.1~0.5%的抗氧化剂组成。所述中间层为低密度聚乙烯。所述电晕层为33%低密度聚乙烯、67%线型低密度聚乙烯的混合物。本发明专利技术通过在聚烯烃中接枝纳米级二氧化硅制备了新型抗静电聚乙烯薄膜,提高了薄膜的表面的比表面积,提高了薄膜的整体抗静电性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于软包装材料
,具体涉及一种抗静电聚乙烯薄膜,还涉及其制 备方法。
技术介绍
近年来,随着我国电子行业的迅速发展,对于一些敏感的电子元件、芯片、仪器仪 表等电子产品对包装膜的要求非常严格,如果采用了非抗静电包装膜,薄膜会因电磁感应 和摩擦产生静电积累而进行高压放电,进而破坏包装内容物的电子产品,造成极大地经济 损失。目前,市场上抗静电薄膜用的最多为聚乙烯薄膜,由于聚乙烯本身为非极性,其共 价键组成的分子链,既不电离,也难以传递自由电子,因此多作为载体用于各种抗静电聚乙 烯薄膜,如离子型或非离子型抗静电添加剂通过接枝或耦合的方式制成抗静电聚乙烯母料 或薄膜,如专利CN101942126A利用马来酸酐接枝水溶性高分子于低密度聚乙烯树脂,制备 了透明抗静电聚乙烯薄膜。专利CN101759899B、CN102504386A利用离子型抗静电剂硬脂 酸锌、醋酸锌和聚乙烯、丙烯酸共聚物共混制备了抗静电聚乙烯。上述抗静电剂都为非离子 型或离子型抗静电剂,所述抗静电剂为小分子聚合物,由于抗静电剂在聚合物中分布是不 均匀的,当添加到一定数量时,聚乙烯表面会形成一层亲水基团向外排列的膜,同时内部的 抗静电剂能向表面渗透迁移,造成抗静电剂的析出,使抗静电性能减弱或过早地丧失抗静 电性能。此外,还有在添加抗静电导电填料实现抗静电性能,专利CN102190827A通过在高 密度聚乙烯里添加石墨、表面活性剂、硅烷偶联剂、氯化聚乙烯弹性体和抗氧化剂制备了网 状、耐冲击、抗静电性能的抗静电聚乙烯材料。专利CN200310105635. X通过在聚乙烯里添 加导电炭黑、十溴联苯醚制备了抗静电阻燃聚乙烯,所述导电石墨和炭黑为黑色无机粉末, 制备的薄膜在颜色上存在限制,而且这些无机粉末添加量大会影响薄膜的力学性能。
技术实现思路
本专利技术要解决的第一个技术问题是克服现有技术的不足,提供一种新型抗静电 聚乙烯薄膜,该薄膜采用熔融共混挤出吹膜的方法,通过在聚烯烃中接枝纳米级二氧化硅 (SiO2)导电填料制备了新型抗静电聚乙烯薄膜,提高了薄膜的表面的比表面积,提高了薄 膜的整体抗静电性能。本专利技术所要解决的第二个技术问题是提供该抗静电聚乙烯薄膜的制备方法。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案实现一种抗静电聚乙烯薄膜由抗静电层、中间层、电晕层以共挤工艺吹膜生产而成,所述抗 静电层由25 30%低密度聚乙烯、60 65%线型低密度聚乙烯、O. 5 5%纳米级Si02、O.5 3%的相容剂、O. 5 2%的偶联剂、O.1 O. 5%的抗氧化剂。所述相容剂为马来酸酐接枝改性聚乙烯。所述偶联剂为乙稀基娃烧偶联剂,如乙稀基二氣娃烧、乙稀基二甲氧基娃烧、乙稀基三乙氧基硅烷。所述抗氧化剂是酚类抗氧化剂、亚磷酸酯类抗氧化剂中的至少一种。其中酚类抗氧化剂为2,6-二叔丁基苯酚、2,4一二叔丁基苯酚、邻叔丁苯酚中的至少一种。亚磷酸酯类抗氧化剂为亚磷酸三(2. 4-二叔丁基苯基)酯、双(2,4-二叔丁基苯基)季戊四醇二亚磷酸酯中的至少一种。所述中间层为低密度聚乙烯。所述电晕层为33%低密度聚乙烯、67%线型低密度聚乙烯的混合物。所述抗静电层、中间层、电晕层的层间厚度比为3. 5 4. 5 :1. 5 2. 5 :4. 5 5. 5。所述低密度聚乙烯其熔融指数为2. O 10. 0g/10min,密度为O. 900 O. 920 g/2cm ο所述线型低密度聚乙烯为乙烯和至少一种C4 CS的α -烯烃单体的共聚物,其熔融指数为1. 0-4. 0g/10min,密度为 O. 915 O. 940 g/cm2。上述抗静电聚乙烯薄膜的制备方法,其制备步骤为(I)混料与干燥将抗静电层、中间层、电晕层按照各自的配方原料分别充分搅拌均匀, 进行干燥处理;(2 )熔融与吹涨抗静电层、中间层及电晕层的原料通过各自的挤出机经加热熔融,抗静电层的熔融温度设定为140 150°C,中间层的熔融温度设定为120 130°C,电晕层的熔融温度设定为130 140°C。熔融的树脂进入分配器按比例进行分配,再经过滤后,滤去杂质的熔融树脂从圆型模头共挤挤出,经风盘冷却吹涨成筒膜;(3)测厚、电晕经风盘冷却吹涨成的筒膜经过人字架导管、牵引压辊,筒膜变成平膜, 在线厚度测量后的平膜经过电晕机进行电晕处理;(4)飞边和收卷经过电晕处理后的平膜再按照要求切去飞边,分切成客户所要求的卷膜。