本发明专利技术涉及基于引线框架的快闪存储器卡。本发明专利技术揭示一种引线框架设计和用于形成具有曲线形状的基于引线框架的半导体封装的方法。所述引线框架可各自包括对应于已完成和单一化的半导体封装中的曲线边缘的一个或一个以上曲线槽。在囊封之后，可通过从引线框架面板将集成电路切割为多个个别集成电路封装而单一化所述面板上的所述集成电路封装。所述引线框架中的所述槽有利地允许使用仅进行直线切割的锯条来单一化每一引线框架。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及一种包括集成电路封装的快闪存储器卡，所述集成电路封装包括具有非直线或曲线轮廓的引线框架。
技术介绍
由于电子装置的尺寸持续减小，所以操作其的相关联半导体封装经设计为具有较小形状因数、较低功率要求和较高的功能性。当前，半导体制造的亚微米特征对封装技术提出较高需求，其包括较高的引线数、减小的引线间距、最小的占据面积和显著的总体积减小。半导体封装的一个分支包括引线框架的使用，所述引线框架为薄金属层，在所述薄金属层上安装和支撑一个或一个以上半导体电路小片。弓I线框架包括用于将来自所述一个或一个以上半导体的电信号传送到印刷电路板或其它外部电子装置的电引线。图1展示在附接半导体电路小片22之前的引线框架20。典型引线框架20可包括许多引线24，其具有用于附接到半导体电路小片22的第一末端24a，和用于贴附到印刷电路板或其它电子组件的第二末端(未图示)。引线框架20可进一步包括用于将半导体电路小片22结构性地支撑在引线框架20上的电路小片附接垫26。虽然电路小片附接垫26可提供到接地的路径，但其常规上并不载运来自半导体电路小片22的信号或将信号载运到半导体电路小片22。在某些引线框架配置中，在所谓的引线上芯片(COL)配置中，已知省略电路小片附接垫26且替代地将半导体 电路小片直接附接到引线框架引线。如图2所示，可使用电路小片附接化合物将半导体引线24安装到电路小片附接垫26。以常规方式形成半导体电路小片22，其中在半导体电路小片的顶侧上的至少第一和第二相对边缘上具有多个电路小片结合垫28。一旦半导体电路小片安装到引线框架，便执行线结合过程，借此使用专用线30将结合垫28电耦合到各自的电引线24。结合垫28到特定电引线24的指派是由工业标准规范界定的。为清晰起见，图2展示少于全部接线到引线24的结合垫28，但在常规设计中，每一结合垫可接线到其各自电引线。如图2所示，也已知少于全部的结合垫接线到一电引线。通常，引线框架20最初由包括多个此类引线框架的面板形成。半导体电路小片22安装并电连接到面板中的每一引线框架，且借此形成的集成电路囊封在模制化合物中。此后，从所述面板切割个别囊封集成电路或将其单一化为多个半导体封装。一些常规基于衬底的封装和卡具有曲线形占据面积。作为一实例，分别在图3和图4中以俯视图和仰视图展示由加利福尼亚(California),桑尼维尔(Sunnyvale)的三迪斯科公司(SanDisk Corporation)引进的工业标准Transflash快闪存储器卡。如此处所见，Transflash卡30包括具有由圆角接合的侧边32到38的大体矩形形状。所述卡的侧边32包括凹口 40和在侧边32的上部部分中界定的成角度的凹陷区42，使得卡30的顶部边缘34窄于卡的底部边缘38。其它存储器卡(例如，安全数字(“SD”)卡和微型SD卡)类似地包括具有圆边缘、凹口和/或斜面的曲线形状。已知用于从囊封集成电路的面板切割具有曲线形边缘的半导体封装的若干方法。已知的切割方法包括(例如)喷水切割、激光切割、水导向型激光切割、干燥媒体切割和金刚石涂层丝切割。所述切割方法能够实现个别化集成电路封装的复杂的直线和/或曲线形状。在题为“用于有效地生产可移除外围卡的方法(Method for Efficiently ProducingRemovable Peripheral Cards) ”的第2004/0259291号经公开美国专利申请案中揭不了用于从面板切割囊封集成电路的方法和借此可实现的形状的更详细描述，所述申请案转让给本专利技术的所有者且其全文以引用的方式并入本文中。虽然已知的切割方法在实现个别化的半导体封装中的曲线形状时是有效的，但这些方法要求精确的切割且增加了半导体制造过程的复杂性和成本。
技术实现思路
