一种上电复位电路制造技术

一种上电复位电路，包括：充电延迟控制模块、MOS管M2、电容C2、电压检测模块，电源、MOS管M2、电容C2和地信号依次串联，MOS管M2与电容C2串联的节点连接电压检测模块的输入端；所述充电延迟控制模块的其中两端连接电源和地信号，用于控制MOS管M2的缓慢导通；电压检测模块用于检测电容C2上的电压值并输出复位信号。这样的电路设计可以改变电容C2的大小或者改变MOS管M2的导通电阻来控制复位的时间，可以实现较长时间的复位，并且面积小，有利于集成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计领域，具体涉及一种上电复位电路。
技术介绍
在芯片设计中，一般都集成有上电复位电路POR(POWER ON RESET),当电源上电时，上电复位电路输出复位信号，使系统复位。由于电源性能的不同和不同规模的系统对复位时间的要求不同，设计一种低功耗、面积小易于集成、上电复位时间长的上电复位电路很有必要，但也较有难度。如图1所示，为现有技术的上电复位电路，电阻R—端接电源，另一端接电容C，电容C 一端接电阻，另一端接地，反相器UO与电阻R和电容C的连接点相连。当电源从零电平开始上电时，由于电阻对电流的限制，电容上极板的电压需要过一段时间才会升高到电源电压，在电容上极板的电压达到反相器UO的翻转电压前，其反相器UO输出为低电平，用来对系统进行复位。图1所示的上电复位电路虽然结构简单，但有以下不足之处要想有较长的复位时间，需要有较大的电阻和电容，面积很大，不利于集成。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题是现有技术上电复位电路面积较大、复位时间短的问题，提供了一种面积较小、复位时间长的上电复位电路。为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案一种上电复位电路，包括充电延迟控制模块、MOS管M2、电容C2、电压检测模块，电源、MOS管M2、电容C2和地信号依次串联，MOS管M2M0S管M2与电容C2串联的节点连接电压检测模块的输入端；所述充电延迟控制模块的其中两端连接电源和地信号，用于控制MOS管M2的缓慢导通；电压检测模块用于检测电容C2上的电压值并输出复位信号。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果本专利技术提供的一种上电复位电路，所述充电延迟控制模块用于控制MOS管M2的缓慢导通以便对电容C2充电，电压检测模块检测电容C2上的电压值并输出复位信号，这样的电路设计可以改变电容C2的大小或者改变MOS管M2的导通电阻来控制复位的时间，可以实现较长时间的复位，并且面积小，有利于集成。附图说明图1是现有技术上电复位电路原理图。图2是本专利技术第一实施例上电复位电路原理图。图3是本专利技术第二实施例上电复位电路原理图。图4是本专利技术第二实施例上电复位电路原理图。图5是本专利技术第四实施例上电复位电路原理图。图6是本专利技术第五实施例上电复位电路原理图。图7是本专利技术第六实施例上电复位电路原理图。图8是本专利技术第七实施例上电复位电路原理图。图9是本专利技术第八实施例上电复位电路原理图。具体实施例方式为了使本专利技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图2是本专利技术第一实施例上电复位电路原理图；提供了一种上电复位电路，包括:充电延迟控制模块10、M0S管M2、电容C2、电压检测模块20，电源VCC、M0S管M2、电容C2和地信号GND依次串联，MOS管M2M0S管M2与电容C2串联的节点连接电压检测模块20的输入端；所述充电延迟控制模块10的其中两端连接电源VCC和地信号GND，用于控制MOS管M2的缓慢导通；电压检测模块用于检测电容C2上的电压值并输出复位信号。这样的电路设计可以改变电容C2的大小或者改变MOS管M2的导通电阻来控制复位的时间，可以实现较长时间的复位，并且面积小，有利于集成。本实施例中的充电延迟控制模块10包括电阻R1、电阻R2、电容Cl ;电源VCC、电阻R1、电阻R2和地信号GND依次串联连接；电阻Rl和电容Cl并联，电阻Rl和电阻R2串联后的节点连接MOS管M2的控制端。电压检测模块20包括至少一个相互串联的反相器，本实施例中的电压检测模块包括两个串联的反相器，分别为反相器Ul和反相器U2 ;也可以根据芯片中电路复位信号的要求设定，可以为一个反相器，也可以为多个反相器，反相器越多该上电复位信号的驱动能力越强。结合图2，MOS管M2以PMOS管为例，本实施例的工作原理如下初始状态，电源VCC未上电时为零电平(低电平)，输出端RST、电容Cl下极板、电容C2上极板也均为零电平；当电源VCC从零开始逐渐增大，电容Cl由于耦合作用，使得其下极板电压基本等于电源电压，并随VCC上升至高电平，如此，PMOS管M2在VCC从零上升到高电平的过程中，基本处于断开状态，电容C2上极板电压仍为零，此时输出复位信号RST为低电平。电阻R2阻值(或等效阻值)较大，电容Cl下极板的电荷经电阻R2慢慢泄放到地，使得电容Cl的下极板电压下降，在下降过程中，PMOS管M2开始导通，流过PMOS管M2的电流对电容C2开始充电，转换为电容C2上的充电电压。