【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种半导体器件结构。本专利技术还涉及所述半导体器件结构的制作工艺方法。
技术介绍
参见图1所示,现有的以氮化钛作为上电极的半导体器件结构,其电阻特性显示,起始电阻很小,仅有几十欧姆(图1显示仅为35欧姆),低阻态的电阻仅有200欧姆左右;变阻特性性能也不够理想,随着擦写次数的增加,高阻态的电阻明显下降。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种半导体器件结构,能显著提高起始电阻的阻值,并具有良好的变阻特性;为此,本专利技术还要涉及一种所述半导体器件的制作工艺方法。为解决上述技术问题,本专利技术的半导体器件结构,包括一下层金属,在该下层金属的上端面依次形成的抗反射层和金属绝缘层,在所述金属绝缘层的通孔中淀积金属作为下电极,在该下电极的上端形成的金属氧化层;在所述下电极和金属氧化层与通孔的侧壁之间具有一由金属构成的阻挡层,在所述金属绝缘层和金属氧化层的上端淀积的金属铝层,该金属铝层作为上电极;最终形成由下电极、金属氧化层和金属铝层构成的金属-绝缘体-金属结构。所述半导体器件结构的制作工艺方法,包括如下步骤步骤一、由下至上依次形成下层金属、抗反射层和金属绝缘层;步骤二、在所述金属绝缘层中制作一通孔;步骤三、在所述通孔的侧壁先淀积一层金属阻挡层,步骤四、在所述通孔中淀积金属且完全填充通孔,将该金属作为下电极;步骤五、将所述通孔上部的金属进行快速热氧化处理,形成金属氧化层;步骤六、在所述金属绝缘层和金属氧化层的上端淀积金属铝层作为上电极,对该金属铝层进行快速热退火处理;最终形成金属-绝缘体-金属结构。本专利技术以金 ...
【技术保护点】
一种半导体器件结构,包括:一下层金属,在该下层金属的上端面依次形成的抗反射层和金属绝缘层,在所述金属绝缘层的通孔中淀积金属作为下电极,在该下电极的上端形成的金属氧化层;在所述下电极和金属氧化层与通孔的侧壁之间具有一由金属构成的阻挡层,其特征在于:还包括:在所述金属绝缘层和金属氧化层的上端淀积的金属铝层,该金属铝层作为上电极;最终形成由下电极、金属氧化层和金属铝层构成的金属?绝缘体?金属。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构,包括一下层金属,在该下层金属的上端面依次形成的抗反射层和金属绝缘层,在所述金属绝缘层的通孔中淀积金属作为下电极,在该下电极的上端形成的金属氧化层;在所述下电极和金属氧化层与通孔的侧壁之间具有一由金属构成的阻挡层,其特征在于还包括在所述金属绝缘层和金属氧化层的上端淀积的金属铝层,该金属铝层作为上电极;最终形成由下电极、金属氧化层和金属铝层构成的金属-绝缘体-金属。2.一种如权利要求1所述的半导体器件结构的制作工艺方法,包括如下步骤 步骤一、由下至上依次形成下层金属、抗反射层和金属绝缘层; 步骤二、在所述金属绝缘层中制作一通孔; 步骤三、在所述通孔的侧壁先淀积一层金属阻挡层; 步骤四、在所述通孔中淀积金属且完全填充通孔,将该金属作为下电极; 步骤五、将所述通孔上部的金属进行快速...
【专利技术属性】
技术研发人员:成鑫华,许升高,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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