一种基板的制作方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种基板的制作方法，涉及显示技术领域，可避免或减少光刻胶涂布时涂布不良的发生率，进而提高量产产品良率；所述基板的制作方法包括：在透明基板上制作第一薄膜，并通过构图工艺在所述透明基板的至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的第一辅助图案，同时在显示区域形成显示用图案；其中，所述第一薄膜为所述至少两层薄膜中除最后一层薄膜外的任一层；所述第一边缘与光刻胶涂布方向垂直，所述第一辅助图案沿所述光刻胶涂布方向的横截面的至少一侧边为阶梯状。用于显示面板的制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
光刻胶涂布是光刻工艺的必须环节，为了提高涂布时光刻胶的利用率，目前，LCD行业在涂布工艺中以狭缝式涂覆为主流，在提高光刻胶利用率，和提高生产效率的同时，也存在较难解决的问题，即存在涂布不良(Uncoating)的问题。目前，构成薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-1XD)的阵列基板及彩膜基板的膜层一般由5层或更多层组成，其中通过构图工艺形成图案时，都必须经过光刻胶涂布这一步骤。然而，越在后面的薄膜层上形成图案时，涂布光刻胶所需跨越的段差就越大，涂布过程中发生涂布不良的几率就增大，此夕卜，玻璃基板边缘表面状态差等都使得在涂布过程中发生涂布不良的可能性增大。例如，如图1所示，当涂布光刻胶30的涂布装置的喷嘴60从透明基板10边缘开始涂布时，在经过段差区域时，会导致光刻胶30涂布不良的发生。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供，可避免或减少光刻胶涂布时涂布不良的发生率，进而提闻量广广品良率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案—方面，提供了，包括在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案；其中，在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案包括在透明基板上制作第一薄膜，并通过构图工艺在所述透明基板的至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的第一辅助图案，同时在显示区域形成显示用图案；其中，所述第一薄膜为所述至少两层薄膜中除最后一层薄膜外的任一层；所述第一边缘与光刻胶涂布方向垂直，所述第一辅助图案沿所述光刻胶涂布方向的横截面的至少一侧边为阶梯状。可选的，所述在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案包括在透明基板上制作至少三层导电薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案；所述第一薄膜为所述至少三层导电薄膜中除最后一层导电薄膜外的任一层。进一步地，所述在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案还包括在透明基板上制作第二薄膜，并通过构图工艺在所述至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的第二辅助图案，同时在显示区域形成显示用图案；其中，所述第二导电薄膜为所述至少两层薄膜中除最后一层薄膜和所述第一薄膜外的任一层薄膜；所述第二辅助图案横截面呈矩形状。进一步地，所述第一辅助图案位于所述第二辅助图案之上。可选的，所述在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案还包括在透明基板上制作半导体薄膜，并通过构图工艺在所述至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的第三辅助图案，同时在显示区域形成显示用图案；其中，所述第三辅助图案横截面呈矩形状，且所述第三辅助图案位于所述第一辅助图案之下。基于上述各种可能的阵列基板的制作方法，进一步可选的，所述至少三层导电薄膜包括源漏金属薄膜、栅金属薄膜、像素电极薄膜。进一步地，所述在透明基板上制作第一薄膜，并通过构图工艺在所述透明基板的至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的第一辅助图案，同时在显示区域形成显示用图案包括所述在透明基板上制作源漏金属薄膜，并通过构图工艺在所述透明基板的至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的第一辅助图案，同时在显示区域形成源漏极图案。可选的，所述在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案包括在透明基板上制作至少四层树脂薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案；所述第一薄膜为所述至少四层树脂薄膜中除最后一层树脂薄膜外的任一层。进一步地，所述第一树脂薄膜为最先制作形成的树脂薄膜。基于上述各种可能的基板，进一步地，所述至少一个第一边缘为两个第一边缘。进一步地，所述第一辅助图案的横截面为对称形状。进一步地，所述第一辅助图案包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分的厚度高于所述第二部分或第三部分的厚度，且所述第二部分和第三部分分别位于所述第一部分的左右两侧，在光刻胶涂布方向上，第一部分的长度为0. 2mm-0. 5mm,第二部分的长度为0. 2mm-0. 5mm,第三部分的长度为0. 2mm-0. 5mm。优选的，所述第一辅助图案距离所述第一边缘20cm 30cm。本专利技术实施例提供了，在至少两层薄膜中除最后一层薄膜外的任一层上，通过构图工艺在所述透明基板的至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的辅助图案，并同时在显示区域形成显示用图案；当在后续制作的薄膜上涂布光刻胶以形成该层图案时，由于所述第一边缘与光刻胶涂布方向垂直及所述辅助图案的作用，当该辅助图案形成在涂布起始处的第一边缘处时，一方面，可避免由于透明基板边缘表面状态差导致的涂布不良，另一方面，涂布光刻胶时，先经过辅助图案，再经过起始处的显示区域内的段差高的图案时，可避免或减少涂布不良的发生率，进而提高量产产品良率；当该第一辅助图案形成在涂布结束处的第一边缘处时，可避免或减少由于光刻胶回吸导致的涂布不良。