粗略描述的本专利技术涉及一种引线框架设计和用于形成具有曲线形状的基于引线框架的半导体封装的方法。可以例如化学蚀刻的已知制造过程或以使用连续冲模的机械冲压过程在面板上成批地处理多个弓I 线框架。所述引线框架可各自包括对应于已完成和单一化的半导体封装中的曲线边缘的一个或一个以上曲线边缘。在封装制造过程期间，将一个或一个以上半导体电路小片安装和电连接到引线框架以形成集成电路。此后，将所述集成电路囊封在模制化合物中。在囊封之后，可通过将集成电路从弓I线框架面板切割为多个个别的集成电路封装而单一化所述集成电路。引线框架中的槽有利地允许使用仅进行直线切割的锯条来单一化每一引线框架。锯切通常比例如常用以实现曲线切割形状的喷水切割、激光切割的其它切割方法花费少、耗时短且要求较少设备。即使仅沿直切割线进行切割，曲线形槽仍允许单一化的封装具有曲线形边缘。可以多种配置提供所述槽以允许已完成的封装在需要时具有任何曲线形状。可使用具有至少两个点的槽来实现任何曲线形状，所述至少两个点与直切割线中的一者或一者以上相交。在另一实施例中，可从引线框架面板冲压引线框架而非锯切。在此类实施例中，单一槽可大体上围绕引线框架的整个周边和经囊封半导体封装而延伸。在此类实施例中，引线框架可由围绕引线框架封装的周边隔开定位的一系列系杆而连接到面板。在通过切割或冲压分离引线框架封装之后，所述封装的边缘可为粗糙的和/或来自引线框架的金属片段可仍附接在其上。因此，在通过分离所述封装之后，在单一化引线框架之后留下的任何粗糙边缘和/或金属片段平滑。附图说明图1为常规引线框架和半导体电路小片的分解透视图。图2为线结合到常规引线框架的常规半导体电路小片的透视图。图3为常规Transflash存储器卡的俯视图。图4为常规Transflash存储器卡的仰视图。图5为根据本专利技术的一实施例的包括多个引线框架的面板。图6为来自图5所示的面板的根据本专利技术的一实施例的单一引线框架的俯视图。图7为根据本专利技术的一实施例的引线框架的俯视图，所述引线框架包括安装在其上的半导体电路小片。图8为根据本专利技术的一实施例的引线框架的俯视图，所述引线框架包括安装在其上且囊封在模制化合物中的半导体电路小片。图9为通过沿着图8中的线9-9的平面截取的横截面图。图10为根据本专利技术的一实施例的引线框架面板的一部分的俯视图，其展示直边缘切割线，其中将切割已完成的集成电路以从集成电路的面板单一化集成电路。 图11为来自图10的面板的单一引线框架，其展示直边缘切割线，其中将切割已完成的集成电路以从集成电路的面板单一化集成电路。图12为单一化半导体封装和待遗弃的引线框架的切除部分。图13为根据本专利技术的一替代实施例的引线框架的俯视图。图14为图13的引线框架的俯视图，其展示用以单一化图13的集成电路的直边缘切割线。图15为根据本专利技术的另一替代实施例的引线框架的俯视图。具体实施例方式现将参看图5到图15描述本专利技术的实施例，其通常涉及引线框架设计和形成具有曲线形边缘的单一化半导体电路小片封装的方法。如本文中所使用，曲线形状包括弯曲边缘、曲线形边缘、不直的边缘和不连续边缘(即，两个边缘以斜角会合)。应了解，可以许多不同形式实施本专利技术且不应将其解释为限于本文中所陈述的实施例。相反，提供这些实施例以使得本揭示内容将是详尽和完整的，且将向所属领域的技术人员完全地传达本专利技术的实施例。实际上，期望本专利技术涵盖包括在由所附权利本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于半导体封装的引线框架，所述引线框架由包括多个引线框架的引线框架面板形成，所述引线框架包含：形成在所述引线框架中的一个或多个曲线槽，所述一个或多个曲线槽中的一曲线槽具有位于对应于直边缘的第一基准线上的第一末端，将在从所述引线框架面板进行单一化时沿所述直边缘切割所述引线框架，且所述槽具有位于对应于直边缘的第二基准线上的第二末端，将在从所述引线框架面板进行单一化时沿所述直边缘切割所述引线框架。
【技术特征摘要】
2005.12.29 US 11/321,3501.一种用于半导体封装的引线框架，所述引线框架由包括多个引线框架的引线框架面板形成，所述引线框架包含形成在所述引线框架中的一个或多个曲线槽，所述一个或多个曲线槽中的一曲线槽具有位于对应于直边缘的第一基准线上的第一末端，将在从所述引线框架面板进行单一化时沿所述直边缘切割所述引线框架，且所述槽具有位于对应于直边缘的第二基准线上的第二末端，将在从所述引线框架面板进行单一化时沿所述直边缘切割所述引线框架。2.根据权利要求1所述的用于半导体封装的引线框架，其中所述第一基准线和所述第二基准线对应于同一直边缘，将在从所述引线框架面板进行单一化时沿所述直边缘切割所述引线框架。3.根据权利要求1所述的用于半导体封装的引线框架，其中所述第一基准线和所述第二基准线对应于...
【专利技术属性】
技术研发人员：赫姆·塔基阿尔，什里卡尔·巴加特，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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