发光二极管封装件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及发光二极管封装件及其制造方法，该发光二极管封装件包括：封装件主体；安装在所述封装件主体上的发光二极管芯片；疏水图案，其与所述发光二极管芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及密封所述发光二极管芯片的树脂单元，并且所述树脂单元由所述疏水图案限定。能够提供只需较少生产成本并且具有多种图案和增强的照明强度的发光二极管封装件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
发光二极管(LED)是包括利用电能发光的材料的器件，在该材料中通过半导体结部分中的电子空穴复合而产生的能量被转换为要从该材料发出的光。LED通常被用作照明装置、显示装置等的光源，并由此已经促进了 LED的开发。尤其是近年来，氮化镓基LED的开发和使用已得到增长，并且使用这种氮化镓基LED的手机键盘、观景器、照相机闪光灯等已经商业化，并由此已促进了使用LED的一般照明装置的开发。就像应用了 LED的诸如大型TV的背光单元、汽车前大灯、普通照明装置等产品一样，LED的目标逐渐向具有高输出和高效率的大尺寸产品靠拢，针对这种目的而使用的LED的特性需要满足高水平的LED特性。在相关技术的LED中，在封装件主体上形成堰(dam)，并随后(利用由堰保持在适当位置处的树脂等)对LED芯片进行密封，这里，可以形成的堰图案类型是有限的，使得难以制造具有多种类型的光提取表面图案的LED。
技术实现思路
本公开的一个方面提供了一种具有减小的产品成本、多种光提取表面图案和增强的照明强度的发光二极管(LED)封装件。本公开的另一方面提供了一种用于制造上述LED封装件的方法。根据本公开的一个方面，提供了一种发光二极管(LED)封装件，包括封装件主体；安装在所述封装件主体上的LED芯片；疏水图案，其与所述LED芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及密封所述LED芯片的树脂单元，其中所述树脂单元由所述疏水图案限定。所述疏水图案可以包括多个纳米结构。所述疏水图案可以包括形成在所述封装件主体上的种子层图案；以及从所述种子层图案生长的多个纳米结构。所述树脂单元可以包括荧光剂。所述树脂单元相对于所述封装件主体可以具有90°或更大的接触角。所述疏水图案可以包括圆形、三角形、四边形和它们的任意组合。所述疏水图案可以包括以相同方式形成的至少两个被隔开的图案。所述LED封装件还可以包括密封所述树脂单元的透镜，其中所述透镜由所述疏水图案限定。所述透镜相对于所述封装件主体可以具有90°或更大的接触角。所述疏水图案可以受到O2等离子体或H2等离子体处理，或者可以被氟碳化。所述纳米结构可以由氧化锌(ZnO)基化合物制成。所述种子层图案可以是金(Au)、铜(Cu)或它们的合金，或者可以是ZnO。所述种子层图案可以具有交替地层叠金(Au)和铜(Cu)的多层结构。根据本公开的另一方面，提供了一种发光二极管(LED)封装件，包括封装件主体；安装在所述封装件主体上的LED芯片；亲水图案，其与所述LED芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及密封所述LED芯片的树脂单元，其中所述树脂单元由所述亲水图案限定。所述亲水图案可以包括多个纳米结构。所述亲水图案可以受到O2等离子体处理。根据本公开另一方面，提供了一种用于制造发光二极管(LED)的方法，包括在封装件主体上形成疏水图案JfLED芯片安装在由所述疏水图案形成的区域上；以及以树脂密封所述LED芯片。 所述疏水图案可以包括多个纳米结构。可以在种子层图案形成在所述封装件主体上之后，从所述种子层图案生长所述纳米结构。所述种子层图案可以浸入(Zn(NO3)2 6H20)中，并且可以在所述种子层图案上形成ZnO纳米结构。所述种子层图案可以由金(Au)、铜(Cu)或它们的合金制成，或者所述种子层图案可以由ZnO制成。所述种子层图案可以形成为通过交替地层叠金(Au)和铜(Cu)而成为多层的。 所述方法还可以包括对所述疏水图案执行O2等离子体或H2等离子体处理，或者将所述疏水图案氟碳化。所述方法还可以包括在形成密封LED芯片的树脂单元之后，在所述树脂单元上形成透镜。所述纳米结构可以由氧化锌(ZnO)基化合物制成。根据本公开另一方面，提供了一种用于制造发光二极管(LED)封装件的方法，包括在封装件主体上形成疏水图案；将封装件主体的其上形成有所述疏水图案的表面修改为具有亲水性的表面；将LED芯片安装在封装件主体的表面的一部分上；以及利用树脂密封所述LED芯片。所述疏水图案可以包括多个纳米结构，并且可以通过执行H2等离子体处理或者执行氟碳处理来实现使得所述封装件主体的表面成为具有亲水性表面的修改。根据本公开的另一方面，一种发光二极管(LED)封装件包括封装件主体和安装在封装件主体上的LED芯片。在封装件主体上形成包括第一多个纳米结构的第一图案。第一图案与LED芯片隔开并围绕LED芯片。透光树脂单元密封LED芯片。树脂单元的外边界由所述图案限定。在本公开的具体实施例中，在封装件主体上形成包括第二多个纳米结构的第二图案。第二图案与第一图案隔开并且围绕LED芯片。在具体实施例中，第一图案和第二图案受到O2等离子体或H2等离子体处理，或者被氟碳化。