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中发生光刻胶涂布不良的示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二 ；图4为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图三；图5为本专利技术实施例提供的第一辅助图案形成过程的意图；图6为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图四；图7为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图五；图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图六；图9为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图七；图10为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图八；图11为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图一；图12为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图二 ；图13为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图三；图14为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图四；图15为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图16为本专利技术实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图一；图17为本专利技术实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图二 ；图18为本专利技术实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图三；图19为本专利技术实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图四；图20为本专利技术实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图五；图21为本专利技术实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图六。附图标记10-透明基板，IOa-第一边缘；IOla-棚极，IOlb-棚线，IOlc-棚线引线；102-棚绝缘层；103_半导体有源层，103a-第三辅助图案；104a-源极，104b-漏极，104c-数据线，104d-数据线引线；105_第一辅助图案；106_保护层，107-过孔；108_像素电极层；109_第二辅助图案；201-黑矩阵图案；202_红色光阻图案，204a-红色树脂薄膜；204_绿色光阻图案；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板的制作方法，包括：在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案；其特征在于，在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案包括：在透明基板上制作第一薄膜，并通过构图工艺在所述透明基板的至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的第一辅助图案，同时在显示区域形成显示用图案；其中，所述第一薄膜为所述至少两层薄膜中除最后一层薄膜外的任一层；所述第一边缘与光刻胶涂布方向垂直，所述第一辅助图案沿所述光刻胶涂布方向的横截面的至少一侧边为阶梯状。

【技术特征摘要】
1.一种基板的制作方法，包括在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案；其特征在于，在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案包括 在透明基板上制作第一薄膜，并通过构图工艺在所述透明基板的至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的第一辅助图案，同时在显示区域形成显示用图案；其中， 所述第一薄膜为所述至少两层薄膜中除最后一层薄膜外的任一层；所述第一边缘与光刻胶涂布方向垂直，所述第一辅助图案沿所述光刻胶涂布方向的横截面的至少一侧边为阶梯状。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案包括在透明基板上制作至少三层导电薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案； 所述第一薄膜为所述至少三层导电薄膜中除最后一层导电薄膜外的任一层。3.根据要求2所述的方法，其特征在于，所述在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案还包括 在透明基板上制作第二薄膜，并通过构图工艺在所述至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的第二辅助图案，同时在显示区域形成显示用图案；其中， 所述第二薄膜为所述至少两层薄膜中除最后一层导电薄膜和所述第一薄膜外的任一层导电薄膜；所述第二辅助图案横截面呈矩形状。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一辅助图案位于所述第二辅助图案之上。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在透明基板上制作至少两层薄膜，并分别通过构图工艺在显示区域形成显示用图案还包括 在透明基板上制作半导体薄膜，并通过构图工艺在所述至少一个第一边缘处，形成与所述第一边缘平行的第三辅助图案，同时在显示区域形成显示用图案；其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周子卿，李正勋，金基用，贠向南，许朝钦，孙亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：