在熔融共混中,由于偶联剂的存在,它将聚乙烯链自由基重新连接起来,从而抑制了聚乙烯的分解,形成牢固的化学键。本专利技术一种抗静电聚乙烯薄膜的有益效果如下(I)本专利技术克服了传统抗静电剂的弊端,通过在聚烯烃中接枝纳米级二氧化硅(SiO2), 制备了抗静电聚乙烯薄膜,提高了薄膜的整体抗静电性能。(2)本专利技术通过熔融共混挤出吹膜工艺制备,纳米级二氧化硅的分散均匀性、加工稳定性好。(3)本专利技术二氧化 硅(SiO2)与聚乙烯树脂结合牢固,不因摩擦、洗涤而逸散和丧失,耐久性好。(4)本专利技术的抗静电效果好,表面电阻率在1(Τ ΟηΩ/πι2,可在低温、低湿的环境中长期使用,不因温度和湿度的变化而大幅波动。具体实施方式以下结合较佳实施例,对本专利技术提出的抗静电聚乙烯薄膜及其制备方法详细说明如下实施例1一种抗静电聚乙烯薄膜,由抗静电层、中间层、电晕层以共挤工艺吹膜生产而成。所述抗静电层由30%低密度聚乙烯、65%线型低密度聚乙烯、2%纳米级SiO2U. 7% 的相容剂、1%的偶联剂、O. 3%的抗氧化剂组成。所述相容剂为马来酸酐接枝改性聚乙烯。所述偶联剂为乙烯基三氯硅烷。所述抗氧化剂为2,6- 二叔丁基苯酚。所述中间层为低密度聚乙烯。所述电晕层为33%低密度聚乙烯、67%线型低密度聚乙烯的混合物。所述低密度聚乙烯其熔融指数为1. 9g/10min,密度为O. 922g/cm2。所述线型低密度聚乙烯为乙烯和CS的α -烯烃单体的共聚物,其熔融指数为1.0g/10min,密度为 O. 92 g/cm2。所述抗静电层、中间层、电晕层的层间厚度比为3. 5 :1. 5 -A. 5。本实施例抗静电聚乙烯薄膜的制备方法为(I)混料与干燥将抗静电层、中间层、电晕层按照各自的配方原料分别充分搅拌均匀, 进行干燥处理;(2 )熔融与吹涨抗静电层、中间层及电晕层的原料通过各自的挤出机经加热熔融,抗静电剂层的熔融温度设定为140 150°C,中间层的熔融温度设定为120 130°C,电晕层的熔融温度设定为130 140°C。熔融的树脂进入分配器按比例进行分配,再经过滤后,滤去杂质的熔融树脂从圆型模头共挤挤出,经风盘冷却吹涨成筒膜;(3)测厚、电晕经风盘冷却吹涨成的筒膜经过人字架导管、牵引压辊,筒膜变成平膜, 在线厚度测量后的平膜经过电晕机进行电晕处理;(4)飞边和收卷经过电晕处理后的平膜再按照要求切去飞边,分切成客户所要求的卷膜。在熔融共混中,由于偶联剂的存在,它将聚乙烯链自由基重新连接起来,从而抑制了聚乙烯的分解,形成牢固的化学键。本实施例抗静电聚乙烯薄膜经检测1.抗静电值在IOltl IO11 Ω/m2之间,因此是一种抗静电聚乙烯薄膜。2. 不同相对湿度条件下的表面电阻值见表I。表I实施例1在不同相对湿度条件下的表面电阻值本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种抗静电聚乙烯薄膜,由抗静电层、中间层、电晕层以共挤工艺吹膜生产而成,其特征在于:所述抗静电层由25~30%低密度聚乙烯、60~65%线型低密度聚乙烯、0.5~5%纳米级SiO2、0.5~3%的相容剂、0.5~2%的偶联剂、0.1~0.5%的抗氧化剂组成。
【技术特征摘要】
1.一种抗静电聚乙烯薄膜,由抗静电层、中间层、电晕层以共挤工艺吹膜生产而成,其特征在于所述抗静电层由25 30%低密度聚乙烯、60 65%线型低密度聚乙烯、O. 5 5%纳米级Si02、0· 5 3%的相容剂、O. 5 2%的偶联剂、O.1 O. 5%的抗氧化剂组成。2.根据权利要求1所述的抗静电聚乙烯薄膜,其特征在于所述相容剂为马来酸酐接枝改性聚乙烯。3.根据权利要求1所述的抗静电聚乙烯薄膜,其特征在于所述偶联剂为乙烯基硅烷偶联剂。4.根据权利要求1所述的抗静电聚乙烯薄膜,其特征在于所述抗氧化剂是酚类抗氧化剂、亚磷酸酯类抗氧化剂中的至少一种。5.根据权利要求1所述的抗静电聚乙烯薄膜,其特征在于所述中间层为低密度聚乙烯。6.根据权利要求5所述的抗静电聚乙烯薄膜,其特征在于所述电晕层为33%低密度聚乙烯、67%线型低密度聚乙烯的混合物。7.根据权利要求1所述的抗静电聚乙烯薄膜,其特征在于所述抗静电层、中间层、电晕层的层间厚度比为3. 5 4. 5 :1· 5 2. 5 4. 5 5. 5。8.根据权利要求1或5所述的抗静电聚乙烯薄膜,其特征在于所述低密度聚乙烯其熔融指数为 2. O ...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔晓松,高虎,黄鹤,邹燕红,
申请(专利权)人:惠州宝柏包装有限公司,
类型:发明
国别省市:
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