本发明专利技术提供一种半色调掩模板及其制造方法，属于显示领域。该半色调掩模板中，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，其中，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。本发明专利技术的技术方案能够有效避免TFT-LCD阵列基板外围走线区附近像素区域沟道光刻胶偏薄，经刻蚀工艺后易发生源漏极沟道半导体缺失，从而改善TFT-LCD出现的像素点灯不良现象。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示领域，特别是指。
技术介绍
在薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-1XD)中，TFT作为数字电路的开关器件，扮演着十分重要的角色。目前，在TFT-1XD阵列基板的生产中，普遍采用单缝衍射掩模板(SingleSlit Mask)、灰色调掩模板(Gray Tone Mask)或半色调掩模板(Half Tone Mask)进行源漏金属层掩模(SD Mask)工艺。当采用半色调掩模板进行源漏金属层掩模工艺时，源漏极沟道区域则通过半透光薄膜进行曝光。由于源漏极沟道本身较窄，若半透光薄膜透光率太低，曝光不足，经显影和刻蚀后，则容易导致TFT-1XD阵列基板发生源漏极沟道金属桥接；若半透光薄膜透光率太高，曝光过度，经显影和刻蚀后，则又可能导致发生源漏极沟道半导体缺失。因此，在源漏金属层半色调掩模板的生产过程中，需要恰当地控制源漏极沟道区域半透光薄膜的透光率。由于TFT-1XD阵列基板外围走线区的扇形布线区(Fanout Line)高度密集，在经曝光后显影过程中对显影液的消耗比较少，使得该区域附近的局部区域显影液浓度高于像素区域，以至于容易导致外围走线区附近的像素区域沟道光刻胶偏薄，经刻蚀工艺后易产生源漏极沟道半导体缺失，从而使得TFT-1XD的外围走线区附近像素区域出现点灯不良(像素点灯不良)现象。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，能够有效避免TFT-1XD阵列基板外围走线区附近像素区域发生源漏极沟道半导体缺失，从而改善TFT-1XD出现的像素点灯不良现象。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下一种半色调掩模板，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，其中，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。优选地，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。具体地，所述半透光区域的透光率逐渐减小通过逐渐增大半透光薄膜的厚度实现。具体地，从远离像素区边缘到像素区边缘的方向上，所述半透光区域的半透光薄膜厚度的变化满足下述公式Tx= (l+x%)*TT为远离像素区边缘的半透光薄膜厚度，X为设定的补偿比例，补偿比例X值逐渐增大。具体地，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向上，所述半透光区域的半透光薄膜厚度的变化满足下述公式Ty= (l+y%)*T，T’为所述扇形布线区对称轴方向对应像素区边缘半透光薄膜厚度，y为与所述对称轴垂直延伸方向半透光薄膜厚度补偿比例，y值逐渐增大。本专利技术实施例还提供了一种如上所述半色调掩模板的制造方法，包括步骤a :提供一基板；步骤b :在所述基板上沉积不透光薄膜，并通过构图工艺在所述基板上形成完全不透光区域和完全透光区域；步骤c :在经过所述步骤b的基板上沉积半透光薄膜，并通过构图工艺在所述基板上形成半透光区域和完全透光区域；其中，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。优选地，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。本专利技术的实施例具有以下有益效果上述方案中，半色调掩模板中，从远离像素区边缘到像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小，这样TFT阵列基板经曝光后在显影过程中，虽然接近扇形布线区的像素区边缘的显影液浓度相对比较高，但是由于这部分区域对应的掩模板半透光区域的透光率较小，使得TFT阵列基板该区域附近的源漏极沟道处光刻胶感光程度相对小一些，因此能够有效避免TFT-1XD阵列基板外围走线区附近像素区域发生过显影，以至于在刻蚀过程中发生源漏极沟道半导体缺失的现象，从而改善TFT-1XD阵列基板外围走线区附近区域出现的像素点灯不良现象。附图说明图1为本专利技术实施例在基板上沉积不透光薄膜的示意图；图2为本专利技术实施例半色调掩模板经第一次构图工艺后的截面示意图；图3为本专利技术实施例在基板上沉积半透光薄膜的示意图；图4为本专利技术实施例半色调掩模板经第二次构图工艺后的截面示意图；图5为本专利技术实施例半色调掩模板的平面示意图。附图标记I基板2不透光薄膜3不透光区域4完全透光区域5半透光薄膜6像素区边缘的半透光薄膜7相邻像素区边缘的半透光薄膜8源漏极沟道区9数据线10源电极11漏电极具体实施例方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例提供，能够有效避免TFT-LCD阵列基板外围走线区附近像素区域沟道光刻胶偏薄，经刻蚀工艺后易发生源漏极沟道半导体缺失，从而改善TFT-LCD出现的像素点灯不良现象。本专利技术实施例提供了一种半色调掩模板，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，其中，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。进一步地，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。进一步地，所述半透光区域的透光率逐渐减小通过逐渐增大半透光薄膜的厚度实现。进一步地，从远离像素区边缘到像素区边缘的方向上，所述半透光区域的半透光薄膜厚度的变化满足下述公式Tx= (l+x%)*TT为远离像素区边缘的半透光薄膜厚度，X为设定的补偿比例，补偿比例X值逐渐增大。进一步地，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向上，所述半透光区域的半透光薄膜厚度的变化满足下述公式Ty= (l+y%)*T，T’为所述扇形布线区对称轴方向对应像素区边缘半透光薄膜的厚度，y为与所述对称轴垂直延伸方向半透光薄膜厚度补偿比例，y值逐渐增大。上述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向指沿着对称轴的土y方向。本专利技术的半色调掩模板，从远离像素区边缘到像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小，这样TFT阵列基板经曝光后在显影过程中，虽然接近扇形布线区的像素区边缘的显影液浓度相对比较高，但是由于这部分区域对应的掩模板半透光区域的透光率较小，使得TFT阵列基板该区域附近的源漏极沟道处光刻胶感光程度相对小一些，因此能够有效避免TFT-1XD阵列基板外围走线区附近像素区域发生过显影，以至于在刻蚀过程中发生源漏极沟道半导体缺失的现象，从而改善TFT-LCD阵列基板外围走线区附近区域出现的像素点灯不良现象。本专利技术实施例还提供了一种如上所述半色调掩模板的制造方法，包括步骤a :提供一基板；步骤b :在所述基板上沉积不透光薄膜，并通过构图工艺在所述基板上形成完全不透光区域和完全透光区域；步骤c :在经过所述步骤b的基板上沉积半透光薄膜，并通过构图工艺在所述基板上形成半透光区域和完全透光区域；其中，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。进一步地，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。下面结合具体的实施例对本专利技术的半本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半色调掩模板，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，其特征在于，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。
【技术特征摘要】
1.一种半色调掩模板，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，其特征在于， 从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。2.根据权利要求1所述的半色调掩模板，其特征在于，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。3.根据权利要求1或2所述的半色调掩模板，其特征在于，所述半透光区域的透光率逐渐减小通过逐渐增大半透光薄膜的厚度实现。4.根据权利要求3所述的半色调掩模板，其特征在于，从远离像素区边缘到像素区边缘的方向上，所述半透光区域的半透光薄膜厚度的变化满足下述公式Tx= (l+x%)*T T为远离像素区边缘的半透光薄膜厚度，X为设定的补偿比例，补偿比例X值逐渐增大。5.根据权利要求3所述的半色调掩模板，其特征在于，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗丽平，贠向南，许朝钦，金基用，周子卿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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