随着电容Cl下极板电压的下降，PMOS管M2的导通程度增强，电流增大，直至电容Cl的下极板的电压下降至VCC*(R2/(R1+R2))后保持不变，PMOS管M2的导通电流也基本保持在某值，当电容C2上极板的电压超过反相器Ul的翻转阈值电压时，输出复位信号RST转为高电平，复位结束。这样的电路设计可以改变电容C2的大小或者改变PMOS管M2的导通电阻来控制复位的时间，可以实现较长时间的复位，并且由于该电路只有上述几个器件，使得面积较小，有利于集成。图3是本专利技术第二实施例上电复位电路原理图；在图1的基础上，本实施例还包括第一二极管Ml和开关管M3。所述第一二极管Ml的正极连接地信号，所述第一二极管Ml的负极连接所述充电延迟控制模块的输出端；所述开关管M3的一端连接MOS管M2与电容C2串联的节点，另一端连接地信号，所述开关管M3的控制端连接电源。本实施例的上电复位原理与图1中的相同，此处不再赘述。开关管M3优选为PMOS管，当电源电压VCC处于高电平(芯片系统正常工作电压)时，会有突然掉电再上电的情况发生，这时就凸显了第一二极管Ml和PMOS管M3的作用。若系统VCC快速掉电至零电平后又快速上升为高电平时，如果没有第一二极管Ml和PMOS管M3，则电容Cl下极板和C2上极板的电压基本维持在各自掉电前的电平，无法实现复位。但是，当有第一二极管Ml和PMOS管M3时情况就不一样了，在快速掉电时，电源VCC下降为0，由于电容Cl两极板的电压差不变，故电容下极板的电压下降为负值，这样第一二极管Ml导通，并快速放掉电容Cl下极板的电荷，使其电平接近零电平；电源VCC下降为O时，PMOS管M3导通，快速放掉电容C2上极板的电荷，使其电平接近与零电平，这样当电源再次上电时，就能够按照正常上电时的过程开始工作，进行复位。第一二极管Ml和PMOS管M3的存在，保证了二次上电的复位效果。有些实施例中，第一二极管Ml为一 NMOS管连接形成,如图4所示,该匪OS管的栅极连接漏极并与地信号连接，所述该NMOS管的源极连接所述充电延迟控制模块10的输出端。图5是本专利技术第四实施例上电复位电路原理图。在图1的基础上还包括第二二极管M4，所述第二二极管M4的正极连接MOS管M2与电容C2串联的节点，所述第二二极管M4的负极连接电源。该图实施例还可以包括图4中的由NMOS管连接形成的第一二极管M1，这样形成的电路不仅可以实现上电复位，还可以实现二次上电的复位，上电复位和二次上电复位的原理与前面所述相同，此处不再赘述。有些实施例中，第二二极管M4为一 PMOS管连接形成，如图6所示，该PMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上电复位电路，其特征在于，包括：充电延迟控制模块、MOS管M2、电容C2、电压检测模块，电源、MOS管M2、电容C2和地信号依次串联，MOS管M2与电容C2串联的节点连接电压检测模块的输入端；所述充电延迟控制模块的其中两端连接电源和地信号，用于控制MOS管M2的缓慢导通；电压检测模块用于检测电容C2上的电压值并输出复位信号。

【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括充电延迟控制模块、MOS管M2、电容C2、电压检测模块，电源、MOS管M2、电容C2和地信号依次串联，MOS管M2与电容C2串联的节点连接电压检测模块的输入端； 所述充电延迟控制模块的其中两端连接电源和地信号，用于控制MOS管M2的缓慢导通； 电压检测模块用于检测电容C2上的电压值并输出复位信号。2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述充电延迟控制模块包括电阻R1、电阻R2、电容Cl，电源、电阻R1、电阻R2和地信号依次串联连接；电阻Rl和电容Cl并联，电阻Rl和电阻R2串联后的节点连接MOS管M2的控制端。3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述电阻Rl和电阻R2均由NMOS管连接形成，所述NMOS管的栅极均连接该NMOS管的漏极。4.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述电阻Rl和电阻R2均由PMOS管连接形成，所述PMOS管的栅极均连接该NMOS管的漏极。5.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，电容Cl由PMOS管形成，该PMOS管的漏极和源极均连接电源。6.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，电容C2由NMOS管形成，该NMOS管的漏极和源极均连接地信号。7.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，还包括第一二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，傅璟军，胡文阁，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：