气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子器件技术

本发明专利技术提供高阻隔性能、耐弯曲性、平滑性优异以及切断加工适应性优异的气体阻隔性膜及使用了其的有机光电转换元件。该气体阻隔性膜的特征在于，在基材(2)的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元(5)，该气体阻隔层单元(5)具有用化学蒸镀法形成的第1阻隔层(3)和对在该第1阻隔层上涂布硅化合物而形成的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层(4)，该第2阻隔层(4)在上述基材面侧具有非改性区域(4B)、在表层侧具有改性区域(4A)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及气体阻隔性膜、其制造方法及使用了气体阻隔性膜的有机光电转换元件，更详细而言，涉及主要在电子器件等的封装、太阳能电池、有机EL元件、液晶等的塑料基板这样的显示器材料中使用的气体阻隔性膜、其制造方法及使用了气体阻隔性膜的电子器件。
技术介绍
以往，在塑料基板、膜的表面形成了氧化铝、氧化镁、氧化硅等金属氧化物的薄膜的气体阻隔性膜，在需要水蒸气、氧等的各种气体的遮断的物品的包装用途、用于防止食品、工业用品及医药品等的变质的包装用途中被广泛使用。另外，除上述包装用途以外，也在液晶表示元件、太阳能电池、有机电致发光(EL)基板等中被使用。作为制造这样的气体阻隔性膜的方法，主要已知有通过等离子体CVD法(Chemical Vapor Depos it ion :化学气相沉积法、化学蒸镀法)形成气体阻隔层的方法、涂布了以聚硅氮烷作为主要成分的涂布液后实施表面处理的方法、或者并用它们的方法(例如，参照专利文献I 3)。在专利文献I中记载的专利技术中，公开有通过层叠形成方法来达到为了高气体阻隔性的厚膜化和开裂的抑制的两立，所述层叠形成方法利用的是用湿式法形成250nm以下的膜厚的聚硅氮烷膜，接着重复2次以上照射真空紫外光。然而，在专利文献I中记载的方法中，残留如下课题为了得到更高的气体阻隔性时而仅重复层叠时，对于弯曲性未必可以说充分。新判明了如下问题由于进一步进行切断加工时所施加的应力，切断的端部如玻璃那样产生与膜一起猛力地断裂的现象，由于切断面的开裂，作为制品有效的面积变少，生产率差。另外，在专利文献2中记载的专利技术中，公开有以下方法所述方法通过在于树脂基材上用真空等离子体CVD法形成的气体阻隔层上层叠涂布聚硅氮烷，通过热处理修复气体阻隔层，由此进一步提高阻隔性能。然而，有机光电转换元件等的作为气体阻隔层的功能不充分，要求具备即使作为水蒸气透过率也大大低于lX10_2g/m2 day那样的水平的气体阻隔性的气体阻隔层的开发。另外，由于聚硅氮烷的热处理需要在160°C下I小时，因此存在应用范围限定于耐热性优异的树脂基材的难点。另外，在专利文献3中记载的专利技术中公开有以下制造方法所述制造方法在用大气压等离子体CVD法得到的气体阻隔层上涂布聚硅氮烷进行平滑化后、对导电膜进行制膜。关于该方式，现状是担负有如下难点虽然可以实现兼备高阻隔性和表面的平滑性，但在弯曲时施加的应力在气体阻隔层中集中，由于未松弛的应力阻隔层被破坏，弯曲性差。现有技术文献专利文献 专利文献1:特开2009-255040号公报专利文献2:专利第3511325号公报专利文献3:特开2008-235165号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供高阻隔性能、耐弯曲性、平滑性优异、且具有切断加工适应性的气体阻隔性膜和其制造方法及使用了该气体阻隔性膜的电子器件。用于解决课题的手段本专利技术的上述目的，可通过以下的构成来实现。1.气体阻隔性膜，其特征在于，在基材的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元，该气体阻隔层单元具有用化学蒸镀法形成了的第I阻隔层和对在该第I阻隔层上涂布硅化合物而形成了的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层，该第2阻隔层在上述基材面侧具有非改性区域、在表层侧具有改性区域。2.