在具体实施例中，纳米结构由氧化锌(ZnO)基化合物制成。在本公开的其他实施例中，提供了用于制造发光二极管(LED)封装件的方法，其中所述方法包括在封装件主体上形成具有第一多个纳米结构的第一图案。将LED芯片安装在由第一图案形成的区域上。第一图案与LED芯片隔开并且围绕LED芯片，并且采用树脂将LED芯片密封以形成树脂单元。树脂单元的外边界由所述图案限定。在本公开的具体实施例中，在封装件主体上形成种子层图案，并且从种子层图案生长出纳米结构。在具体实施例中，在封装件主体上形成包括第二多个纳米结构的第二图案，第二图案与第一图案隔开并且围绕LED芯片。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，将会更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征以及其他优点，在附图中 图1A是示意性示出根据本公开第一实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图1B是图1A中的“B”的放大示图。图2是示意性示出图1A中的LED封装件沿线A_A’截取的截面的示图。图3是示意性示出根据本公开第二实施例的发光二极管(LED)封装件的截面图。图4是示意性示出根据本公开第三实施例的发光二极管(LED)封装件的截面图。图5是示意性示出根据本公开第四实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图6是示意性示出根据本公开第五实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图7是示意性示出根据本公开第六实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图8是示意性示出根据本公开第七实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图9至图13是示意性示出用于制造根据本公开第一实施例的LED封装件的方法的示图。图14A至图14C是示出LED封装件形状的变化的示图。图15是通过拍摄纳米结构而得到的SEM照片。具体实施例方式现在将参照附图详细描述本公开的实施例。然而，本公开可以以许多不同形式来实现，而不应当解释为局限于本专利技术所述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开透彻和完整，并且将本公开的范围全面传达给本领域的技术人员。在附图中，为清楚起见夸大了元件的形状和尺寸，并且全文将使用相同附图标记来指代相同或相似的部件。首先将描述根据本专利技术一个实施例的发光二极管(LED)封装件,并随后描述用于制造根据本专利技术实施例的LED封装件的方法。图1A是示意性示出根据本专利技术第一实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图1B是图1A中“B”的放大示图。图2是示意性示出图1A中所示LED封装件的沿线A-A’截取的界面的示图。如图1A和图2所示，根据本公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装件，包括：封装件主体；安装在所述封装件主体上的发光二极管芯片；疏水图案，其与所述发光二极管芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及密封所述发光二极管芯片的树脂单元，其中所述树脂单元由所述疏水图案限定。

【技术特征摘要】
2011.10.06 KR 10-2011-01017411.一种发光二极管封装件，包括 封装件主体； 安装在所述封装件主体上的发光二极管芯片； 疏水图案，其与所述发光二极管芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及 密封所述发光二极管芯片的树脂单元，其中所述树脂单元由所述疏水图案限定。2.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述疏水图案包括多个纳米结构。3.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述疏水图案包括 形成在所述封装件主体上的种子层图案；以及 从所述种子层图案生长的多个纳米结构。4.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述树脂单元包括荧光剂。5.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述树脂单元相对于所述封装件主体具有90°或更大的接触角。6.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述疏水图案包括圆形、三角形、四边形和它们的任意组合。7.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述疏水图案包括以相同方式形成的至少两个被隔开的图案。8.权利要求1所述的发光二极管封装件，还包括密封...

【专利技术属性】
技术研发人员：金澖亨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：