阵列基板、液晶显示面板和液晶显示器制造技术

技术编号:8549761 阅读:145 留言:0更新日期:2013-04-05 21:22
本实用新型专利技术实施例提供了一种阵列基板、液晶显示面板和液晶显示器,涉及液晶显示技术领域,在阵列基板上增加第四电极,可使第二电极与第三电极之间的间隔区域中,液晶分子的偏转程度增加,从而使相应区域的亮度增强。对应于多个像素区域,该阵列基板对应于每个像素区域包括位于靠近液晶层一侧的第二电极和第三电极,第二电极包括至少一个第二电极条,第三电极包括至少一个第三电极条;阵列基板对应于每个像素区域还包括位于靠近液晶层一侧的第四电极,第四电极包括至少一个第四电极条,该第四电极条位于相邻的第二电极条与第三电极条之间;且第四电极的电位处于第二电极的电位与第三电极的电位之间。本实用新型专利技术用于液晶显示面板、显示器的制造。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

阵列基板、液晶显示面板和液晶显示器
本技术涉及液晶显示
,尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板和液 晶显不器。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display, TFT-LCD)是利用夹在液晶层上电场强度的变化,改变液晶分子的取向,从而控制透光的强 弱来显示图像的。一般来讲,一块完整的液晶显示面板必须具有背光模块、偏光片、下基板 和上基板以及由它们两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。控制液晶分子的状态,使其产生的电场与基板平面呈大致垂直的方向,这种液晶 显示器一般被称为垂直电场型液晶显示器。在垂直电场型液晶显示器中,夹持液晶层的下 基板上形成有第一电极,上基板上形成有第二电极,加载电压后将会形成从第一电极发出, 面向第二电极的与基板平面呈大致垂直的电场。控制液晶分子的状态,使其产生的电场与基板平面呈大致平行的方向,这种液晶 显不器一般被称为横向电场型液晶显不器。在横向电场型液晶显不器中,夹持液晶层的下 基板上一般形成有第一电极和第二电极,加载电压后将会形成从第一电极发出,面向第二 电极的与基板平面呈大致平行的电场。在现有技术中,也有结合垂直电场和横向电场的优势,制造出既有垂直电场又有 横向电场的液晶显示器。如图1所示,液晶显示器包括上基板5和下基板6,以及填充在上 基板5和下基板6之间的液晶层30。其中,上基板5包括位于靠近所述液晶层30 —侧的 第一电极(公共电极)I,下基板6包括位于靠近所述液晶层30 —侧的第二电极(公共电 极)2和第三电极(像素电极)3。加载电压后,第一电极I与第二电极2电势相等,相互之 间不产生电场。第一电极I与第三电极3之间电势不等,产生垂直于基板平面的垂直电场。 第二电极2与第三电极3之间电势不等,产生平行于基板平面的横向电场。比起横向电场型液晶显示器,既有垂直电场又有横向电场的液晶显示器可以减少 明暗条纹的数量。但技术人发现,这种基板中的第二电极2与第三电极3之间的间隔 区域中,液晶分子的偏转程度仍然有所不足,从而导致相应的区域不够明亮,即会影响液晶 显示器的显示质量。在这种情况下,如果需要保证足够的亮度,则需要增加第二电极2与第 三电极3的驱动电压。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种阵列基板、液晶显示面板和液晶显示器,在显示面 板中同时具有垂直电场和横向电场,使其垂直电场分布较为均匀,提高了液晶显示器的显示质量。为达到上述目的,本技术的实施例采用如下技术方案一方面,提供了一种阵列基板,对应于多个像素区域,该阵列基板对应于每个像素 区域包括位于靠近所述液晶层一侧的第二电极和第三电极,所述第二电极包括至少一个第二电极条,所述第三电极包括至少一个第三电极条;所述阵列基板对应于每个像素区域还包括位于靠近所述液晶层一侧的第四电极,所述第四电极包括至少一个第四电极条,该第四电极条位于相邻的所述第二电极条与所述第三电极条之间;且所述第四电极的电位处于所述第二电极的电位与所述第三电极的电位之间。优选的,所述阵列基板对应于每个像素区域中,所述第二电极条、所述第三电极条、所述第四电极条各有多个,且各所述第二电极条电连接,各所述第三电极条电连接,各所述第四电极条电连接。优选的,所述第二电极条、所述第三电极条、所述第四电极条的宽度彼此不同。优选的,所述第二电极条、所述第三电极条、所述第四电极条处于同一平面。优选的,所述第四电极处于电悬空状态。优选的,所述第二电极条与所述第四电极条之间间隔的宽度和所述第三电极条与所述第四电极条之间间隔的宽度不同。优选的,所述第二电极条与所述第四电极条之间间隔的各个宽度互不相同,所述第三电极条与所述第四电极条之间间隔的各个宽度互不相同。优选的,所述第二电极条、所述第三电极条和所述第四电极条均弯折成V状。一方面,提供了一种液晶显示面板,包括对盒的上基板和下基板,以及填充在所述上基板和所述下基板之间的液晶层,所述液晶层中的液晶分子的初始取向状态垂直于所述上基板、所述下基板;所述下基板为上述的阵列基板。