稳压器制造技术

技术编号:8551526 阅读:231 留言:0更新日期:2013-04-05 22:43
本实用新型专利技术公开了一种稳压器,包括整流电路、可控硅和滤波电容,所述可控硅的阳极与整流电路的正极相连,可控硅的阴极与整流电路的负极相连,所述可控硅的控制极通过稳压二极管连接在整流电路的正极上,在还包括信号放大电路,所述信号放大电路连接在可控硅的控制极与稳压二极管之间。本实用新型专利技术的结构简单,在可控硅的控制极与稳压二极管之间设有信号放大电路,当电路中电压超过稳压值时,可通过信号放大电路,及时触发可控硅,完成对电路中电压的调控,调控性能好。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种调控性能好的稳压器
技术介绍
稳压电源广泛地应用到各种用电器上,采用阻容降压、并联稳压二极管的方式经常被采用,如图1所示,它具有体积小、价格低的特点。这种电路的负载能力取决于稳压二极管的额定电流,空载或轻载时电流几乎全部负担在稳压二极管上变成热量,使稳压管温升很高,效率很低,并且做成高电压稳压更不容易,发热量会更大。对于怕热的用电器来说,这种稳压电路是不适用的。也有采用可控硅进行调控的稳压器,然而,现有技术的可控硅调控的稳压器,由于电路电压超过稳压值一般不会太大,故触发可控硅的机率较小,调控力差。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种结构简单,调控性能好的稳压器。实现本技术目的的技术方案是一种稳压器,包括整流电路、可控硅和滤波电容,所述可控硅的阳极与整流电路的正极相连,可控硅的阴极与整流电路的负极相连,所述可控硅的控制极通过稳压二极管连接在整流电路的正极上,在还包括信号放大电路,所述信号放大电路连接在可控硅的控制极与稳压二极管之间。所述信号放大电路包括三极管,所述三极管的基极与所述稳压二极管相连,所述三极管的集电极与所述可控硅的控制极相连,所述三极管的发射极与整流电路的负极相连。本技术具有积极的效果本技术的结构简单,在可控硅的控制极与稳压二极管之间设有信号放大电路,当电路中电压超过稳压值时,可通过信号放大电路,及时触发可控硅,完成对电路中电压的调控,调控性能好。附图说明为了使本技术的内容更容易被清楚的理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本技术作进一步详细的说明,其中图1为本技术的电路结构示意图。具体实施方式(实施例1)图1显示了本技术的一种具体实施方式,其中图1为本技术的电路结构示意图。见图1,一种稳压器,包括整流电路1、可控硅2和滤波电容3,所述可控硅2的阳极与整流电路I的正极相连,可控硅2的阴极与整流电路I的负极相连,所述可控硅2的控制极通过稳压二极管4连接在整流电路I的正极上,在还包括信号放大电路5,所述信号放大电路5连接在可控硅2的控制极与稳压二极管4之间。所述信号放大电路5包括三极管51,所述三极管I的基极与所述稳压二极管4相连,所述三极管51的集电极与所述可控硅2的控制极相连,所述三极管51的发射极与整流电路I的负极相连。当电路中电压值超过稳压值时,三极管基极有触发信号,同时将信号放大以触发可控硅,使可控硅正常运行,完成调控。显然,本技术的上述实施例仅仅是为清楚地说明本技术所作的举例,而并非是对本技术的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本技术的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稳压器,包括整流电路、可控硅和滤波电容,所述可控硅的阳极与整流电路的正极相连,可控硅的阴极与整流电路的负极相连,所述可控硅的控制极通过稳压二极管连接在整流电路的正极上,其特征在于:还包括信号放大电路,所述信号放大电路连接在可控硅的控制极与稳压二极管之间。

【技术特征摘要】
1.一种稳压器,包括整流电路、可控硅和滤波电容,所述可控硅的阳极与整流电路的正极相连,可控硅的阴极与整流电路的负极相连,所述可控硅的控制极通过稳压二极管连接在整流电路的正极上,其特征在于还包括信号放大电路,所述信号放大电路连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:周爱红
申请(专利权)人:乐清市中翔科技电气有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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