根据上述I所述的气体阻隔性膜，其特征在于，在基材和第I阻隔层之间设有形成有该第I阻隔层的侧的面的JIS K5400规定的铅笔硬度为H以上、且在JIS B0601中规定的最大剖面高度Rt (p)为10nm〈Rt (p) <30nm的平滑层。3.根据上述2所述的气体阻隔性膜，其特征在于，上述平滑层为平滑层全体的10质量％以上为无机成分的平滑层。4.根据上述I 3的任一项所述的气体阻隔性膜，其特征在于，上述用化学蒸镀法形成的第I阻隔层具有氧化硅、氧氮化硅或氮化硅。5.根据上述I 4的任一项所述的气体阻隔性膜，其特征在于，上述第2阻隔层是将涂布聚硅氮烷含有液而形成的涂膜实施了改性处理的层。6.根据上述I 5的任一项所述的气体阻隔性膜，其特征在于，位于上述第2阻隔层的表层侧的改性区域的厚度，相对于该第2阻隔层的总膜厚，以厚度比率计为0. 2以上且0. 9以下。7.根据上述I 6的任一项所述的气体阻隔性膜，其特征在于，上述用化学蒸镀法形成的第I阻隔层具有氧化硅或氧氮化硅，在将该第I阻隔层的弹性模量作为E1、将上述第2阻隔层中的改性区域的弹性模量作为E2、将上述第2阻隔层中的非改性区域的弹性模量作为E3时，弹性模量满足E1>E2>E3的关系。8.根据上述I 7的任一项所述的气体阻隔性膜，其中，在将上述第I阻隔层的膜密度作为D1、将上述第2阻隔层中的改性区域的膜密度作为D2、将上述第2阻隔层中的非改性区域的膜密度作为D3时，膜密度满足D1>D2>D3的关系。9.根据上述8所述的气体阻隔性膜，其特征在于，上述膜密度Dl和膜密度D2的膜密度差(D1-D2)为0. 05以上且1. 30以下，上述膜密度Dl和膜密度D3的膜密度差(D1-D3)为0. 15以上且1. 40以下，且上述膜密度D2和膜密度D3的膜密度差(D2-D3)为0. 10以上。10.根据上述I 9的任一项所述的气体阻隔性膜，其特征在于，上述第I阻隔层的厚度为50nm 300nm的氧化娃或氧氮化娃层,上述第2阻隔层的厚度为60nm 600nm。11.根据上述10所述的气体阻隔性膜，其特征在于，上述第I阻隔层的厚度为50nm 200nm,上述第2阻隔层的厚度为60nm 300nm。12.气体阻隔性膜的制造方法，其为制造上述I 11的任一项所述的气体阻隔性膜的气体阻隔性膜的制造方法，其特征在于，对第2阻隔层实施的改性处理为照射具有ISOnm以下的波长成分的真空紫外线的处理。13.电子器件，其特征在于，使用上述I 11的任一项所述的气体阻隔性膜。专利技术的效果根据本专利技术，可以提供高阻隔性能、耐弯曲性、平滑性优异、且具有切断加工适应性的气体阻隔性膜和其制造方法及使用了该气体阻隔性膜的有机光电转换元件。附图说明图1是表示本专利技术的气体阻隔性膜的层构成的一个例子的概略剖面图。图2是表示包含本体异质结型的有机光电转换元件的太阳能电池的剖面图。图3是表示包含具备串联型的本体异质结层的有机光电转换元件的太阳能电池的剖面图。图4是表示包含具备串联型的本体异质结层的有机光电转换元件的太阳能电池的剖面图。图5是表示本专利技术涉及的第I阻隔层的形成中使用的真空等离子体CVD装置的一个例子的概略剖面图。具体实施例方式以下，对用于实施本专利技术的方式详细地进行说明。本专利技术人鉴于上述课题进行了潜心研究，结果发现通过特征为如下的气体阻隔性膜在基材的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元，该气体阻隔层单元具有用化学蒸镀法形成的第I阻隔层和对在该第I阻隔层上涂布硅化合物而形成的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层，该第2阻隔层在上述基材面侧具有非改性区域、在表层侧具有改性区域；可以实现高阻隔性能、耐弯曲性、平滑性优异、且具有切断加工适应性的气体阻隔性膜，以至完成了本专利技术。另外，优选在上述基材和上述第I阻隔层之间设有形成该第I阻隔层的侧的面的铅笔硬度为H以上且最大剖面高度Rt(p)为10nm〈Rt〈30nm的平滑层，优选具以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：井宏元，本田诚，大石清，铃木一生，伊藤聪，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达控股株式会社，
类型：
国别省市：