优选的,所述上基板包括位于靠近所述液晶层一侧的第一电极。 优选的,所述第一电极与所述第二电极相互连接。优选的,所述上基板上还包括形成在所述第一电极上的保护层。一方面,提供一种液晶显示器,包括上述的液晶显示面板。本技术实施例提供的阵列基板、液晶显示面板和液晶显示器,在阵列基板的相互间隔的第二电极与第三电极之间设置至少一个第四电极,且第四电极与第二电极、第三电极均不连接,在加载电压后,第三电极与位于其两边第四电极之间产生电场,第四电极分别与位于其两边的第二电极和第三电极之间产生电场,由此,可在不增加第二电极与第三电极的驱动电压的情况下,可使第二电极与第三电极之间的间隔区域中,液晶分子的偏转程度增加,从而使相应区域的亮度增强,进而能够提高液晶显示面板、液晶显示器的显示质量。进一步的,彩膜基板上可设置第一电极,该第一电极与第二电极相连,从而可使第一电极与第三电极,第四电极均可产生垂直电场,可减少液晶显示器的明暗条纹的数量。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中的液晶显示面板结构的截面示意图;图2为本技术实施例提供的阵列基板结构的截面示意图;图3为本技术另一实施例提供的液晶显示面板结构的截面示意图;图4为本技术另一实施例提供的液晶显不面板另一结构的截面不意图;图5为本技术实施例提供的液晶显不面板下基板结构的俯视不意图;图6为本技术实施例提供的液晶显不面板下基板的等效电路图;图7为本技术实施例提供的液晶显示面板下基板的电极条的结构俯视示意 图;图8为本技术实施例提供的再一液晶显示面板下基板的电极条的结构俯视 示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的 实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供的阵列基板,如图2所示,对应于多个像素区域,该阵列基 板6对应于每个像素区域包括位于靠近所述液晶层30 —侧的第二电极2和第三电极3,所 述第二电极2包括至少一个第二电极条,所述第三电极3包括至少一个第三电极条。此处 的电极条例如可以是梳状电极的各个梳齿状的电极部分。进一步地,所述阵列基板6对应于每个像素区域还包括位于靠近所述液晶层30 — 侧的第四电极4,所述第四电极4包括至少一个第四电极条,该第四电极条位于相邻的所述 第二电极条与所述第三电极条之间;且所述第四电极的电位处于所述第二电极的电位与所 述第三电极的电位之间。优选的,所述阵列基板6对应于每个像素区域中,所述第二电极条、所述第三电极 条、所述第四电极条各有多个,且各所述第二电极条电连接,各所述第三电极条本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种阵列基板,对应于多个像素区域,该阵列基板对应于每个像素区域包括位于靠近所述液晶层一侧的第二电极和第三电极,所述第二电极包括至少一个第二电极条,所述第三电极包括至少一个第三电极条;其特征在于,所述阵列基板对应于每个像素区域还包括位于靠近所述液晶层一侧的第四电极,所述第四电极包括至少一个第四电极条,该第四电极条位于相邻的所述第二电极条与所述第三电极条之间;且所述第四电极的电位处于所述第二电极的电位与所述第三电极的电位之间。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,对应于多个像素区域,该阵列基板对应于每个像素区域包括位于靠近所述液晶层一侧的第二电极和第三电极,所述第二电极包括至少一个第二电极条,所述第三电极包括至少一个第三电极条; 其特征在于,所述阵列基板对应于每个像素区域还包括位于靠近所述液晶层一侧的第四电极,所述第四电极包括至少一个第四电极条,该第四电极条位于相邻的所述第二电极条与所述第三电极条之间;且所述第四电极的电位处于所述第二电极的电位与所述第三电极的电位之间。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板对应于每个像素区域中,所述第二电极条、所述第三电极条、所述第四电极条各有多个,且各所述第二电极条电连接、各所述第三电极条电连接、各所述第四电极条电连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电极条、所述第三电极条、所述第四电极条的宽度彼此不同。4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电极条、所述第三电极条、所述第四电极条处于同一平面。5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第四电极处于电悬空状态。6.根据权利要求1至5之任一项所述的阵列基板,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:铃木照晃
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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